シリコン系微粒子の二波長励起フォトルミネッセンス効果

摘要

二波長励起フォトルミネッセンス法を用いて、電解重合法で合成したシリコン系微粒子の評価を試みた。 AGE光（～4.13eV）にBGE光(1.1eV)を重畳照射したところ、数十秒の時定数を伴ったPL強度の減少（BGE効果、I{sub}(AGE+BGE)/I{sub}(AGE)＜1）が観測され、非発光再結合準位が検出された。BGE効果の熱処理温度依存性から、アニール効果による微粒子内欠陥濃度の低下を確認した。