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Advanced Electronic Materials
Advanced Electronic Materials
中文名称:先进的电子材料
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1.
Sputtered Electrolyte‐Gated Transistor with Modulated Metaplasticity Behaviors
机译:
具有调制变塑性行为的溅射电解质门控晶体管
作者:
Yang Ming Fu
;
Hu Li
;
Long HuangTianye WeiFaricha HidayatiAimin Song
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
2.
Raman Spectroscopy of Few‐Layers TaS2 and Mo‐Doped TaS2 with Enhanced Superconductivity
机译:
增强超导性的多层TaS2和Mo掺杂TaS2的拉曼光谱
作者:
Santiago Valencia‐Ibáñez
;
Diana Jiménez‐Guerrero
;
Jose D. Salcedo‐PimientaKaren Vega‐BustosGabriel Cárdenas‐ChiriviLaura López‐ManriqueEdwin Herrera‐VascoJose A. GalvisYenny HernándezPaula Giraldo‐Gallo
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
3.
Remarkably High Conductivity and Power Factor in D–D′‐type Thermoelectric Polymers Based on Indacenodithiophene
机译:
Remarkably High Conductivity and Power Factor in D–D′‐type Thermoelectric Polymers Based on Indacenodithiophene
作者:
Ayushi Tripathi
;
Bo Eun Seo
;
Min Joo KimYoonjoo LeeSoonyong LeeSang Eun YoonUn Jeong KimYoung Wan KwonHyungtak SeoKyungwon KwakJong H. KimHan Young Woo
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
4.
Soft Biomaterials Based Flexible Artificial Synapse for Neuromorphic Computing
机译:
基于软生物材料的柔性人工突触在神经形态计算中的应用
作者:
Tao Guo
;
Jiawei Ge
;
Bai SunKangqiang PanZhao PanLan WeiYong YanY. Norman ZhouYimin A. Wu
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
5.
Filamentary TaOx/HfO2 ReRAM Devices for Neural Networks Training with Analog In‐Memory Computing
机译:
丝状TaOx/HfO2 ReRAM器件,用于使用模拟内存计算进行神经网络训练
作者:
Tommaso Stecconi
;
Roberto Guido
;
Luca BerchiallaAntonio La PortaJonas WeissYouri PopoffMattia HalterMarilyne SousaFolkert HorstDiana DávilaUte DrechslerRegina DittmannBert Jan OffreinValeria Bragaglia
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
6.
An OFET‐Based Involutive Logic Circuit with Wide‐Range Threshold Shift Compensability
机译:
一种基于OFET的渐开逻辑电路,具有宽范围阈值移位补偿能力
作者:
Yongkun Yan
;
Yangjiang Wu
;
Lin ShaoLongfei YangZeng WuWenhao LiZhengran YiYunqi LiuYan Zhao
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
7.
Introducing Spontaneously Phase‐Separated Heterogeneous Interfaces Enables Low Power Consumption and High Reliability for Phase Change Memory
机译:
引入自发相分离的异构接口,可实现相变存储器的低功耗和高可靠性
作者:
Yuntao Zeng
;
Han Li
;
Yunlai ZhuXiaomin ChengMing XuHao TongXiangshui Miao
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
8.
Power‐Efficient and Highly Uniform BiFeO3‐Based Memristors Optimized with TiInSnO Electrode Interfacial Effect
机译:
高能效、高度均匀的BiFeO3基忆阻器,采用TiInSnO电极界面效应进行优化
作者:
Qing Xia
;
Yuxiang Qin
;
Peilun Qiu
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
9.
Resistive Random Access Memory Behaviors in Organic–Inorganic Hybrid Ultra‐Thin Films
机译:
Resistive Random Access Memory Behaviors in Organic–Inorganic Hybrid Ultra‐Thin Films
作者:
Min Ju Kim
;
Alba Martinez
;
Jaejoong JeongSeongho KimWan Sik HwangByung Jin Cho
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
10.
A Conductive Molecular Semiconductor Composite with Over 160 °C Glass Transition Temperature for Heat‐Resistant Perovskite Solar Cells
机译:
一种玻璃化转变温度超过160°C的导电分子半导体复合材料,用于耐热钙钛矿太阳能电池
作者:
Xinrui Xie
;
Lifei He
;
Yuefang WeiTianyu LiYi YuanJing ZhangPeng Wang
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
11.
Inverter and Ternary Content‐Addressable Memory Based on Carbon Nanotube Transistors Using Chemical Doping Strategy
机译:
Inverter and Ternary Content‐Addressable Memory Based on Carbon Nanotube Transistors Using Chemical Doping Strategy
作者:
Nian He
;
Qi Yuan
;
Yufei WangYanmei SunDianzhong Wen
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
12.
Second‐Order Memristor Based on All‐Oxide Multiferroic Tunnel Junction for Biorealistic Emulation of Synapses
机译:
基于全氧化物多铁性隧道结的二阶忆阻器,用于突触的生物真实仿真
作者:
Anton Khanas
;
Christian Hebert
;
Loïc BecerraXavier PortierNathalie Jedrecy
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
13.
All‐Electrical Programmable Domain‐Wall Spin Logic‐In‐Memory Device
机译:
全电气可编程域壁旋转逻辑存储器器件
作者:
Weiyang Wang
;
Yu Sheng
;
Yuanhui ZhengYang JiKaiyou Wang
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
14.
