Эффект спиновой фильтрации в двойных туннельных переходах:двухзонная модель электронной структуры магнитных диэлектриков

摘要

Обсуждается влияние верхнего края валентной зоны изолятора на эффект спиновой фильтрации в тун-нельных структурах c наноразмерными слоями магнитного диэлектрика. Показано, что в том случае, когда уровень Ферми находится посередине запрещенной зоны диэлектрика, данный эффект полностью исчезает при нулевом напряжении смещения и существенно подавляется при конечных напряжениях. Указанное обстоятельство и является основной причиной наблюдавшегося недавно гигантского расхождения между теоретическими значениями магнетосопротивления двойных туннельных спиновых фильтров и соответствующими экспериментальными данными.