ITO透明導電膜のキャリア電子濃度

澤田豊; 関成之

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ITO透明導電膜のキャリア電子濃度

机译：ITO透明导电膜的载流子电子浓度

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結晶性が良好なITO膜を還元熱処理した場合のキャリア電子濃度に関してスズ濃度依存性に注目してキャリア電子生成機構を議論した．なお，アモルファスITO膜の場合のキャリア電子発生機構に関しては議論がなされておらず，今後の課題として重要であろう．

机译：我们着重讨论了具有良好结晶性的ITO膜经过还原热处理时载流子电子浓度对锡浓度的依赖性，从而讨论了载流子产生机理。关于非晶ITO膜情况下的载流子电子产生的机理尚未讨论，并且作为未来的问题将是重要的。

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来源
《材料の科学と工学》 |2006年第6期|共3页
作者
澤田豊; 関成之;
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原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类工程材料学;
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