СИНТЕЗ, СТРУКТУРА И НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ CdGeAs2:Mn(x) И Cd_(0.964)Zn_(0.036)GeAs2:Mn(x)

摘要

Монокристаллы твердых растворов CdGeAs2:Mn(x) и Cd_(0.964)zn_(0.036)GeAs2:Mn выращены методом Бриджмена (вертикальный вариант). Методом PC А установлено, что Cd_(0.964)zn_(0.036)GeAs2 (Ⅰ), Cd_(0.964)zn_(0.036)GeAs2:Mn (1-5 мас. %) (Ⅱ) и Cd_(0.964)zn_(0.036)GeAs2:Mn (2.18 мас. %) (Ⅲ) сохраняют структу-ру CdGeAs2 (тетрагональная сингония, пр. гр. I42d), определены параметры элементарной ячейки твердых растворов:Ⅰ-a=b=5.934(1), c=11.219(2) А; Ⅱ-a=b=5.919(1), с=11.204(2) А; Ⅲ-a= b=5.918(1), c=11.208(2) Л. Выявлено, что большая часть атомов Мп в II и III располагается в междоузлиях решетки кристалла. Представлены некоторые электрические и магнитные свойства монокристалла CdGeAs2:Mn (x).