昇華再結晶法による大型SiC単結晶基板の開発

摘要

近年のSiC単結晶成長技術の進展により，市販のSiC基板は，現在では100mm口径が主流となりつつある。また，応用デバイスについても，SBD（ショットキー障壁ダイオード）が商品化され，MOSFET （Metal Oxide Semi-conductor，Field Effect Transistor）やJFET （Junction Field Effect Transistor）等のトランジスタも開発が急速に進められている。本稿では，SiCデバイス技術の基盤となる大口径SiC単結晶成長および単結晶基板の製造技術について，最近の技術進展を含めて概説する。