Self‐Powered and High‐Performance Alternating Current Photodetectors to enhance Broadband Photodetection
机译:
自供电和高性能交流光电探测器,以增强宽带光电检测
作者:
Ranveer Singh
;
Mohit Kumar
;
Unjeong KimHyungtak Seo
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
15.
High‐Performance p‐type 2D FET Based on Monolayer GeC with High Hole Mobility: A DFT‐NEGF Study
机译:
基于单层GeC的高性能p型2D FET,具有高空穴迁移率:DFT-NEGF研究
作者:
Jialin Yang
;
Chuyao Chen
;
Jingwen ZhangWenhan ZhouHengze QuJing LiTingting GuoXiaoqin ShiZhenhua WuShengli Zhang
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
16.
Ultralow Current Switching of Synthetic‐Antiferromagnetic Magnetic Tunnel Junctions Via Electric‐Field Assisted by Spin–Orbit Torque
机译:
自旋轨道转矩辅助的电场超低电流切换合成反铁磁隧道结
作者:
Brandon R. Zink
;
Delin Zhang
;
Hongshi LiOnri J. BenallyYang LvDeyuan LyuJian‐Ping Wang
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
17.
Two‐Dimensional Tellurene Transistors with Low Contact Resistance and Self‐Aligned Catalytic Thinning Process
机译:
具有低接触电阻和自对准催化减薄工艺的二维碲烯晶体管
作者:
Ziyuan Lin
;
Jingli Wang
;
Jiewei ChenCong WangJidong LiuWenjing ZhangYang Chai
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
18.
Self‐Imaging Based Programmable Spin‐Wave Lookup Tables
机译:
基于自成像的可编程自旋波查找表
作者:
Mateusz Gołębiewski
;
Paweł Gruszecki
;
Maciej Krawczyk
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
19.
Wireless Multiferroic Memristor with Coupled Giant Impedance and Artificial Synapse Application
机译:
耦合巨阻的无线多铁性忆阻器和人工突触应用
作者:
Yao Wang
;
Rui Xiao
;
Ning XiaoZhongfeng WangLei ChenYumei WenPing Li
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
20.
Strain Driven Conducting Domain Walls in a Mott Insulator
机译:
莫特绝缘体中的应变驱动导电畴壁
作者:
Lukas Puntigam
;
Markus Altthaler
;
Somnath GharaLilian ProdanVladimir TsurkanStephan KrohnsIstván KézsmárkiDonald M. Evans
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
21.
Low Energy and Analog Memristor Enabled by Regulation of Ru ion Motion for High Precision Neuromorphic Computing
机译:
通过调节钌离子运动实现的低能耗模拟忆阻器,用于高精度神经形态计算
作者:
Ji Eun Kim
;
Jae Uk Kwon
;
Suk Yeop ChunYoung Geun SongDoo Seok JeongChong‐Yun KangSeong Keun KimSahn NahmJung Ho Yoon
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
22.
Insights into the Origins of Minority Carrier Traps in Solution‐Processed Organic Semiconductors and Their Effects on Transistor Photostability
机译:
Insights into the Origins of Minority Carrier Traps in Solution‐Processed Organic Semiconductors and Their Effects on Transistor Photostability
作者:
Xiaobin Ruan
;
Shuiling Cheng
;
Wei DengYuan TanZhengjun LuJialin ShiXiujuan ZhangJiansheng Jie
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
23.
Hydrogen Atom Doping—A Versatile Method for Modulated Interface Resistive Switching
机译:
氢原子掺杂——一种用于调制界面电阻开关的通用方法
作者:
Srinivas Vanka
;
Hyungki Shin
;
Bruce A. DavidsonChong LiuKe Zou
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
24.
A Vis‐SWIR Photonic Synapse with Low Power Consumption Based on WSe2/In2Se3 Ferroelectric Heterostructure
机译:
基于WSe2/In2Se3铁电异质结构的低功耗可见光-短波红外光子突触
作者:
Xuan Li
;
Shuo Li
;
Bin TangJianhui LiaoQing Chen
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
25.
Unveiling the Complex Magnetization Reversal Process in 3D Nickel Nanowire Networks
机译:
Unveiling the Complex Magnetization Reversal Process in 3D Nickel Nanowire Networks
作者:
Alejandra Ruiz‐Clavijo
;
Olga Caballero‐Calero
;
David NavasAmanda A. Ordoñez‐CencerradoJavier Blanco‐PortalsFrancesca PeiróRuy SanzMarisol Martín‐González
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
26.
Dual Piezoelectric/Triboelectric Behavior of BTO/SU‐8 Photopatternable Nanocomposites for Highly Efficient Mechanical Energy Harvesting
机译:
BTO/SU-8光图案化纳米复合材料的双压电/摩擦电行为在高效机械能收集中的应用
作者:
Nadeem Tariq Beigh
;
Shalini Singh
;
Ankur GoswamiDhiman Mallick
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
27.
Temporal Pattern Coding in Ionic Memristor‐Based Spiking Neurons for Adaptive Tactile Perception
机译:
基于离子忆阻器的脉冲神经元中用于自适应触觉感知的时间模式编码
作者:
Zhuolin Xie
;
Xiaojian Zhu
;
Wei WangZhecheng GuoYuejun ZhangHuiyuan LiuCui SunMinghua TangShuang GaoRun‐Wei Li
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
28.
