机译:纳米线中多个GaN / AlN量子盘中量子限制的Stark效应和发射效率下降的纳米级监测
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机译:通过分子束外延(Vol 19,PG 5938,2019)生长(Al,Ga)n纳米线的GaN量子磁盘中的量子狭窄的缺陷效应
机译:纳米线中GaN / AlN量子点中量子受限Stark效应的证据
机译:高效横向电动显性紫外线-C发射在A1N纳米线矩阵中采用GaN多量子磁盘
机译:氮化铟镓/氮化镓多量子阱LED的工程效率下降
机译:InGaN / GaN多量子阱LED纳米线中的载流子局部化效应:发光量子效率的提高和负热活化能
机译:纳米级纳米线中多个GaN / AlN量子盘中量子限制的斯塔克效应和发射效率下降的纳米级监测