ОПТИЧЕСКАЯ МОДУЛЯЦИЯ ЭФФЕКТИВНОЙ ТОЛЩИНЫ КАНАЛА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА СаАз С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ

摘要

С использованием модели, связывающей изменение тока стока с модуляцией эффективной толщины капала при ИК-освещении ОаАз-полевых транзисторов с затвором Шоттки (ПТШ), показана возможность определения изменения толщины канала и профиля концентрации глубоких центров в канапе полевых транзисторов. Приведены профили распределения глубоких центров в каналах ОаАа-ПТШ с разными значениями шумовой температуры.