Highly Flexible and Asymmetric Hexagonal‐Shaped Crystalline Structured Germanium Dioxide‐Based Multistate Resistive Switching Memory Device for Data Storage and Neuromorphic Computing
机译:
一种高柔性、非对称的六边形晶体结构二氧化锗基多态电阻式开关存储器器件,用于数据存储和神经形态计算
作者:
Mahesh Y. Chougale
;
Muhammad Umair Khan
;
Jungmin KimChaudhry Muhammad FurqanQazi Muhammad SaqibRayyan Ali ShaukatSwapnil R. PatilBaker MohammadHoi‐Sing KwokJinho Bae
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
29.
Mapping Thermoelectric Transport in a Multicomponent Alloy Space
机译:
绘制多组分合金空间中的热电输运图
作者:
Ramya Gurunathan
;
Suchismita Sarker
;
Christopher K. H. BorgJames SaalLogan WardApurva MehtaG. Jeffrey Snyder
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
30.
A Van Der Waals Photo‐Ferroelectric Synapse
机译:
范德华光电铁电突触
作者:
Yao Cai
;
Lifu Zhang
;
Jie JiangYang HuZhizhong ChenRu JiaChengliang SunJian Shi
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
31.
Humidity‐Enabled Organic Artificial Synaptic Devices with Ultrahigh Moisture Resistivity
机译:
具有超高湿度电阻率的湿度有机人工突触装置
作者:
Jiayu Li
;
Yangzhou Qian
;
Wen LiYen‐Hung LinHaowen QianTao ZhangKe SunJin WangJia ZhouYe ChenJintao ZhuGuangwei ZhangMingdong YiWei Huang
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
32.
Few‐layered MoS2 Based Vertical van der Waals p‐n Homojunction by Highly‐efficient N2 Plasma Implantation
机译:
基于高效N2等离子体注入的少层MoS2垂直范德华p-n同质结
作者:
Yufeng Shan
;
Ziwei Yin
;
Jiaqi ZhuXin LiWei DouYue WangChixian LiuHuiyong DengNing Dai
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
33.
Development of Low‐Temperature Doping Process in CdSe‐Nanocrystal Thin Films for Flexible Electronic and Optoelectronic Devices
机译:
碲化镉纳米晶体薄膜低温掺杂工艺在柔性电子和光电子器件中的应用
作者:
Yong Min Lee
;
Byung Ku Jung
;
Junhyuk AhnTaesung ParkChanho ShinTse Nga NgIn Soo KimJi‐Hyuk ChoiSoong Ju Oh
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
34.
X‐ray Detectors With Ultrahigh Sensitivity Employing High Performance Transistors Based on a Fully Organic Small Molecule Semiconductor/Polymer Blend Active Layer
机译:
具有超高灵敏度的X射线探测器,采用基于全有机小分子半导体/聚合物共混活性层的高性能晶体管
作者:
Adrián Tamayo
;
Ilaria Fratelli
;
Andrea CiavattiCarme Martínez‐DomingoPaolo BranchiniElisabetta ColantoniStefania De RosaLuca TortoraAdriano ContilloRaul SantiagoStefan T. BromleyBeatrice FraboniMarta Mas‐TorrentLaura Basiricò
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
35.
Two‐Terminal Self‐Gating Random‐Access Memory Based on Partially Aligned 2D Heterostructures
机译:
基于部分对齐二维异质结构的双端自门控随机存取存储器
作者:
Chang Jun Lee
;
Myung Uk Park
;
Sung Hyun KimMyeongjin KimKyo‐Seok LeeKyung‐Hwa Yoo
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
36.
Self‐Stabilized Hydrogenation of Amorphous InGaZnO Schottky Diode with Bilayer Passivation
机译:
双层钝化非晶InGaZnO肖特基二极管的自稳定加氢
作者:
Jitong Zhou
;
Wengao Pan
;
Dawei ZhengFayang LiuGuijun LiXianda ZhouKai WangShengdong ZhangLei Lu
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
37.
Resistive Switching in Ferroelectric Bi2FeCrO6 Thin Films and Impact on the Photovoltaic Effect
机译:
铁电Bi2FeCrO6薄膜中的电阻开关及其对光伏效应的影响
作者:
David S. Walch
;
Yeseul Yun
;
Niranjan RamakrishnegowdaLutz MühlenbeinAndriy LotnykCameliu HimcinschiAkash Bhatnagar
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
38.
Artificial Synapse Based on Bio‐Hierarchical Porous Memristor Driven by Multilevel‐Ions Migration
机译:
基于多能级离子迁移驱动的生物分层多孔忆阻器人工突触
作者:
Jingjing Zhang
;
Yuhang Ji
;
Qin GaoJuan GaoXueli GengHaoze LiHongliang ShiMei WangZhisong XiaoPaul K. ChuAnping Huang
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
39.
Space Charge Behavior in Epoxy‐Based Dielectrics: Progress and Perspective
机译:
Space Charge Behavior in Epoxy‐Based Dielectrics: Progress and Perspective
作者:
Peng Liu
;
Zongliang Xie
;
Xi PangTianlei XuSiyu ZhangPeter H. F. MorshuisHe LiZongren Peng
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第10期
40.
