2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプの開発

摘要

携帯電話基地局用に2.6GHz帯40W広帯域ドハティアンプを開発した．本ドハティアンプは105W級の窒化ガリウム（GaN）をメインアンプに，160W級のGaNをピークアンプに用いて構成され，2.5GHz-2.7GHzの200MHz帯域で飽和出力電力54.3dBm （269W）以上，バックオフ時のドレイン効率45％以上を達成したので報告する．