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ストライプ形状のインダクタの高周波特性とそれを用いた電圧制御発振器の特性

机译:条纹电感器的高频特性和使用它的压控振荡器特性

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摘要

準ミリ波からミリ波の高周波領域で顕在化する表皮効果によるインダクタの寄生抵抗の上昇およびそれに伴うQ値の劣化を抑制するために,ストライプ形状のインダクタを考案した.提案するストライプ形状のインダクタは,通常のインダクタより断面の周辺長を長くすることにより寄生抵抗を低減させる構造である.その効果の検証のため,通常形状のインダクタとストライプ形状のインダクタおよびそれらのインダクタを搭載した20~40GHzの電圧制御発振器を試作·評価した.その結果,ストライプ形状のインダクタは通常形状のインダクタに対して約1.5倍のQ値の向上,約1.6倍のコーナー周波数の高周波化を示すことを確認した.また,ストライプ形状のインダクタを用いた20~40GHzの電圧制御発振器は通常形状のインダクタを用いたそれに対して,1MHz離調において約3dBの位相雑音の向上を確認した.本研究では65nm CMOSプロセスを用いた.
机译:我们设计了一种条纹电感器,以抑制由于趋肤效应而引起的电感器寄生电阻的增加,趋肤效应在从准毫米波到毫米波的高频范围内变得明显,并伴随Q值的降低。提出的带状电感器具有通过使截面的周长比普通电感器的周长长来减小寄生电阻的结构。为了验证效果,我们对20至40 GHz的压控振荡器进行了原型设计和评估,该振荡器配备了普通形状的电感器,带状电感器和那些电感器。结果,证实了条形电感器的Q值提高了约1.5倍,拐角频率比正常形状的电感器高了约1.6倍。另外,已经确认,使用条纹电感器的20至40GHz的压控振荡器使用了常规形状的电感器,并且在1MHz失谐时,相位噪声被改善了约3dB。在这项研究中,我们使用了65nm CMOS工艺。

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