Highly Thermally Resilient Dual-Mode (Digital/Analog) Amorphous Yttrium Fluoride Memristors Exhibiting Excellent Symmetric Linearity
机译:
高热弹性双模(数字/模拟)非晶氟化钇忆阻器,具有出色的对称线性度
作者:
Zhe-Min Shi
;
Yu-Che Hou
;
Cheng-Yueh ChenGuang-Hsun TanHao-Cheng LinPo-Ting LaiCheng-Hung HouJing-Jong ShyueWei-Kai ChengTsung-Kai SuHao-Wu Lin
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
41.
Quantifying the Effects of Inhomogeneity and Doping on the Electronic Contribution to Thermal Conductivity in Semiconducting Polymers
机译:
量化不均匀性和掺杂对半导体聚合物中电子对热导率的影响
作者:
Riley Hanus
;
Shawn A. Gregory
;
Michael J. AdamsSamuel GrahamShannon K. Yee
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
42.
Dynamic Control of Piezoelectricity Enhancement via Modulation of the Bulk Photovoltaic Effect in a BiFeO_3 Thin Film
机译:
Dynamic Control of Piezoelectricity Enhancement via Modulation of the Bulk Photovoltaic Effect in a BiFeO_3 Thin Film
作者:
Yooun Heo
;
Hangbo Zhang
;
Marin Alexe
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
43.
Combined Tactics for Elevating the Thermoelectric Performance of CaMg_2Sb_2-Based p-type Materials
机译:
Combined Tactics for Elevating the Thermoelectric Performance of CaMg_2Sb_2-Based p-type Materials
作者:
Xin Shi
;
Liangzi Deng
;
Zhongxin LiangShaowei SongCongcong XuDezhi WangChing-Wu ChuDavid J. SinghZhifeng Ren
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
44.
Fabrication of Electronics by Electrohydrodynamic Jet Printing
机译:
通过电动流体动力喷射打印制造电子产品
作者:
Haihua Zhou
;
Yanlin Song
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
45.
Investigation of Optimum Deposition Conditions of Radio Frequency Reactive Magnetron Sputtering of Al_(0.7)Sc_(0.3)N Film with Thickness down to 20 nm
机译:
射频反应磁控溅射Al_(0.7)Sc_(0.3)N薄膜厚度低至20 nm的最佳沉积条件研究
作者:
Seung Kyu Ryoo
;
Kyung Do Kim
;
Hyeon Woo ParkYong Bin LeeSuk Hyun LeeIn Soo LeeSeungyong ByunDoosup ShimJae Hoon LeeHani KimYoon Ho JangMin Hyuk ParkCheol Seong Hwang
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
46.
Heterosynaptic Plasticity Achieved by Highly Anisotropic Ionic Migration in Layered Li_xMoO_3 for Neuromorphic Application
机译:
在神经形态应用中,通过分层Li_xMoO_3中高各向异性离子迁移实现的异质突触可塑性
作者:
Jing-Kai Qin
;
Bing-Xuan Zhu
;
Cong WangCheng-Yi ZhuRuo-Yao SunLiang ZhenYang ChaiCheng-Yan Xu
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
47.
Mechanism Analysis and Highly Scaled Aluminum Nitride-Based Self-Rectifying Memristors
机译:
机理分析与高比例氮化铝基自整流忆阻器
作者:
Kailiang Zhang
;
Xuanyu Zhao
;
Yemei HanKai HuYujian ZhangLianqiu LiQiaozhen ZhouXin ShanXin LinKe ShanZexia MaQi LiuZhitang SongFang Wang
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
48.
Highly Stretchable, Breathable, and Self-Powered Strain-Temperature Dual-Functional Sensors with Laminated Structure for Health Monitoring, Hyperthermia, and Physiotherapy Applications
机译:
高度可拉伸、透气、自供电的应变温度双功能传感器,采用层压结构,适用于健康监测、热疗和物理治疗应用
作者:
Ningxuan Wen
;
Zeng Fan
;
Shuaitao YangYuan GuoJianwei ZhangBowen LeiYongpeng ZhaoTianze CongChengwei LiZhenguo JingLujun Pan
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
49.
Antimony-Doped p-Type In_2Se_3 for Heterophase Homojunction with High-Performance Reconfigurable Broadband Photovoltaic Effect
机译:
具有高性能可重构宽带光伏效应的锑掺杂p型p型异相均质结In_2Se_3
作者:
Shasha Li
;
Bing Wang
;
Lixia LiJie LiMengna WangGaoli LuoXiao RenYong YanJingbo Li
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
50.
Quantum Linear Magnetoresistance and Nontrivial Berry Phase in High-Mobility Elemental Tellurium
机译:
高迁移率元素碲中的量子线性磁阻和非平凡浆果相
作者:
Yi Ji
;
Bin Wang
;
Chushan LiHuakun ZuoEnkui YiGangjian JinDonghui GuoBing ShenDingyong ZhongHuichao Wang
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
51.
Development of Air-Stable Photomultiplication-Type Organic Photodetector and Analysis of Active Layer using Removable Top Electrode
机译:
气稳型光电倍增型有机光电探测器的研制及基于可拆卸顶电极的活性层分析
作者:
Shuhei Shimanoe
;
Kenjiro Fukuda
;
Takao SomeyaTomoyuki Yokota
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
52.
Flexible Active Crossbar Arrays Using Amorphous Oxide Semiconductor Technology toward Artificial Neural Networks Hardware
机译:
基于非晶氧化物半导体技术的柔性有源交叉阵列面向人工神经网络硬件
作者:
Maria Elias Pereira
;
Jonas Deuermeier
;
Catia FigueiredoAngelo SantosGuilherme CarvalhoVitor Grade TavaresRodrigo MartinsElvira FortunatoPedro BarquinhaAsal Kiazadeh
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
53.
