産総研、世界初の「ダイヤモンド基板]電力増幅バイポーラトランジスタ件製

摘要

産業技術総合研究所は、ダイヤモンド半導体を用いた電力増幅作用を持つバイポーラトランジスタを世界で初めて作製した。これまで、同研究所は品質の劣化を極力押さえながら、高濃度の不純物を添加した低抵抗ダイヤモンド薄膜の作製に成功し、この低抗ダイヤモンド薄膜を用い、さらにダイヤモンド固有の性質を活かすことで、従来のパワーデバイスとは原理的に異なる超低損失パワーデバイスを提案している。今回、この低抵抗ダイヤモンド薄膜を用いて、デバイス作製プロセスを工夫することにより、電力増幅が可能なバイポーラトランジスタの作製を実現した。