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Journal of Materials Science. Materials in Electronics
>2008年第2期
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
SCI
EI
CA
中文名称:材料科学杂志。电子材料
ISSN:
0957-4522
出版周期:
1.020
发文量:13587
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1.
Atomic layer deposition of hafnium oxide dielectrics on silicon and germanium substrates
机译:
氧化ha电介质在硅和锗衬底上的原子层沉积
作者:
D. W. McNeill
;
S. Bhattacharya
;
H. Wadsworth
;
F. H. Ruddell
;
S. J. N. Mitchell
;
B. M. Armstrong
;
H. S. Gamble
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
2.
Double-polysilicon self-aligned lateral bipolar transistor
机译:
双多晶硅自对准横向双极晶体管
作者:
P. Pengpad
;
D. M. Bagnall
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
3.
Radiation damages of GaAlAs LEDs by 70-MeV proton and 2-MeV electron irradiation
机译:
70 MeV质子和2 MeV电子辐射对GaAlAs LED的辐射损伤
作者:
H. Ohyama
;
H. Shitogiden
;
K. Takakura
;
K. Shigaki
;
S. Kuboyama
;
C. Kamesawa
;
E. Simoen
;
C. Claeys
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
4.
Optical property and crystalline quarity of Si and Ge added β-Ga_2O_3 thin films
机译:
Si和Ge添加的β-Ga_2O_3薄膜的光学性质和晶体质量
作者:
K. Takakura
;
T. Kudou
;
K. Hayama
;
K. Shigaki
;
H. Ohyama
;
K. Kayamoto
;
M. Shibuya
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
5.
Anisotropic lattice coherency of GaAs nanocrystals deposited on Si(100) surface by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延沉积在Si(100)表面的GaAs纳米晶体的各向异性晶格相干性
作者:
Hiroyuki Usui
;
Hidehiro Yasuda
;
Hirotaro Mori
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
6.
Editorial
机译:
社论
作者:
Patrick McNally
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
7.
Degradation of SiC-MESFETs by irradiation
机译:
辐照降解SiC-MESFET
作者:
H. Ohyama
;
K. Takakura
;
K. Uemura
;
K. Shigaki
;
T. Kudou
;
T. Matsumoto
;
M. Arai
;
S. Kuboyama
;
C. Kamezawa
;
E. Simoen
;
C. Claeys
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
8.
GaN based high temperature strain gauges
机译:
GaN基高温应变片
作者:
V. Tilak
;
J. Jiang
;
P. Batoni
;
A. Knobloch
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
9.
Negative photoinduced current and negative differential characteristics of new optoelectronic sensors with InAs/GaAs nanostructure for visual recognition
机译:
具有InAs / GaAs纳米结构的新型光电传感器的负光感应电流和负微分特性,可用于视觉识别
作者:
Y. Matsui
;
Y. Miyoshi
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
10.
UV Raman spectroscopy of group IV nanocrystals embedded in a SiO_2 matrix
机译:
嵌入SiO_2基质的IV型纳米晶体的UV拉曼光谱。
作者:
A. C. Prieto
;
A. Torres
;
J. Jimenez
;
A. Rodriguez
;
J. Sangrador
;
T. Rodriguez
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
11.
In-situ optical reflectance and synchrotron X-ray topography study of defects in epitaxial dilute GaAsN on GaAs
机译:
GaAs上外延稀GaAsN缺陷的原位光反射和同步X射线形貌研究
作者:
O. Reentilae
;
A. Lankinen
;
M. Mattila
;
A. Saeynaetjoki
;
T. O. Tuomi
;
H. Lipsanen
;
L. OReilly
;
P. J. McNally
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
12.
Non-equilibrium Green's function method for modeling quantum electron transport in nano-scale devices with anisotropic multiband structure
机译:
各向异性多带结构纳米器件中量子电子传输建模的非平衡格林函数方法
作者:
Helmy Fitriawan
;
Matsuto Ogawa
;
Satofumi Souma
;
Tanroku Miyoshi
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
13.
Au agglomerates observed in the out-diffusion process of supersaturated high-temperature substitutional Au in Si
机译:
在Si中过饱和高温置换Au的扩散过程中观察到Au的团聚
作者:
M. Morooka
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
14.
In-line characterization of dielectric constant and leakage currents of low-k films with corona charge method
机译:
电晕电荷法在线表征低k膜的介电常数和漏电流
作者:
D. Fossati
;
C. Beitia
;
L. Plantier
;
G. Imbert
;
S. Passefort
;
M. Desbois
;
F. Volpi
;
J.-C. Royer
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
15.
Dislocations of ZnO single crystals examined by X-ray topography and photoluminescence
机译:
X射线形貌和光致发光检查ZnO单晶的位错
作者:
K. Yoshino
;
M. Yoneta
;
I. Yonenaga
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
16.
Si/SiGe near-infrared photodetectors grown using low pressure chemical vapour deposition
机译:
使用低压化学气相沉积法生长的Si / SiGe近红外光电探测器
作者:
P. Iamraksa
;
N. S. Lloyd
;
D. M. Bagnall
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
17.
Structural, optical and electrical characterization of undoped ZnMgO film grown by spray pyrolysis method
机译:
喷雾热解法制备未掺杂ZnMgO薄膜的结构,光电特性
作者:
K. Yoshino
;
S. Oyama
;
M. Yoneta
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
18.
Electrical studies on sputtered CuCl thin films
机译:
溅射CuCl薄膜的电学研究
作者:
Gomathi Natarajan
;
R. T. Rajendra Kumar
;
S. Daniels
;
D. C. Cameron
;
P. J. McNally
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
19.
Dislocations in GaAs p-i-n diodes grown by hydride vapour phase epitaxy
机译:
氢化物气相外延生长的GaAs p-i-n二极管中的位错
作者:
A. Saeynaetjoki
;
A. Lankinen
;
T. O. Tuomi
;
P. J. McNally
;
A. Danilewsky
;
Y. Zhilyaev
;
L. Fedorov
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
20.
High temperature assessment of nitride-based devices
机译:
氮化物基器件的高温评估
作者:
R. Cuerdo
;
J. Pedros
;
A. Navarro
;
A. F. Brana
;
J. L. Pau
;
E. Munoz
;
F. Calle
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
21.
Morphological, optical and electrical properties of γ CuCl deposited by vacuum evaporation
机译:
真空蒸发沉积γCuCl的形貌,光电特性
作者:
Francis Olabanji Lucas
;
A. Mitra
;
P. J. McNally
;
L. OReilly
;
S. Daniels
;
Gomathi Natarajan
;
K. Durose
;
Y. Y. Proskuryakov
;
D. C. Cameron
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
22.
Carrier lifetime analysis in thin gate oxide FD-SOI n-MOSFETs by gate-induced drain current transients
机译:
通过栅极感应的漏极电流瞬态分析薄栅氧化物FD-SOI n-MOSFET的载流子寿命
作者:
K. Hayama
;
K. Takakura
;
H. Ohyama
;
J. M. Rafi
;
A. Mercha
;
E. Simoen
;
C. Claeys
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
23.
Dislocations at the interface between sapphire and GaN
机译:
蓝宝石与GaN之间的界面处的位错
作者:
A. Lankinen
;
T. Lang
;
S. Suihkonen
;
O. Svensk
;
A. Saeynaetjoki
;
T. O. Tuomi
;
P. J. McNally
;
M. Odnoblyudov
;
V. Bougrov
;
A. N. Danilewsky
;
P. Bergman
;
R. Simon
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2008年第2期
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