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厚さの薄い損失性のある誘電体媒質で覆われたコーティングされた導体円柱による過渡散乱磁界に関する研究

机译:薄有损介电介质包覆的导体圆柱体的瞬态散射磁场研究

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摘要

本研究では,文献(8)と同様の方法を用いて,磁界形(magnetic-type:H-type)の高周波変調パルス波が損失性のある誘電体媒質で覆われたコーティングされた導体円柱に入射する場合の過渡散乱磁界に対する時間領域における近似-数値解(TD-ANS)を導出する.誘電体媒質の厚さは,パルス波源関数の中心角周波数の波長に比較して薄いものと仮定している.TD-ANSは,DGO,RGO,疑似の表面回折波(pseudo surface diffractedray:pseudo SD)に対する拡張UTD,表面回折波級数(SD series)で表される修正UTD,および最低次の表面回折波(SD)からなる過渡散乱磁界成分の組合せにより表される.
机译:在这项研究中,使用与参考文献(8)中相同的方法,将磁型(H型)高频调制脉冲波施加到覆盖有损介电介质的涂层导体圆柱体上。当瞬态散射磁场入射时,我们在时域中导出了近似数值解(TD-ANS)。假设与脉冲源函数的中心角频率的波长相比,电介质的厚度薄。 TD-ANS包括DGO,RGO,用于伪表面衍射的扩展UTD(伪SD),以表面衍射射线系列(SD系列)表示的改进UTD以及最低阶表面衍射波(SD)。 )由瞬态散射磁场分量的组合表示。

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