AlGalnAs/InP应变多量子阱激光器研究

摘要

该文分析和报道了高温无制冷激光器的结构及设计考虑，采用ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ材料所开发的应变多量子阱激光器，其垫垒和势阱间的导带偏移为ΔＥ〈，ｃ〉＝０．７２ΔＥ〈，ｇ〉，比ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ材料系的大，所以能有效地阻止高温下载流子的泄露，提高量子效率，从而改善高温特性。