【24h】DUV暴露对标线修复的影响

【摘要】

【期刊名称】

【会议名称】 25th Annual BACUS Symposium on Photomask Technology pt.1

【会议地点】MontereyCA(US)

【作者】Vikram L. Tolani；Scott Chegwidden；Edgar C. Buenconsejo；Daniel Tanzil；Daniel J. Bald；

【作者单位】Intel Corporation, 2200 Mission College Blvd., Santa Clara, CA 95052;

【授予单位】

【学科】

【学位】

【授予单位】Intel Corporation, 2200 Mission College Blvd., Santa Clara, CA 95052;

【学科】

【授予学位】

【导师姓名】

【发表时间】

【会议组织】

【会议召开年】2005

【年(卷),期】2005(),

【年度】2005

【页码】P.59921A.1-59921A.6

【总页数】6

【原文格式】PDF

【正文语种】eng

【中图分类】TN305.7;

【关键词】曝光; DUV; FIB;聚焦离子束;修复;缺陷;过喷;光晕;碳;沉积;光罩;光掩模；