Стимулированное излучение на длине волны 2.5 мкм, при комнатнойтемпературе, из оптически возбужденных структурна основе Cd_xHg(1-x)Te

摘要

Обсуждаются основные требования к оптимизации структур на основе КРТ (СддНу1_хТе) для увеличения длины волны стимулированного излучения из них при оптической накачке. Экспериментально продемонстрировано возникновение стимулированного излучения в диапазоне 2-2.5 мкм при комнатной температуре на оптимизированных КРT-структурах, выращенных на ОаАs-подложках c помощью метода молекулярнопучковой эпитаксии. Полученные экспериментальные данные являются первыми результатами по наблюдению стимулированного излучения на этих длинах волн при комнатной температуре из КPT-cтpуктyр. Измеренные при этом значения коэффициента усиления в активной среде являются весьма большими и доходят до значений 50 см, что позволяет надеяться на возможность дальнейшего продвижения в длинноволновую область.