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【摘要】高分辨率电子束光刻对任何合适的抗蚀剂都提出了严格的限制,即需要使用非常薄的层才能获得最高的分辨率,同时又具有对等离子体蚀刻的合适抵抗力。小分子尺寸也是降低线边缘粗糙度的有趣途径,但会导致阈值曝光剂量增加。当前可用的几种抗蚀剂覆盖从高分辨率到高灵敏度的范围。使用QSR-5™抗蚀剂表现出的一个有趣的特性是基材的贴合性。这种热蒸发的抗蚀剂的厚度可控制到30 nm,表面粗糙度小于2 nm,可以沉积到非常小的表面上。在本文中,我们将介绍以适合高速场效应器件的构图对该抗蚀剂进行构图的结果。在硅衬底上制备300nm厚的氮化硅膜。然后使用焦耳效应热蒸发器以粉末状态将抗蚀剂分两步沉积QSR-5™抗蚀剂。在沉积30 nm的抗蚀剂之后,将衬底翻转过来,并沉积第二个相同的层。在反转过程中将膜从真空中移出。光刻步骤在沉积步骤之后,并且使用场发射枪SEM进行,该场发射枪SEM被转换为以20keV的束能量操作的电子束光刻。特征尺寸范围从45 nm到130 nm的测试图案已成功曝光。该方法的优点在于,在抗蚀剂的两侧都可获得图案之间的完美对准。
【作者】Jacques Beauvais;Prasad Kelkar;Eric Lavallee;Dominique Drouin;Kien Mun Lau;
【作者单位】Dept. of Electrical Engineering, Universite de Sherbrooke, Sherbrooke, Qc, Canada, J1K 2R1;
【年(卷),期】2006(),
【年度】2006
【页码】P.615348.1-615348.8
【总页数】8
【原文格式】PDF
【正文语种】eng
【中图分类】TN304;