Применение ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа для исследования распределения концентрации носителей заряда и электрическогополя в арсенид-галлиевом диоде Ганна

摘要

Проведены численные расчеты распределения электрического поля и концентрации носителей заряда в диоде Ганна с использованием ЭВМ, а также экспериментальные исследования этих характеристик с помощью ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа. Показана принципиальная важность учета зависимости коэффициента диффузии основных носителей заряда от электрического поля при описании протекающих в диодах Ганна процессов. Установлено, что численные результаты качественно согласуются с экспериментом.