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Semiconductor Science and Technology
>1999年第9期
Semiconductor Science and Technology
SCI
EI
CA
中文名称:半导体科学与技术
ISSN:
0268-1242
出版周期:
发文量:231
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1.
SiGe virtual substrate N-channel heterojunction MOSFETs
机译:
SiGe虚拟衬底N沟道异质结MOSFET
作者:
A G ONeill
;
P Routley
;
P K Gurryt
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
2.
Investigation of defect levels in sem-insulating materials by modulated and transient photocurrent: comparison of methods
机译:
用调制光和瞬态光电流研究半绝缘材料中的缺陷水平:方法比较
作者:
C Longeaud
;
J P Kleider
;
P Kaminski
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
3.
Approaches to designing thermally stable Schottky contacts to n-GaN
机译:
设计与n-GaN热稳定的肖特基接触的方法
作者:
H S Venugopalan
;
S E Mohney
;
J M DeLucca
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
4.
A ballistic electron emission microscopy study of barrier height inhomogeneities introduced in Au/III-V semiconductor Schottky barrier contacts by chemical pretreatments
机译:
通过化学预处理在Au / III-V半导体肖特基势垒接触中引入的势垒高度不均匀性的弹道电子发射显微镜研究
作者:
G M Vanalmet
;
L Goubert
;
R L Van Meirhaeghe
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
5.
Total dose radiation effects of Pt/PZT/Pt ferroelectric capacitors fabricated by PLD method
机译:
PLD法制造的Pt / PZT / Pt铁电电容器的总剂量辐射效应
作者:
Jianxia Gao
;
Lirong Zheng
;
Biping Huang
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
6.
Diffusion currents and temperature field in bipolar semiconductors
机译:
双极半导体中的扩散电流和温度场
作者:
A Konin
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
7.
Spontaneous emission alteration in lnGaAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) structures
机译:
InGaAs / GaAs垂直腔表面发射激光器(VCSEL)结构中的自发发射变化
作者:
Yoshihiko Hanamaki
;
Hidefumi Akiyama
;
Yasuhiro Shiraki
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
8.
Characterization of thin titanium silicide films prepared by PASET and a conventional process
机译:
通过PASET和常规方法制备的硅化钛薄膜的表征
作者:
S Kal
;
B Umapathi
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
9.
Electron-phonon interaction in CdTe/CdMnTe/CdMgTe quantum wells
机译:
CdTe / CdMnTe / CdMgTe量子阱中的电子-声子相互作用
作者:
X F Wang
;
I C da Cunha Lima
;
A Troper
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
10.
Influence of the minimization of self-scattering events on the Monte Carlo simulation of carrier transport in III-V semiconductors
机译:
自散射事件最小化对III-V半导体中载流子传输的蒙特卡洛模拟的影响
作者:
J M Miranda
;
C Lin
;
M Shaalan
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
11.
Electron cooling times in PbTe Landau quantized wires and dots
机译:
PbTe Landau量化导线和点中的电子冷却时间
作者:
B N Murdin
;
C M Ciesla
;
P C Findlay
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
12.
Variable-range hopping transport in modulation-doped n-channel Si/Si(1-x)Ge_x quantum well structures
机译:
调制掺杂n通道Si / Si(1-x)Ge_x量子阱结构中的变程跳变传输
作者:
D-H Shin
;
C E Becker
;
J J Harris
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
13.
Molecular-beam-epitaxy-grown ZnSe/ZnTe high-reflectivity distributed Bragg reflectors
机译:
分子束外延生长的ZnSe / ZnTe高反射率分布式布拉格反射器
作者:
F C Peiris
;
S Lee
;
U Bindley
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
14.
Effect of the T-gate on the performance of recessed HEMTs. A Monte Carlo analysis
机译:
T型门对嵌入式HEMT性能的影响。蒙特卡洛分析
作者:
Javier Mateos
;
Tomas Gonzalez
;
Daniel Pardo
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
15.
Theoretical studies of the g factor of V~3+ in III-V semiconductors
机译:
III-V半导体中V〜3 +的g因子的理论研究
作者:
W-C Zheng
;
S-Y Wu
;
W Li
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
16.
Effect of surface recombination on the Early voltage in HBTs
机译:
表面重组对HBT中早期电压的影响
作者:
S-Y Chiu
;
A F M Anwar
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
17.
Photoluminescence spectra of Er~3+ -doped MgAl_2S_4 and CaAl_2S_4 single crystals
机译:
掺Er〜3 +的MgAl_2S_4和CaAl_2S_4单晶的光致发光光谱
作者:
S-K Oh
;
H-J Song
;
W-T Kim
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
18.
Non-trivial GR and 1/f noise generated in the p-Si layer of SOI and SOS MOSFETs near the inverted front or buried p-Si/SiO_2 interface
机译:
SOI和SOS MOSFET的p-Si层在反面或掩埋的p-Si / SiO_2界面附近产生的非平凡GR和1 / f噪声
作者:
N B Lukyanchikova
;
M V Petrichuk
;
N P Garbar
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
19.
A far infrared modulated photoluminescence (FlRM-PL) study of cyclotron resonance in a 2D electron gas in GaAs/AI_xGa_(1-x)As heterojunctions
机译:
GaAs / AI_xGa_(1-x)As异质结中二维电子气中回旋加速器共振的远红外调制光致发光(FlRM-PL)研究
作者:
C C Chang
;
R J Nicholas
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
20.
On the problem of the spontaneous exchange-driven electron interwell re-population in semiconductor quantum wells
机译:
关于半导体量子阱中自发交换驱动的电子阱重新填充的问题
作者:
A V Dmitriev
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
21.
Peculiarities of the exchange interaction in narrow-gap Hq_(1-x-y)Cd_xMn_ySe
机译:
窄间隙Hq_(1-x-y)Cd_xMn_ySe中交换相互作用的特殊性
作者:
W Hoerstel
;
W Kraak
;
W T Masselink
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
22.
Carrier capture into a GaAs quantum well with a separate confinement region: comment on quantum and classical aspects
机译:
载流子被捕获到具有单独限制区域的GaAs量子阱中:对量子和经典方面的评论
作者:
Martin Mogko
;
Karol Kdlna
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
23.
Effect of x-ray irradiation on the electrical characteristics of ultra-thin gate oxides
机译:
X射线辐射对超薄栅氧化物电学特性的影响
作者:
M Houssa
;
S De Gendt
;
P de Bokx
期刊名称:
《Semiconductor Science and Technology》
|
1999年第9期
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