Negative Capacitance Phenomenon and Origin in Alkali Niobate Film with Self-Assembled Lattice Faults
机译:
碱铌酸盐薄膜负电容现象及自组装晶格故障的成因
作者:
Moaz Waqar
;
Ping Yang
;
Qian HeKui YaoJohn Wang
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
54.
Resistive Switching of Self-Assembled Silver Nanowire Networks Governed by Environmental Conditions
机译:
受环境条件控制的自组装银纳米线网络的电阻开关
作者:
Juan Ignacio Diaz Schneider
;
Paula Cecilia Angelome
;
Leticia Paula GranjaCynthia Paula QuinterosPablo Eduardo LevyEduardo David Martinez
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
55.
Polarization Rotation Control Domain Dynamic Response Modulates Piezoelectric Properties of Lead-Free Thin Films
机译:
偏振旋转控制域动态响应调控无铅薄膜的压电特性
作者:
Kun Zhu
;
Guanglong Ge
;
Jinfeng LinHairui BaiCheng ShiGuohui LiFei YanLiuxue XuWeiwei YangHuarong ZengKunyu ZhaoZhenyong ManFeifei WangBo ShenJiwei ZhaiXiujian Chou
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
56.
Property Regulation Principle in Mn-Doped BF-BT Ceramics: Competitive Control of Domain Switching By Defect Dipoles and Domain Configuration
机译:
锰掺杂BF-BT陶瓷的性能调控原理:缺陷偶极子和畴构型对畴切换的竞争控制
作者:
Bing Li
;
Chongyang Li
;
Ting ZhengJiagang Wu
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
57.
Energy Harvest in Ferromagnet-Embedded Surface Acoustic Wave Devices
机译:
铁磁嵌入表面声波器件中的能量收集
作者:
Chong Chen
;
Sulei Fu
;
Lei HanRongxuan SuPeisen LiuRuyi ChenWenxuan ZhuLiyang LiaoFeng PanCheng Song
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
58.
Efficient Room-Temperature Voltage Control of Picosecond Optical Spin Orientation Using a III-V Semiconductor Nanostructure
机译:
基于III-V族半导体纳米结构的皮秒光学自旋取向的高效室温电压控制
作者:
Soyoung Park
;
Satoshi Hiura
;
Junichi TakayamaKazuhisa SueokaAkihiro Murayama
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
59.
Ambient-Stable Near-Infrared Organic Photodetectors with Ultrahigh Detectivity and Ultrafast Response for Biometric Monitoring
机译:
环境稳定的近红外有机光电探测器,具有超高探测性和超快响应,适用于生物特征监测
作者:
Yang-Yen Yu
;
Chao-I Liu
;
Yan-Cheng PengBing-Huang JiangYu-Wei SuSong-Jhe LiuChih-Ping Chen
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
60.
Realizing High Thermoelectric Performance of Ag/Al Co-Doped Polycrystalline SnSe through Band Structure Modification and Hydrogen Reduction
机译:
通过能带结构修饰和氢还原实现Ag/Al共掺杂多晶SnSe的高热电性能
作者:
Nan Xin
;
Guihua Tang
;
Yifei LiHao ShenYinan NieMin ZhangXin Zhao
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
61.
Ambipolar Organic Field-Effect Transistors and Complementary Circuits Based on Single Crystals with Alcohol Treatment
机译:
基于酒精处理的单晶双极性有机场效应晶体管及互补电路
作者:
Chengce Lin
;
Boyu Peng
;
Jiake WuZhuoting HuangMin ChenDapeng HuShifeng KeBenjamin Chee Keong TeeHanying Li
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
62.
Gate-Tunable Photovoltaic Behavior and Polarized Image Sensor Based on All-2D TaIrTe_4/MoS_2 Van Der Waals Schottky Diode
机译:
基于全二维TaIrTe_4/MoS_2范德华肖特基二极管的栅极可调光行为和偏振图像传感器
作者:
Li Zhang
;
Xiaoning Han
;
Shihao ZhangHanyu WangYing HuangZhaoqiang ZhengNengjie HuoWei GaoJingbo Li
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
63.
Strategies to Control the Relaxation Kinetics of Ag-Based Diffusive Memristors and Implications for Device Operation
机译:
控制银基扩散忆阻器弛豫动力学的策略及其对器件操作的影响
作者:
Solomon Amsalu Chekol
;
Stephan Menzel
;
Rainer WaserSusanne Hoffmann-Eifert
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
64.
Sensitive Detection of Alcohol Isomers by Ionically Conductive Metal-Organic Frameworks
机译:
离子导电金属有机骨架对醇异构体的灵敏检测
作者:
Li Li
;
Shiqi Zhang
;
Yang LuJunyao ZhangXuan ZhangJia Huang
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
65.
Thermal Enhanced Resistive Switching Performance of 100-oriented Perovskite (TZ-H)_2(PbBr_4)_n with High Working Temperature: a Triazolium/(PbBr_4)_n~(2n-) Interfacial Interaction Insight
机译:
100取向钙钛矿(TZ-H)_2(PbBr_4)_n在高工作温度下的热增强电阻开关性能:三唑/(PbBr_4)_n~(2n-)界面相互作用洞察
作者:
Kaiyue Song
;
Binjun Chen
;
Xiaoli LinHailong YangYue LiuYuanzheng LiuHaohong LiZhirong Chen
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
66.
