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Journal of Materials Science. Materials in Electronics
>2005年第7期
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
SCI
EI
CA
中文名称:材料科学杂志。电子材料
ISSN:
0957-4522
出版周期:
1.020
发文量:13587
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1.
Raman study of the strain and H-2 preconditioning effect on self-assembled Ge island on Si (001)
机译:
拉曼研究Si(001)上自组装Ge岛的应变和H-2预处理效应
作者:
Xu L
;
McNally PJ
;
Dilliway GDM
;
Cowern NEB
;
Jeynes C
;
Mendoza E
;
Ashburn P
;
Bagnall DM
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2005年第7期
关键词:
GROWTH;
PHONONS;
DOTS;
2.
Synthesis and photoluminescence of ZnO nanowiresanorods
机译:
ZnO纳米线/纳米棒的合成与光致发光
作者:
Grabowska J
;
Nanda KK
;
McGlynn E
;
Mosnier JP
;
Henry MO
;
Beaucamp A
;
Meaney A
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2005年第7期
关键词:
OPTICAL-PROPERTIES;
ZINC-OXIDE;
GROWTH;
3.
Investigation of copper layers deposited by CVD using Cu(I)hfac(TMVS) precursor
机译:
使用Cu(I)hfac(TMVS)前驱体通过CVD沉积铜层的研究
作者:
Toh BHW
;
McNeill DW
;
Gamble HS
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2005年第7期
关键词:
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;
FILMS;
4.
Study of magnetic properties of thin cobalt films deposited by chemical vapour deposition
机译:
化学气相沉积沉积钴薄膜的磁性研究
作者:
Deo N
;
Bain MF
;
Montgomery JH
;
Gamble HS
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2005年第7期
5.
GaN reactive ion etching using SiCl4 : Ar : SF6 chemistry
机译:
使用SiCl4:Ar:SF6化学腐蚀GaN反应离子
作者:
Sillero E
;
Calle F
;
Sanchez-Garcia MA
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2005年第7期
关键词:
GALLIUM NITRIDE;
PLASMAS;
6.
Fabrication of p-type doped ZnO thin films using pulsed laser deposition
机译:
使用脉冲激光沉积制备p型掺杂ZnO薄膜
作者:
Duclere JR
;
OHaire R
;
Meaney A
;
Johnston K
;
Reid I
;
Tobin G
;
Mosnier JP
;
Guilloux-Viry M
;
McGlynn E
;
Henry MO
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2005年第7期
关键词:
HYBRID BEAM DEPOSITION;
OPTICAL-PROPERTIES;
BISMUTH OXIDE;
GROWTH;
BEHAVIOR;
LINBO3;
LAYERS;
7.
Tungsten work function engineering for dual metal gate nano-CMOS
机译:
双金属栅极纳米CMOS的钨功函数工程
作者:
Efavi JK
;
Mollenhauer T
;
Wahlbrink T
;
Gottlob HDB
;
Lemme MC
;
Kurz H
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2005年第7期
8.
Structural, optical and electrical characterization on ZnO film grown by a spray pyrolysis method
机译:
喷雾热解法生长ZnO薄膜的结构,光学和电学表征
作者:
Yoshino K
;
Fukushima T
;
Yoneta M
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2005年第7期
关键词:
THIN-FILMS;
TRANSPARENT;
9.
Structural and electrical characterization of AgInS2 thin films grown by single-source thermal evaporation method
机译:
单源热蒸发法制备AgInS2薄膜的结构和电学表征
作者:
Akaki Y
;
Kurihara S
;
Shirahama M
;
Tsurugida K
;
Kakeno T
;
Yoshino K
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2005年第7期
关键词:
SPRAY PYROLYSIS;
CHALCOPYRITE;
CUINSE2;
10.
Dislocation of high quality P-doped ZnTe substrate examined by X-ray topography
机译:
X射线形貌研究了高质量P掺杂ZnTe衬底的位错
作者:
Yoshino K
;
Kakeno T
;
Yoneta M
;
Yonenaga I
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2005年第7期
关键词:
TEMPERATURE-DEPENDENCE;
SINGLE-CRYSTALS;
SEMICONDUCTORS;
GROWTH;
ZNSE;
11.
Atomistic structure and strain relaxation in Czochralski-grown SixGe1-x bulk alloys
机译:
直拉生长SixGe1-x块状合金的原子结构和应变松弛
作者:
Yonenaga I
;
Sakurai MHF
;
Sluiter M
;
Kawazoe Y
;
Muto S
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2005年第7期
关键词:
MIXED-CRYSTALS;
BOND LENGTHS;
FILMS;
12.
Radiation damage of SiC Schottky diodes by electron irradiation
机译:
电子辐照对SiC肖特基二极管的辐射损伤
作者:
Ohyama H
;
Takakura K
;
Watanabe T
;
Nishiyama K
;
Shigaki K
;
Kudou T
;
Nakabayashi M
;
Kuboyama S
;
Matsuda S
;
Kamezawa C
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2005年第7期
关键词:
GAMMA-RAY IRRADIATION;
13.
Synchrotron X-ray topography study of defects in indium antimonide P-I-N structures grown by metal organic vapour phase epitaxy
机译:
金属有机气相外延生长的锑化铟P-I-N结构的同步X射线形貌研究
作者:
Riikonen J
;
Tuomi T
;
Lankinen A
;
Sormunen J
;
Saynatjoki A
;
Knuuttila L
;
Lipsanen H
;
McNally PJ
;
OReilly L
;
Danilewsky A
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2005年第7期
关键词:
RADIATION MEASUREMENTS;
INSB DETECTOR;
SILICON;
14.
Effects of high temperature electron irradiation on trench-IGBT
机译:
高温电子辐照对沟槽式IGBT的影响
作者:
Nakabayashi M
;
Ohyama H
;
Hanano N
;
Simoen E
;
Claeys C
;
Takakura K
;
Iwata T
;
Kudou T
;
Yoneoka M
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2005年第7期
关键词:
TRANSISTORS;
15.
Growth and characterisation of wide-bandgap, I-VII optoelectronic materials on silicon
机译:
硅上宽带隙I-VII光电材料的生长和表征
作者:
OReilly L
;
Natarajan G
;
McNally PJ
;
Cameron D
;
Lucas OF
;
Martinez-Rosas M
;
Bradley L
;
Reader A
;
Daniels S
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2005年第7期
关键词:
CUCL THIN-FILMS;
EXCITON LUMINESCENCE;
OPTICAL-PROPERTIES;
SINGLE CRYSTALS;
QUANTUM DOTS;
HALIDES;
DEPOSITION;
CHLORIDE;
16.
Body potential analysis of ultra thin gate oxide FD-SOI MOSFETs in accumulation mode operation
机译:
累积模式下超薄栅氧化物FD-SOI MOSFET的体电势分析
作者:
Hayama K
;
Takakura K
;
Ohyama H
;
Rafi MJ
;
Mercha A
;
Simoen E
;
Claeys C
期刊名称:
《Journal of Materials Science. Materials in Electronics》
|
2005年第7期
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