Влияние атмосферы выращивания на характеристики кристаллов ТIВг--Часть 2. Электрофизические характеристики и микрокатодолюминесценция

摘要

В работе изучено влияние атмосферы выращивания на электрофизические характеристики и микро-катодолюминесценцию (МКЛ) кристаллов ТIВг - материала для создания неохлаждаемых полупроводниковых детекторов Х- и у-излучений. Образцы были выращены методом Бриджмена-Стокбаргера на воздухе, в вакууме, бромирующей атмосфере и аргоне. Результаты измерений показывают, что среда роста существенно влияет на спектры МКЛ и спектры глубоких уровней кристаллов ТIВг. В то же время положение уровня Ферми и темновая проводимость изменяются очень слабо. Кристалл, выращенный с небольшой добавкой брома (1013,25 Па), обладал самым высоким удельным сопротивлением и совершенством структуры. Выращивание в вакууме приводит к ухудшению всех характеристик кристаллов: их отличают наименьшее удельное сопротивление, наибольшие сигналы в спектрах термостимулированного тока и токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней (позволяющие предположить наличие высокой концентрации глубоких уровней), отсутствие непрямого экситона и слабый прямой экситон при МКЛ-исследованиях.