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Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing
Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing
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1.
Analysis of dynamic impatt oscillations caused by radiation induced deep centers
机译:
辐射引起的深中心引起的动态冲击振荡分析
作者:
Siemieniec R.
;
Lutz J.
;
Herzer R.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
2.
Simulator-independent capacitance macro model for power DMOS transistors
机译:
功率DMOS晶体管的与仿真器无关的电容宏模型
作者:
Pawel S.
;
Kusano H.
;
Nakamura Y.
;
Teich W.
;
Terashima T.
;
Netzel M.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
3.
System integration: thermal aspects of chip utilization of power devices
机译:
系统集成:功率器件芯片利用率的散热方面
作者:
Reimann T.
;
Franke U.
;
Petzoldt J.
;
Krummer R.
;
Lorenz L.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
4.
A 600V quick punch through (QPT) IGBT design concept for reducing EMI
机译:
600V快速穿通(QPT)IGBT设计概念可降低EMI
作者:
Yedinak J.
;
Gladish J.
;
Brockway B.
;
Shekhawat S.
;
Shenoy P.
;
Lange D.
;
Dolny G.
;
Rinehimer M.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
5.
A PT-IGBT with a p-+ buffer layer
机译:
具有p- / n +缓冲层的PT-IGBT
作者:
Ishiko M.
;
Kawaji S.
;
Nishiwaki K.
;
Ohnishi T.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
6.
A new 600V PT-IGBT for the improved avalanche energy by employing the floating p-well
机译:
一种新型600V PT-IGBT,采用浮置p阱可改善雪崩能量
作者:
Soo-Seong Kim
;
Chong-Man Yun
;
Yearn-Ik Choi
;
Min-Koo Han
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
7.
A unified hot carrier degradation model for integrated lateral and vertical nDMOS transistors
机译:
集成的横向和纵向nDMOS晶体管的统一热载流子退化模型
作者:
Moens P.
;
Van den bosch G.
;
Groeseneken G.
;
Bolognesi D.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
8.
A high voltage CMOS ADSL line driver
机译:
高压CMOS ADSL线路驱动器
作者:
Ghosh K.K.
;
Salama C.A.T.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
9.
Reliability and thermal performance of IGBT plastic modules for the More Electric Aircraft
机译:
用于更多电动飞机的IGBT塑料模块的可靠性和热性能
作者:
Newcombe D.R.
;
Coulbeck L.
;
Dessiatoun S.
;
Ivakhnenko I.
;
Sawata T.
;
Holme M.G.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
10.
Optimized device concepts for reverse blocking IGBTs
机译:
反向阻断IGBT的优化器件概念
作者:
Kapels H.
;
Drucke D.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
11.
Short circuit properties of Trench-/Field-Stop-IGBTs-design aspects for a superior robustness
机译:
沟槽/场停止IGBT的短路特性-设计方面具有出色的鲁棒性
作者:
Laska T.
;
Miller G.
;
Pfaffenlehner M.
;
Turkes P.
;
Berger D.
;
Gutsmann B.
;
Kanschat P.
;
Munzer M.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
12.
ISPSD'03. 2003 IEEE 15th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs Proceedings (Cat. No.03CH37456)
机译:
ISPSD'03。 2003 IEEE第15届国际功率半导体器件和IC会议论文集(目录号03CH37456)
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
13.
Recent developments in compound semiconductor microwave power technology
机译:
化合物半导体微波功率技术的最新发展
作者:
Snowden C.M.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
14.
Optimization of LDMOS array design for SOA and hot carrier lifetime
机译:
针对SOA和热载流子寿命的LDMOS阵列设计优化
作者:
Strachan A.
;
Brisbin D.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
15.
Applying DMOSTs, diodes and thyristors above and below substrate in thin-layer SOI
机译:
在薄层SOI中在衬底上方和下方应用DMOST,二极管和晶闸管
作者:
Swanenberg M.J.
;
Ludikhuize A.W.
;
Grakist A.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
16.
The Earth is mobile-power
机译:
地球是移动电源
作者:
Efland T.R.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
17.
Record-low 4 mΩ·mm
2
specific on-resistance for 20V trench MOSFETs
机译:
20V沟槽MOSFET的创纪录低4mΩ·mm
2 sup>导通电阻
作者:
in t Zandt M.A.A.
;
Hijzen E.A.
;
Hueting R.J.E.
;
Koops G.E.J.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
18.
Highly reliable p-LDMOSFET with an uneven racetrack source for PDP driver IC applications
机译:
高度可靠的p-LDMOSFET,具有不均匀的赛道源,适用于PDP驱动器IC应用
作者:
Tae Moon Roh
;
Dae Woo Lee
;
Sang-Gi Kim
;
Il-Yong Park
;
Sung Ku Kwon
;
Yil Suk Yang
;
Byoung Gon Yu
;
Jongdae Kim
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
19.
