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1995 IEEE Hong Kong electron devices meeting
1995 IEEE Hong Kong electron devices meeting
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1.
Determination of Optimal Solder Volume for Precision Self-Alignment of BGA using Flip-Chip Bonding
机译:
倒装芯片键合确定BGA精确自对准的最佳焊锡量
作者:
Patrick J. Nasiatka
;
Zaheed S. Karim
会议名称:
《1995 IEEE Hong Kong electron devices meeting》
|
1995年
2.
Photoluminescent Porous Polycrystalline Silicon
机译:
光致发光多孔多晶硅
作者:
P.G. Han
;
M.C. Poon
;
K.O. Sin
;
M. Wong
会议名称:
《1995 IEEE Hong Kong electron devices meeting》
|
1995年
3.
Study on Selectivity Enhancement of Tin Dioxide Gas Sensor Using Non-conducting Polymer Membrane
机译:
非导电聚合物膜增强二氧化锡气体传感器选择性的研究
作者:
Kenneth K. L. Wong
;
Zhenan Tang
;
Johnny K. O. Sin
;
Philip C. H. Chan
;
Peter W. Cheung
;
Hiroyuki Hiraoka
会议名称:
《1995 IEEE Hong Kong electron devices meeting》
|
1995年
4.
Two Photon Absorption InGaAsP Waveguide Autocorrelator for Pulsewidth Measurement of Low Power 1.55μm Wavelength Pulses
机译:
用于低功率1.55μm波长脉冲的脉冲宽度测量的两个光子吸收InGaAsP波导自相关器
作者:
L.Y.Chan
;
H.K.Tsang
会议名称:
《1995 IEEE Hong Kong electron devices meeting》
|
1995年
5.
Hot Electron-Induced MOS Transconductance Degradation
机译:
热电子感应MOS跨导降级
作者:
K. L. Yip
;
H. Wong
;
Y. C. Cheng
会议名称:
《1995 IEEE Hong Kong electron devices meeting》
|
1995年
6.
Off-State Gate Leakage Current in N-Channel MOSFET's with Gate Dielectrics Prepared by Different Techniques
机译:
采用不同技术制备的带有栅介质的N沟道MOSFET的关态栅极漏电流
作者:
Zeng Xu
;
P. T. Lai
;
W. T. Ng
会议名称:
《1995 IEEE Hong Kong electron devices meeting》
|
1995年
7.
Dynamic Response of Buried Heterostructure and Stripe Geometry λ/4 DFB Semiconductor Lasers
机译:
埋入异质结构和条纹几何λ/ 4 DFB半导体激光器的动态响应
作者:
Y.L. Ling
;
S.F. Yu
;
E.H. Li
会议名称:
《1995 IEEE Hong Kong electron devices meeting》
|
1995年
8.
A Theoretical study on high power generation from double taper-ed semiconductor laser by using modified beam-propagation method
机译:
改进的光束传播方法对双锥度半导体激光器高功率产生的理论研究
作者:
Ziping Jiang
;
H.K. Tsang
;
M.W. McCall
会议名称:
《1995 IEEE Hong Kong electron devices meeting》
|
1995年
9.
A New Model of Intersecting Waveguide Switches Using Coupled Mode Theory
机译:
耦合模式理论的相交波导开关新模型
作者:
H. Feng
;
K.T.Chan
;
C.P.Leung
;
K.H.Chiu
;
M.H.Wang
会议名称:
《1995 IEEE Hong Kong electron devices meeting》
|
1995年
10.
Furnace and RTA annealing of sputtered silicon oxide
机译:
溅射氧化硅的炉和RTA退火
作者:
Emil V. Jelenkovic
;
K.Y. Tong
会议名称:
《1995 IEEE Hong Kong electron devices meeting》
|
1995年
11.
Fabry Perot Semiconductor Lasers with Periodic Diffused Quantum Wells Structure
机译:
具有周期性扩散量子阱结构的Fabry Perot半导体激光器
作者:
C.W. Lo
;
S.F. Yu
;
E. H. Li
会议名称:
《1995 IEEE Hong Kong electron devices meeting》
|
1995年
12.
Numerical Simulation of SPIR Detectors
机译:
SPIR探测器的数值模拟
作者:
Nam-Hong Jo
;
Sang-Dong Yoo
;
Byung-Seob Cho
;
Hyeong-Rae Kim
;
Kae-Dal Kwack
;
Sang-Don Lee
;
Hong-Kuk Kim
;
Jae-Mook Kim
会议名称:
《1995 IEEE Hong Kong electron devices meeting》
|
1995年
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