机译:使用二羰基双-二酮酸钌络合物作为CVD源试剂沉积Ru和RuO2薄膜
Chemical-vapor-deposition; Bottom electrode structures; Metal-carbonyls; (ba; sr)tio3 capacitors; Epitaxial-growth; Precursor; Mocvd; Integration; Pressure; Dioxide;
机译:使用二羰基双-二酮酸钌络合物作为CVD源试剂沉积Ru和RuO2薄膜
机译:使用吡唑酸酯络合物作为CVD源试剂沉积of薄膜
机译:N-(二烷基氨基甲硫酰基)-硝基取代的苯甲酰胺的对称和不对称镍(II)络合物作为单源前体,用于通过ACVD沉积硫化镍纳米结构薄膜(vol 85,pg 267,2015)
机译:使用Ru(DMPD){Sub} 2通过MOCVD钌和氧化钌膜沉积
机译:钌配合物中的有机金属化学和薄膜的化学气相沉积。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:以二羰基双-二酮酸酯钌配合物为CVD源试剂沉积Ru和RuO2薄膜