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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
>2010年第12期
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
SCI
EI
CA
中文名称:材料科学杂志:电子材料
ISSN:
0957-4522
出版周期:
发文量:633
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1.
Preparation, electrocatalytic and photocatalytic performances of nanoscaled CuO/Co
3
O
4
composite oxides
机译:
纳米CuO / Co
3 sub> O
4 sub>复合氧化物的制备,电催化和光催化性能
作者:
Lu Pan
;
Zude Zhang
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
2.
Low-temperature sintering and microwave dielectric properties of TiO
2
-based LTCC materials
机译:
TiO
2 sub>基LTCC材料的低温烧结和微波介电性能
作者:
Li-Xia Pang
;
Hong Wang
;
Di Zhou
;
Xi Yao
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
3.
Micro void growth in NiSnP layer between (Cu,Ni)
6
Sn
5
intermetallic compound and Ni
3
P by higher reflow temperature and multiple reflow
机译:
(Cu,Ni)
6 sub> Sn
5 sub>金属间化合物与Ni
3 sub> P之间的NiSnP层中较高的回流温度和多次回流导致微孔生长
作者:
Doosoo Kim
;
James Jungho Pak
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
4.
Fabrication of GaN nanowires and nanorods catalyzed with tantalum
机译:
钽催化制备GaN纳米线和纳米棒
作者:
Feng Shi
;
Hong Li
;
Chengshan Xue
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
5.
Structural, optical, electrical and morphological properties of ZnTe films deposited by electron beam evaporation
机译:
电子束蒸发沉积ZnTe薄膜的结构,光学,电学和形态学性质
作者:
M. G. Syed Basheer Ahamed
;
V. S. Nagarethinam
;
A. Thayumanavan
;
K. R. Murali
;
C. Sanjeeviraja
;
M. Jayachandran
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
6.
MOS capacitors with metal gate/high-k dielectrics on GaAs bulk substrate
机译:
GaAs体衬底上具有金属栅极/高k电介质的MOS电容器
作者:
V. Budhraja
;
X. Wang
;
D. Misra
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
7.
Preparation and microwave characterization of BaWO
4
filled polytetrafluoroethylene laminates for microwave substrate applications
机译:
BaWO
4 sub>填充的聚四氟乙烯层压板的制备及其微波性能
作者:
Nijesh K. James
;
S. Rajesh
;
K. P. Murali
;
K. Stanly Jacob
;
R. Ratheesh
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
8.
Phase formation sequences and mechanism of MgB
2
superconductor with minor Sn doping
机译:
少量Sn掺杂MgB
2 sub>超导体的相形成顺序和机理
作者:
Q. Z. Shi
;
H. Jiang
;
Z. S. Yan
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
9.
Electrical and optical properties of poly(2-dodecanoylsulfanyl-p-phenylenevnylene) and its application in electroluminescent devices
机译:
聚(2-十二烷酰基硫烷基-对亚苯基亚乙烯基)的电学和光学性质及其在电致发光器件中的应用
作者:
Fernanda M. Nodari
;
Rodolfo L. Patyk
;
Lucimara S. Roman
;
Adriano R. V. Benvenho
;
Ivo A. Hümmelgen
;
Eduardo K. C. Yoshikawa
;
Jonas Gruber
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
10.
Linear field emission cathode with ZnO grown in aqueous solutions
机译:
水溶液中生长有ZnO的线性场发射阴极
作者:
Zhixian Lin
;
Yun Ye
;
Yongai Zhang
;
Tailiang Guo
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
11.
Effect of deposition ambient on structural and optical properties of Mg
x
Zn
1−x
O alloy thin films grown by RF sputtering
机译:
沉积环境对RF溅射生长Mg
x sub> Zn
1-x sub> O合金薄膜的结构和光学性能的影响
作者:
Jia Li
;
Jin-Hua Huang
;
Wei-Jie Song
;
Rui-Qin Tan
;
Ye Yang
;
Xiao-Min Li
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
12.
Morphology and time resolved photoluminescence of electrochemically synthesized zinc oxide nanowires
机译:
电化学合成氧化锌纳米线的形貌和时间分辨光致发光
作者:
Vijay Kumar
;
Sunil Kumar
;
S. K. Chakarvarti
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
13.
Conductive poly(methyl methacrylate)-polypyrrole dodecylbenzenesulfonate (PMMA-PPy.DBSA) blends prepared in solution in the presence of hydroquinone
机译:
在对苯二酚存在下在溶液中制备的导电聚甲基丙烯酸甲酯-聚吡咯十二烷基苯磺酸盐(PMMA-PPy.DBSA)共混物
作者:
A. Shakoor
;
P. J. S. Foot
;
T. Z. Rizvi
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
14.
Role of substrate temperature on the structural, optoelectronic and morphological properties of (400) oriented indium tin oxide thin films deposited using RF sputtering technique
机译:
衬底温度对使用RF溅射技术沉积的(400)取向铟锡氧化物薄膜的结构,光电和形态特性的影响
作者:
V. Malathy
;
S. Sivaranjani
;
V. S. Vidhya
;
T. Balasubramanian
;
J. Joseph Prince
;
C. Sanjeeviraja
;
M. Jayachandran
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
15.
Thermally activated dissipation mechanism in Sn doped CuTl-1223 superconductors
机译:
掺锡CuTl-1223超导体中的热激活耗散机制
作者:
Nawazish A. Khan
;
Tayyaba Firdous
;
P. Kameli
;
M. Irfan
;
Najmul Hassan
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
16.
Preparation and characterizations of tungsten oxide electrochromic nanomaterials
机译:
氧化钨电致变色纳米材料的制备与表征
作者:
H. M. A. Soliman
;
A. B. Kashyout
;
Mohamed S. El Nouby
;
A. M. Abosehly
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
17.
Nanocrystalline ZnO thin films: optoelectronic and gas sensing properties
机译:
纳米ZnO薄膜:光电和气敏特性
作者:
S. L. Patil
;
S. G. Pawar
;
A. T. Mane
;
M. A. Chougule
;
V. B. Patil
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
18.
Characteristics of ZnS films pulse plated using non-aqueous electrolytes
机译:
非水电解液脉冲镀ZnS薄膜的特性
作者:
K. R. Murali
;
S. Kala
;
P. Elango
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
19.
The preparation, mechanical and dielectric properties of PEN/HBCuPc hybrid films
机译:
PEN / HBCuPc杂化膜的制备,力学性能和介电性能
作者:
Jiachun Zhong
;
Hailong Tang
;
Yuanwei Chen
;
Xiaobo Liu
期刊名称:
《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》
|
2010年第12期
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