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【摘要】新型高灵敏度固态磁阻(MR)传感器技术在无损评估(NDE)系统中具有显着优势。 MR传感器的主要优势在于其平坦的频率响应范围从dc扩展到数百MHz,这使其特别适用于低频和多频涡流检测以进行深缺陷检测和深度剖析。 MR传感器是通过类似于集成电路制造的薄膜加工技术批量生产的,大大降低了每个传感器的成本。该制造工艺与硅电路技术兼容,从而允许传感器与片上信号处理集成。 MR传感器可以很容易地制成密集阵列,以进行大面积的快速单次扫描。这些固态磁传感器的小尺寸和低功耗使其能够在各种基板上以及芯片上的传感器阵列上组装紧凑的传感器阵列。已制造出传感器间距小至5μm的阵列。本文介绍了MR传感器的最新技术及其在NDE中的应用。讨论了三种主要类型的MR器件的物理原理,制造工艺和性能特征,分别是各向异性磁阻(AMR),巨磁阻(GMR)和隧穿磁阻(TMR)。将其性能与其他用于NDE应用的磁传感器技术进行了比较。最后,我们提供了有关MR传感器NDE应用的文献的全面综述。
【作者】Albrecht Jer;Carl Smith;Robert Schneider;
【作者单位】Oregon State University, 220 Owen Hall, Corvallis, OR, USA 97331;
【年(卷),期】2005(),
【年度】2005
【页码】P.1-13
【总页数】13
【原文格式】PDF
【正文语种】eng
【中图分类】TP212.9;
【关键词】无损评估磁阻多频涡流;