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【摘要】在本文中，我们将从用户的角度描述反光刻技术（ILT）与光学邻近校正（OPC）的不同之处。我们展示了在90nm和65nm半导体节点上的仿真和实验结果，并在生产环境中比较了ILT生成的掩模和OPC生成的掩模用于实际布局的情况。此外，我们讨论了与ILT生成的蒙版的复杂性和可制造性有关的问题。
【作者】Jonathan Ho；Yan Wang；Xin Wu；Wolfgang Leitermann；Benjamin Lin；Ming Feng Shieh；Jie-wei Sun；Orson Lin；Jason Lin；Yong Liu；Linyong Pang；
【作者单位】Xilinx Inc., USA;
【年(卷),期】2005(),
【年度】2005
【页码】P.59921Z.1-59921Z.8
【总页数】8
【原文格式】PDF
【正文语种】eng
【中图分类】TN305.7;
