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電気化学活性分子によるシリコン表面の機能化一フェロセン誘導体の光化学反応による固定化とその電気化学応答

机译:电化学活性分子对硅表面的功能化光化学反应固定单茂铁衍生物及其电化学反应

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摘要

可視光励起反応によって、フェロセン誘導体分子[vinylferrocene(VFc),ethynylferrocene(EFc)or ferrocenecarboxaldehyde(FcA)]を、共有結合を介してシリコン表面に固定化し単分子膜を作製した.その結果、シリコン表面に電気化学的な活性が付与された.溶媒としてデカンを使用することで、誘導体分子の重合を回避し均一な単分子膜被覆が可能となった.接合したFc分子の酸化還元電位は、Fc分子とSi間の化学構造に依存し、VFc<EFc<FcAの順で正にシフトした.Fc/Si試料の電気化学応答は、Siの導電タイプにも依存し、低濃度ドープSiの場合、p型では暗状態でもFcからSiへの電子移動が起こったが、n型では光照射下でのみ電子移動が起こる.
机译:通过可见光激发反应,二茂铁衍生物分子[乙烯基二茂铁(VFc),乙炔基二茂铁(EFc)或二茂铁甲醛(FcA)]通过共价键固定在硅表面上以制备单分子膜。结果,硅表面被赋予电化学活性。通过使用癸烷作为溶剂,可以避免衍生物分子的聚合并涂覆均匀的单层。取决于Fc分子和Si之间的化学结构,键合的Fc分子的氧化还原电位以VFc <EFc <FcA的顺序正向移动。 Fc / Si样品的电化学响应也取决于Si的导电类型。在低浓度掺杂的Si的情况下,即使在p型的暗态下,在n型的光照射下,也发生了从Fc到Si的电子转移。电子运动仅发生在其中。

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