希塩酸処理したITO基板の表面形態と希塩酸処理したITO基板で作製した有機薄膜太陽電池の特性評価

摘要

本研究では、希塩酸を用いてITO基板表面の平滑性を向上し、また、活性層とITO基板表面との接触性を向上させ、電力変換効率の向上を図った。また、活性層に狭いバンドギャップ、深いHOMO順位を有するP型半導体材料（図1）を用いることで、開放電圧と太陽光スペクトルの吸収効率を高くし、高効率有機薄膜太陽電池の開発を行った。