本文献为外文文献的中文摘要页面,您获取的文献为外文文献,点击返回原页面
【摘要】不断减少300mm IC制造中的缺陷的需求正在推动工艺工程师检查化学涂覆工艺的各个方面以进行改进。从历史上看,通过仔细控制“虚拟点胶”以将光致抗蚀剂保持在尖端“新鲜”并去除任何固化的材料,已将光致抗蚀剂施加喷嘴的缺陷贡献降至最低,预防性维护方案包括定期清洁或更换喷嘴,并依赖于喷嘴存储块内的溶剂池,以防止光刻胶在喷嘴尖端凝固。行业标准在大多数情况下都运行良好,但是在成本效益和绝对缺陷消除方面存在局限性。在这项研究中,我们研究了化学喷嘴的直接清洗,以减少在涂层晶片上看到的缺陷。提供了有关如何直接清洗化学分配喷嘴的数据,以减少涂料相关的缺陷,减少“虚拟分配”的材料成本,并减少与喷嘴清洁或更换相关的设备停机时间。
【作者】Michael Linnane;George Mack;Christopher Longstaff;Thomas Winter;
【作者单位】IBM Corporation, 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY, USA 12533-3507;
【年(卷),期】2006(),
【年度】2006
【页码】P.61533D.1-61533D.9
【总页数】9
【原文格式】PDF
【正文语种】eng
【中图分类】TN304;