Inkjet-Printed, Deep Subthreshold Operated Pseudo-CMOS Inverters with High Voltage Gain and Low Power Consumption
机译:
喷墨打印、深阈下操作的伪CMOS逆变器,具有高电压增益和低功耗
作者:
Jyoti Ranjan Pradhan
;
Manvendra Singh
;
Subho Dasgupta
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
67.
Implementing Complex Oxides for Efficient Room-Temperature Spin-Orbit Torque Switching
机译:
实现复杂的氧化物以实现高效的室温自旋轨道转矩切换
作者:
Aihua Tang
;
Teng Xu
;
Shengsheng LiuYuhan LiangHetian ChenDayu YanYouguo ShiPu YuRong YuYuanhua LinTianxiang NanWanjun JiangDi Yi
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
68.
Transport Spectroscopy of Ultraclean Tunable Band Gaps in Bilayer Graphene
机译:
双层石墨烯中超净可调带隙的传输光谱
作者:
Eike Icking
;
Luca Banszerus
;
Frederike WortcheFrank VolmerPhilipp SchmidtCorinne SteinerStephan EngelsJonas HesselmannMatthias GoldscheKenji WatanabeTakashi TaniguchiChristian VolkBernd BeschotenChristoph Stampfer
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
69.
Unraveling the Atomic Redox Process in Quantum Conductance and Synaptic Events for Neuromorphic Computing
机译:
揭示神经形态计算量子电导和突触事件中的原子氧化还原过程
作者:
Karthik Krishnan
;
Saranyan Vijayaraghavan
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
70.
Achieving Excellent Energy Storage Properties in Fine-Grain High-Entropy Relaxor Ferroelectric Ceramics
机译:
在细晶粒高熵松弛铁电陶瓷中实现优异的储能性能
作者:
Jian Guo
;
Wenrong Xiao
;
Xiaoyu ZhangJi ZhangJing WangGuangzu ZhangShan-Tao Zhang
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
71.
Demonstration of PdSe_2 CMOS Using Same Metal Contact in PdSe_2 n-/p-MOSFETs through Thickness-Dependent Phase Transition
机译:
演示PdSe_2 CMOS在PdSe_2 n-/p-MOSFET中使用相同的金属接触,通过与厚度相关的相变
作者:
Jae Eun Seo
;
Eunpyo Park
;
Tanmoy DasJoon Young KwakJiwon Chang
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
72.
Influence of Tetraphenylbenzene on the OFET Behavior of Triarylamines
机译:
四苯苯对三芳胺OFET行为的影响
作者:
Panneerselvam Devibala
;
Predhanekar Mohamed Imran
;
Nattamai S. P. BhuvaneshSamuthira Nagarajan
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
73.
Large Exchange Bias, High Dielectric Constant, and Outstanding Ionic Conductivity in a Single-Phase Spin Glass
机译:
Large Exchange Bias, High Dielectric Constant, and Outstanding Ionic Conductivity in a Single-Phase Spin Glass
作者:
Mohammad R. Ghazanfari
;
Archa Santhosh
;
Konrad SiemensmeyerFriederike FussLennart StaabJohannes C. VrijmoedBertram PetersMoritz LiesegangStefanie DehnenOliver OecklerPaul JerabekGunther Thiele
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
74.
Hydrogel-Based Real-Time Wireless Liquid Level Monitoring System for Size-Independent Infusion Bags
机译:
基于水凝胶的实时无线液位监测系统,用于不受尺寸影响的输液袋
作者:
Jonghwan Shin
;
Mingoo Lee
;
Dipti GuptaSunkook KimSrinivas Gandla
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
75.
π-Extended Zigzag-Shaped Diphenanthrene-Based p-Type Semiconductors Exhibiting Small Effective Masses
机译:
π延伸锯齿形二菲蒽基p型半导体,有效质量小
作者:
Masato Mitani
;
Shohei Kumagai
;
Craig P. YuAyako OiMasakazu YamagishiShuhei NishinagaHiroki MoriYasushi NishiharaDaisuke HashizumeTadanori KurosawaHiroyuki IshiiNobuhiko KobayashiJun TakeyaToshihiro Okamoto
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
76.
Ferromagnetic Order in Semiconducting Cr-Doped α-MnTe Nanosheets Grown by Chemical Vapor Deposition
机译:
化学气相沉积法生长的半导体Cr掺杂α-MnTe纳米片中的铁磁顺序
作者:
Zheshan Zhang
;
Xinyue Dong
;
Zhansheng GaoJiabiao ChenBing WangHuixia FuYaping DuFeng LuoJinxiong Wu
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
77.
Ferroelasticity Mediated Energy Conversion in Strained Perovskite Films
机译:
应变钙钛矿薄膜中铁弹性介导的能量转换
作者:
Yinan Jiao
;
Shengjian Qin
;
Bing LiWeizhong HaoYe WangHao LiZhanping YangDejun DongXiangyu LiJinjin Zhao
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
78.
