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【24h】

炭化ケイ素(SiC)次世代パワーデバイス市場立ち上がり八(上)経産省が、2012年度から産業用モータ一に省エネ規制導入検討が追い風に

机译:碳化硅(SiC)下一代功率器件市场上升八(上)经济产业省希望从2012年起将节能法规引入工业电机中

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摘要

経済産業省が、早ければ2012年度から産業用モーターを対象にした省エネ規制を導入し、消費電力の効率化目標の達成をメーカーに義務付ける検討を始める見通しである。炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)パワーデ/マイスや高周波デ/〈イスなどは、ようやく一部で事業化が始まったばかりだが、産業用モーターの省エネ規制の導入にともない、これら次世代パワーデバイス市場の立ち上がりを強く促すことになるだけに、実施の行方が注目されていた。SiCやGaN系のでデバイスが本格的に普及期に入ると、わが国の電力使用量を“劇的”に削減できるとみられるととともに、世界半導体市場での巻き返しが見込め、半導体業界の復活につながると期待されている。
机译:预计经济产业省最早将于2012年出台工业电动机节能法规,并开始考虑强制制造商实现其能耗效率目标。碳化硅(SiC),氮化镓(GaN)功率器件/ mys,高频器件/ <椅子等在某些领域才刚刚开始商业化,但是随着工业电机节能法规的出台,这些下一代功率器件实施的下落吸引了人们的注意,因为它极大地促进了市场的兴起。当基于SiC和GaN的器件进入全面普及期时,可以预期日本的功耗可以“大幅降低”,并且可以预期全球半导体市场将出现反弹,从而带动半导体产业的复兴。预期。

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  • 来源
    《金属時評》 |2012年第2189期|共4页
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  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 冶金工业;
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