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Radiation-induced structural transformations in vitreous chalcogenide semiconductors

机译:玻璃态硫族化物半导体中的辐射诱导结构转变

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摘要

Radiation-induced structural transformations (RST) in vitreous As2S3-based chalcogenide semiconductors have been considered at the level of destruction-polymerization changes of covalent chemical bonds, associated with coordination defect (CD) formation processes. The whole variety of the CD has been taken into account to construct a physically real variant of the radiation-idduced structural changes. (C) 1998 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 17]
机译:在基于As2S3的硫族化物半导体玻璃中,辐射诱导的结构转变(RST)已考虑在与配位缺陷(CD)形成过程相关的共价化学键的破坏-聚合变化水平。已经考虑了CD的全部变化,以构造辐射诱导的结构变化的物理上真实的变体。 (C)1998 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考:17]

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