Методом молекулярной динамики исследован дрейф ионов Li~+ под действием электрических взаимодействий в плоском канале, образованном листами силицена. По характеру динамики иона, а также его воздействию на механические свойства листов силицена определен оптимальный размер зазора плоского канала. Показана неустойчивость структуры поверхности (4 х 4) свободного двухслойного силицена. Рассчитаны подвижности атомов Si и распределения основных напряжений в силицене, возникающие при движении иона лития по каналу.
展开▼
