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スラブ光道波路分光法を用いたITO電極とチトクロームCの直接電子移動反応のその場観察~極微量吸着量の電気化学的手法と分光法の比較

机译:平板光路波导光谱法原位观察ITO电极与钛铬C之间的直接电子转移反应-电化学方法与微量痕量吸附光谱的比较

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摘要

スラブ光導波路(SOWG)分光装置を用いた紫外可視吸収スペクトル測定からチトクロームCのITO 電極表面への吸着過程、吸着後の直接電子移動反応のその場観察を行った。またITO電極上に吸着したチトクロームCをリン酸緩衝溶液で洗い、吸着量を減少させながらSOWG分光法とサイクリックボルタンメトリー(CV)法で観察した結果、吸着量が少ない場合、サイクリックボルタモグラムでは明瞭な酸化還元ピークが観察されないためチトクロームCはほとんど吸着していないと考えられる場合でも、SOWG分光法の吸収スペクトルではソーレ帯の吸収バンドが観察できた。
机译:使用平板光学波导(SOWG)光谱仪通过紫外可见吸收光谱测量,对ITO电极表面上的钛色素C的吸附过程和吸附后的直接电子转移反应进行了现场观察。另外,由于用磷酸盐缓冲溶液洗涤了吸附在ITO电极上的钛铬C,并在减少吸附量的同时通过SOWG光谱法和循环伏安法(CV)对其进行了观察,因此如果吸附量较小,则在循环伏安图中很明显。即使由于没有观察到明显的氧化还原峰而认为几乎不吸附化学色素C的情况下,也可以在SOWG光谱的吸收光谱中观察到唯一带的吸收带。

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