平行耦合四量子点体系自旋相关的Fano效应

摘要

研究了平行耦合四量子点体系的自旋相关的Fano效应。量子点1、3和量子点2、4之间的耦合强度取定值，当量子点1、2之间的耦合强度很小时，对其输运性质基本不产生影响。量子点1、2间的耦合强度增大时，多通道间的量子相干会导致电导谱中出现Fano峰。