セラミックMIDの高反射銀めっきと電磁両立性の向上

摘要

セラミックMIDにおいて，セラミックスと導電回路であるCu薄膜との間に酸素原子とより安定な結合状態を形成する下地金属層を設けることより，密着力の高い回路形成法を開発した。 また，このセラミックMIDの特徴である高放熱性と銀めっき層の結晶構造制御による高反射膜を組み合わせることによって，高輝度LEDデバイス用パッケージを実現した。 さらに，多層セラミックスへのシールドパターン形成による電磁両立性の飛躍的向上から，高密度回路であるセンサモジュール，光通信モジュール，高周波モジュールに最適なセラミックパッケージの量産も可能となった。