磁壁ピン止めを有するナノワイヤにおける電流誘起磁壁移動のシミュレーション

摘要

近年，低飽和磁化を有する材料を用いることにより，perfect wireにおける電流誘起磁壁移動のintrinsicな閾値電流を低減できることが報告されている．しかし，実際のナノワイヤでは細線のエッジラフネスや磁気特性の分散により，磁壁移動を妨げるピン止めが生じる．本研究ではマイクロマグネティックシミュレーションを用いて，細線中のピン止めが閾値電流に及ぼす影響を解析した．