Влияние характеристик аксикона и параметра качества пучка M~2 на формирование бесселевых пучков излучения полупроводниковых лазеров

摘要

В работе исследуются особенности формирования бесселевых пучков излучения полупроводниковых лазеров с высоким параметром качества М~2. Показано, что длина распространения бесселева пучка определяется в большей степени расходимостью образующего квазигауссова пучка с высоким М~2, а не геометрическими параметрами оптической схемы. Продемонстрировано, что технологически неизбежное скругление вершины аксикона ведет к значительному увеличению поперечного размера центральной части бесселева пучка вблизи аксикона.