ВЫЯВЛЕНИЕ РОЛИ ИНЕРТНОГО КОМПОНЕНТА В КОМПОЗИЦИЯХ С ОКСИДАМИ МАРГАНЦА(II) И МАРГАНЦА(IV) ПРИ ИССЛЕДОВАНИИ НЕЛИНЕЙНЫХ ЭФФЕКТОВ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ GaAs

摘要

Изучено термическое оксидирование GaAs смесями, содержащими оксиды Mn(II) и Mn(IV), с инертными по отношению к арсениду галлия компонентами. Полупроводниковые соединения A~(III)B~V, и среди них, в первую очередь, GaAs, представляют исключительный интерес не только как перспективные материалы для различных отраслей современной техники, но и как важнейший класс объектов химии твердого тела, термодинамики и кинетики сложных гетерогенных процессов. При изучении процессов термического окисления арсенида галлия под воздействием бинарных композиций оксидов-активаторов была выявлена неаддитивность их хемостимулирующего воздействия, проявляющаяся в виде нелинейной зависимости толщины оксидного слоя на GaAs от состава композиций активаторов. Было показано, что наблюдаемые нелинейные эффекты обусловлены взаимодействиями между активаторами, приводящими к возникновению дополнительных каналов связи между ними [3] и нарушению принципа линейной независимости параллельных реакций при совместном воздействии оксидов.