Oxygen-Scavenging Effects of Added Ti Layer in the TiN Gate of Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Capacitor with Al-Doped HfO_2 Ferroelectric Film
机译:
Al掺杂HfO_2铁电薄膜金属-铁电-绝缘体-半导体电容器TiN栅极中Ti层添加的除氧效应
作者:
Yong Bin Lee
;
Beom Yong Kim
;
Hyeon Woo ParkSuk Hyun LeeMinsik OhSeung Kyu RyooIn Soo LeeSeungyong ByunDoosup ShimJae Hoon LeeHani KimKyung Do KimMin Hyuk ParkCheol Seong Hwang
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
79.
Forming-Free, Self-Compliance, Bipolar Multi-Level Resistive Switching in WO_(3-x) Based MIM Device
机译:
基于WO_(3x)的MIM器件中的免成型、自合规、双极性多电平电阻开关
作者:
Krishna Rudrapal
;
Gourab Bhattacharya
;
Venimadhav AdyamAyan Roy Chaudhuri
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
80.
A Comprehensive Categorization of Micro/Nanomechanical Resonators and Their Practical Applications from an Engineering Perspective: A Review
机译:
从工程角度看微纳力学谐振器及其实际应用的综合分类研究进展
作者:
Narjes Ghaemi
;
Amin Nikoobin
;
Mohammad Reza Ashory
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
81.
The Effect of Deposition Conditions on Heterointerface-Driven Band Alignment and Resistive Switching Properties
机译:
沉积条件对异质界面驱动能带对准和电阻开关特性的影响
作者:
Zhihua Yong
;
Mamidala Saketh Ram
;
Karl-Magnus PerssonGomathy Sandhya SubramanianLars-Erik WernerssonJisheng Pan
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
82.
2D Magnetic Heterostructures and Emergent Spintronic Devices
机译:
二维磁性异质结构和新兴自旋电子器件
作者:
Qinghua Hao
;
Hongwei Dai
;
Menghao CaiXiaodie ChenYuntong XingHongjing ChenTianyou ZhaiXia WangJun-Bo Han
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
83.
Nonvolatile Logic-in-Memory Computing based on Solution-Processed CuI Memristor
机译:
基于溶液处理CuI忆阻器的非易失性内存逻辑计算
作者:
Bochang Li
;
Wei Wei
;
Li LuoMing GaoZhi Gen YuSifan LiKah-Wee AngChunxiang Zhu
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
84.
Single Atom Selenium Substitution-Mediated P-Type Doping in Polythiophenes toward High-Performance Organic Electronics and Thermoelectrics
机译:
单原子硒取代介导的聚噻吩P型掺杂在高性能有机电子学和热电学中的应用
作者:
Chen Chen
;
Ian E. Jacobs
;
Cameron JellettXuechen JiaoJames F. PonderBoseok KangSeon Baek LeeYuxuan HuangLu ZhangMartin StatzYuanhui SunYue LinKeehoon KangXiaojian SheYuanyuan HuTao ZhangLang JiangChristopher R. McNeillIain McCullochHenning Sirringhaus
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第11期
85.
Surface Energy‐Mediated Self‐Catalyzed CsPbBr3 Nanowires for Phototransistors (Adv. Electron. Mater. 12/2022)
机译:
表面能介导的自催化CsPbBr3纳米线用于光电晶体管(Adv.母校。12/2022)
作者:
Dengji Li
;
You Meng
;
Yini ZhengPengshan XieXiaolin KangZhengxun LaiXiuming BuWei WangWeijun WangFurong ChenChuntai LiuChangyong LanSenPo YipJohnny C. Ho
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第12期
86.
Computational Associative Memory with Amorphous Metal‐Oxide Channel 3D NAND‐Compatible Floating‐Gate Transistors (Adv. Electron. Mater. 12/2022)
机译:
具有非晶态金属氧化物通道 3D NAND 兼容浮栅晶体管的计算关联存储器 (Adv. Electron.母校。12/2022)
作者:
Chen Sun
;
Chao Li
;
Subhranu SamantaKaizhen HanZijie ZhengJishen ZhangQiwen KongHaiwen XuZuopu ZhouYue ChenCheng ZhuoKai NiXunzhao YinXiao Gong
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第12期
87.
Doped Organic Micro‐Thermoelectric Coolers with Rapid Response Time (Adv. Electron. Mater. 12/2022)
机译:
具有快速响应时间的掺杂有机微热电冷却器(Adv.母校。12/2022)
作者:
Shu‐Jen Wang
;
Steve Wohlrab
;
Heiko ReithDietmar BergerHans KleemannKornelius NielschKarl Leo
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第12期
88.
Wafer‐Scale PLD‐Grown High‐κ GCZO Dielectrics for 2D Electronics (Adv. Electron. Mater. 12/2022)
机译:
用于 2D 电子的晶圆级 PLD 生长高 κ GCZO 电介质 (Adv. Electron.母校。12/2022)
作者:
Jing Yu
;
Guoyun Gao
;
Wei HanChangting WeiYueyang WangTianxiang LinTianyu ZhangZhi ZhengDong‐Keun KiHongyuan ZhangMan Ho NgHang LiuShuangpeng WangHao WangFrancis Chi‐Chung Ling
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第12期
89.
Shape‐Dependent Multi‐Weight Magnetic Artificial Synapses for Neuromorphic Computing (Adv. Electron. Mater. 12/2022)
机译:
用于神经形态计算的形状依赖性多权重磁人工突触 (Adv.母校。12/2022)
作者:
Thomas Leonard
;
Samuel Liu
;
Mahshid AlamdarHarrison JinCan CuiOtitoaleke G. AkinolaLin XueT. Patrick XiaoJoseph S. FriedmanMatthew J. MarinellaChristopher H. BennettJean Anne C. Incorvia
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第12期
90.
