X帯25W級小型電力増幅モジュール

摘要

東芝は，気象レーダなどの固体化電力増幅器向けに，X帯（8～12GHz）の窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）技術を用いた高出力電力増幅素子を開発している。この固体化電力増幅器を小型化するには，小型パッケージの高利得かつ高効率な電力増幅モジュールを開発する必要がある。そこで当社は，2段のGaN HEMTチップとそのバイアス回路を内蔵した，25W級小型電力増幅モジュールを開発した。この電力増幅モジュールが帯域9.3～10.3GHzにおいて，利得20.3dB以上で電力付加効率35.8％以上という十分な特性を備えていることを確認した。