机译:O3和H2O作为氧源在不同沉积温度下对HfO2栅极电介质原子层沉积的影响
机译:O3和H2O作为氧源在不同沉积温度下对HfO2栅极电介质原子层沉积的影响
机译:在低温下使用原子层沉积(100-200摄氏度)在0.53ga0.47as上制造的HFO2 / AL2O3电介质的电性能
机译:使用高级茂金属前驱体和H2O作为氧源的HfO2和ZrO2原子层沉积
机译:在InAlAs衬底上通过原子层沉积生长的HfO2 / Al2O3栅介电纳米堆叠的表征
机译:高k栅极电介质的反应:在ha,锆,钇和镧基电介质以及二氧化ha原子层沉积的原位红外结果方面的研究。
机译:通过原子层沉积法表征掺入HfO2介质中的Al
机译:用于GaN / AlGaN / GaN MOS HEMT的低温原子层沉积生长的Al2O3栅极电介质:沉积条件对界面态密度的影响