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首页> 外文期刊>Physical Review, B. Condensed Matter >PERPENDICULAR ANISOTROPY DETECTED BY TRANSVERSELY BIASED INITIAL SUSCEPTIBILITY VIA THE MAGNETO-OPTIC KERR EFFECT IN FEXSI1-X THIN FILMS AND FEXSI1-X/SI MULTILAYERS - THEORY AND EXPERIMENT
【24h】

PERPENDICULAR ANISOTROPY DETECTED BY TRANSVERSELY BIASED INITIAL SUSCEPTIBILITY VIA THE MAGNETO-OPTIC KERR EFFECT IN FEXSI1-X THIN FILMS AND FEXSI1-X/SI MULTILAYERS - THEORY AND EXPERIMENT

机译：通过FEXSI1-X薄膜和FEXSI1-X / SI多层膜中的磁光克尔效应横向偏移的初始磁化率确定的垂直各向异性

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We studied experimentally and theoretically the perpendicular anisotropy and the stripe-domain structure in both FexSi1-x thin films and FexSi1-x/Si multilayers, the latter being in the low-modulation-length regime (0.4 nm
机译：我们在实验和理论上研究了FexSi1-x薄膜和FexSi1-x / Si多层膜的垂直各向异性和条纹域结构，后者处于低调制长度状态（0.4 nm <λ<7 nm）。通过磁光克尔效应借助于横向偏置的初始磁化率chi（t beta）进行了实验研究。通过三极管溅射在TS = 300 K下制备了所研究的样品。发现，由于x保持恒定，条带畴的出现对于降低λ更明显，这可能是由于有效磁厚度的增加和减小引起的随着λ减小，有效磁化强度降低。对于λ= 0.4 nm的多层，观察到的chi（t beta）（-1）的场依赖性类似于在均相薄膜中发现的场依赖性，这是由于垂直各向异性K-N的存在而导致出现弱的条纹域结构。我们提出一个准静态的一维模型来解释出现条带域时chi（t beta）（-1）的行为，并分析条带域的临界发生。我们在两种极端情况下计算了与条纹相关的所谓的伪单轴各向异性场H-Ks：交换驱动的磁化率或磁自由极（体中非零散度）。后一种情况与实验比较吻合。我们发现垂直各向异性也不是定义明确的多层结构所独有的。即，即使卷中没有接口，也会出现K-N。通过将实验饱和场HS（由磁滞回线获得）设置到我们的模型中，我们既获得了垂直各向异性常数KN = 10（4）-10（5）J / m（3），又获得了条带域结构的出现。讨论了一些垂直各向异性的可能来源，例如，相关的各向同性压缩应力sigma，发现其贡献为 K-N （电磁）大约为1.5-4.5 x 10（4）J / m（3）。 [参考：50]

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