Stacked One‐Selector‐One‐Resistive Memory Crossbar Array With High Nonlinearity and On‐Current Density for the Neuromorphic Applications (Adv. Electron. Mater. 12/2022)
机译:
堆叠式单选择器单电阻存储器交叉阵列,具有高非线性和导通电流密度,适用于神经形态应用(Adv. Electron.母校。12/2022)
作者:
Hyo Cheon Woo
;
Jihun Kim
;
Sunwoo LeeHae Jin KimCheol Seong Hwang
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第12期
91.
Interface Trap‐Free, 100 Yield, Wafer‐Scale, Non‐Volatile Optically‐Guided Memory Array from Cumulatively‐Stacked Small Molecules/Fluoropolymer/Copper‐Oxide Nanoparticles Heterostructure (Adv. Electron. Mater. 12/2022)
机译:
界面无陷阱、100 良率、晶圆级、非易失性光学引导存储器阵列,来自累积堆叠的小分子/含氟聚合物/氧化铜纳米颗粒异质结构 (Adv. Electron.母校。12/2022)
作者:
Seongjae Kim
;
Juhyung Seo
;
Taehyun ParkHocheon Yoo
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第12期
92.
Ferroelectric Hafnium Oxide Films for In‐Memory Computing Applications
机译:
用于内存计算应用的铁电氧化铪薄膜
作者:
Zhenhai Li
;
Tianyu Wang
;
Jiajie YuJialin MengYongkai LiuHao ZhuQingqing SunDavid Wei ZhangLin Chen
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第12期
93.
An Efficient Training Methodology of Hardware Neural Network Based on Wafer‐Scale MoS2 Synaptic Array
机译:
一种基于晶片尺度MoS2突触阵列的硬件神经网络高效训练方法
作者:
Yuanyuan Cao
;
Jialin Meng
;
Qingxuan LiTianyu WangHao ZhuQingqing SunDavid Wei ZhangLin Chen
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第12期
94.
Low‐Voltage and High Thermal Stability Single‐Element Te Selector with Failed Bit Pruning Operation Enabling Robust Cross‐Point Memory
机译:
低电压、高热稳定性、单元件TE选择器,具有失败的位修剪操作,可实现稳健的交叉点存储器
作者:
Yaxin Ding
;
Junjie An
;
Jiabin ShenShujing JiaJingrui GuoLingfei WangTiancheng GongPengfei JiangYuan WangYuting ChenMin ZhuChunmeng DouQing Luo
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第12期
95.
Charge‐Density Wave Driven Giant Thermionic‐Current Switching in 1T‐TaS2/2H‐TaSe2/2H‐MoS2 Heterostructure
机译:
1T‐TaS2/2H‐TaSe2/2H‐MoS2异质结中电荷密度波驱动的巨热离子电流开关
作者:
Mehak Mahajan
;
Kausik Majumdar
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第12期
96.
Low‐Cost Fabricated MgSnO Electrolyte‐Gated Synaptic Transistor with Dual Modulation of Excitation and Inhibition
机译:
低成本制备的MgSnO电解质门控突触晶体管,具有激发和抑制双重调制
作者:
Biao Chen
;
Shangheng Sun
;
Shuangqing FanXuhai LiuQiang LiJie Su
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第12期
97.
Resistive Switching in Ag2Te Semiconductor Modulated by Ag+‐Ion Diffusion and Phase Transition
机译:
Ag+离子扩散和相变调制的Ag2Te半导体中的电阻开关
作者:
Anan Guo
;
Hui Bai
;
Qi LiangLiping FengXianli SuGustaaf Van TendelooJinsong Wu
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第12期
98.
Perpendicular Magnetization Switching Driven by Spin‐Orbit Torque for Artificial Synapses in Epitaxial Pt‐Based Multilayers
机译:
基于Pt的外延层中人工突触的自旋轨道转矩驱动的垂直磁化开关
作者:
Qiqi Zhang
;
Yunchi Zhao
;
Congli HeYuping HuoBaoshan CuiZengtai ZhuGuangyu ZhangGuoqiang YuBin HeYi ZhangHaochang LyuYaqin GuoJie QiShipeng ShenHongxiang WeiBaogen ShenShouguo Wang
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第12期
99.
All‐Printed Wearable Triboelectric Nanogenerator with Ultra‐Charged Electron Accumulation Polymers Based on MXene Nanoflakes
机译:
基于MXene纳米薄片的超带电电子积累聚合物全打印可穿戴摩擦电纳米发电机
作者:
Kyeong Nam Kim
;
So Young Kim
;
Seo Hyun ChoiMinbaek LeeWooseok SongJongsun LimSun Sook LeeSung Myung
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第12期
100.
Phase‐Controlled Artificial SiZnSnO/P(VDF‐TrFE) Synaptic Devices with a High Dynamic Range for Neuromorphic Computing
机译:
用于神经形态计算的高动态范围相控人工SiZnSnO/P(VDF‐TrFE)突触器件
作者:
Byeong Hyeon Lee
;
Ji Ye Lee
;
Akash KumarSang Yeol Lee
期刊名称:
《Advanced Electronic Materials》
|
2022年第12期
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