本文献为外文文献的中文摘要页面，您获取的文献为外文文献，点击返回原页面
【摘要】交替相移掩模（APSM）技术有助于缩小光刻波长和最小特征图案之间的巨大差距，特别是英特尔65 nm技术中35 nm栅极长度（1x）的多义线。制作APSM掩模的关键步骤之一是将第二级抗蚀剂图案化到设计公差范围内，以使零相孔受到抗蚀剂的保护，而pi相孔将为石英蚀刻敞开。使第二级与第一级二进制图案对齐的能力，即第二级覆盖能力非常重要，因此准确测量覆盖层的能力也很重要。较差的覆盖可能会导致石英蚀刻后发生所谓的侵蚀，从而在pi孔中产生不希望的石英凸块，或者在零孔中产生不希望的石英凹坑。本文提出了一种简单，低成本的光学装置，用于APSM掩模的大批量制造（HVM）中的第二级DC（显影检查）覆盖测量。通过消除与TIS和MIS相关的覆盖中的系统误差（工具引起的偏移和掩模工艺引起的偏移），表明该设置能够支持DC覆盖的测量，公差小至+/- 25 nm 。讨论了突出的问题，例如DC覆盖误差分量分析，DC-FC（最终检查）覆盖相关性和覆盖线性度（外围设备与独立设备）。
【作者】Jian Ma；Ke Han；Kyung Lee；Yulia Korobko；Mary Silva；Joas Chavez；Brian Irvine；Sven Henrichs；Kishore Chakravorty；Robert Olshausen；Mahesh Chramouli；Bobby Mammen；Ramaswamy Padmanaban；
【作者单位】Intel Mask Operation, Intel Corporation, SC2-12, 2200 Mission College Blvd, Santa Clara, CA 95052;
【年(卷),期】2005(),
【年度】2005
【页码】P.59921P.1-59921P.10
【总页数】10
【原文格式】PDF
【正文语种】eng
【中图分类】TN305.7;