Cost-effective approach in LDMOS with partial 0.35μm design into conventional 0.6μm process
机译:
采用部分0.35μm设计到传统0.6μm工艺的LDMOS中具有成本效益的方法
作者:
Kubota T.
;
Watanabe K.
;
Karouji K.
;
Ueno M.
;
Anai Y.
;
Kawaguchi Y.
;
Nakagawa A.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
20.
Sub-millisecond energy handling capability improvement of IC power devices with thick copper metallization
机译:
厚铜金属化IC电源设备的亚毫秒级能量处理能力改进
作者:
Alagi F.
;
Labate L.
;
Andreini A.
;
Contiero C.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
21.
A 2 GHz, 60V-class, SOI power LDMOSFET for base station applications
机译:
适用于基站应用的2 GHz,60V级SOI功率LDMOSFET
作者:
Hongfei Lu
;
Salama A.T.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
22.
Geometry effect on power and ESD capability of LDMOS power devices
机译:
几何形状对LDMOS功率器件的功率和ESD能力的影响
作者:
Young Chung
;
Besse P.
;
Zecri M.
;
Baird B.
;
Ida R.
;
Nolhier N.
;
Bafleur M.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
23.
Reliability of CoolMOS™ under extremely hard repetitive electrical working conditions
机译:
CoolMOS™在极端艰苦的重复电气工作条件下的可靠性
作者:
Saint-Eve F.
;
Lefebvre S.
;
Khatir Z.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
24.
Ultra low on-resistance Super 3D MOSFET
机译:
超低导通电阻超级3D MOSFET
作者:
Yamaguchi H.
;
Suzuki N.
;
Sakakibara J.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
25.
The impact of sub-threshold current on ultra high density trench MOSFET for synchronous rectifier application
机译:
亚阈值电流对同步整流器应用中超高密度沟槽MOSFET的影响
作者:
Sun N.X.
;
Huang A.Q.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
26.
Stacked high voltage switch based on SiC VJFETs
机译:
基于SiC VJFET的堆叠式高压开关
作者:
Friedrichs P.
;
Mitlehner H.
;
Schorner R.
;
Dohnke K.-O.
;
Elpelt R.
;
Stephani D.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
27.
Advanced electro-thermal SPICE modeling of large power IGBTs
机译:
大功率IGBT的高级电热SPICE建模
作者:
Azar R.
;
Udrea F.
;
Ng W.T.
;
Dawson F.
;
Findlay W.
;
Waind P.
;
Amaratunga G.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
28.
Dual Gate Lateral Inversion Layer Emitter Transistor for power and high voltage integrated circuits
机译:
用于功率和高压集成电路的双栅极横向反转层发射极晶体管
作者:
Udugampola U.N.K.
;
McMahon R.A.
;
Udrea F.
;
Sheng K.
;
Amaratunga G.A.J.
;
Narayanan E.M.S.
;
Hardikar S.
;
De Souza M.M.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
29.
High-speed 600V NPT-IGBT with unclamped inductive switching (UIS) capability
机译:
具有非钳位电感开关(UIS)功能的高速600V NPT-IGBT
作者:
Yamaguchi M.
;
Omura I.
;
Urano S.
;
Ogura T.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
30.
Method for electrical detection of bond wire lift-off for power semiconductors
机译:
功率半导体中键合线剥离的电气检测方法
作者:
Lehmann J.
;
Netzel M.
;
Herzer R.
;
Pawel S.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
31.
Advanced thin wafer IGBTs with new thermal management solution
机译:
具有新型热管理解决方案的高级薄晶圆IGBT
作者:
Otsuki M.
;
Kanemaru H.
;
Ikeda Y.
;
Ueno K.
;
Kirisawa M.
;
Onozawa Y.
;
Seki Y.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
32.
FieldStop IGBT with MOS-like (tailless) turn-off
机译:
FieldStop IGBT,具有类似于MOS的(无尾)关断功能
作者:
Husken H.
;
Stuckler F.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
33.
3.6 mΩcm
2
, 1726V 4H-SiC normally-off trenched-and-implanted vertical JFETs
机译:
3.6mΩcm
2 sup>,1726V 4H-SiC常关沟槽和注入垂直JFET
作者:
Zhao J.H.
;
Tone K.
;
Li X.
;
Alexandrov P.
;
Fursin L.
;
Weiner M.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
34.
Improving the CoolMS™ body-diode switching performance with integrated Schottky contacts
机译:
通过集成的肖特基触点改善CoolMS™体二极管的开关性能
作者:
Xu Cheng
;
Xing-Ming Liu
;
Sin J.K.O.
;
Bao-Wei Kang
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
35.
Development of a robust 50V 0.35 μm based Smart Power Technology using trench isolation
机译:
利用沟槽隔离开发基于鲁棒的50V 0.35μm的智能电源技术
作者:
De Pestel F.
;
Moens P.
;
Hakim H.
;
De Vleeschouwer H.
;
Reynders K.
;
Colpaert T.
;
Colson P.
;
Coppens P.
;
Boonen S.
;
Bolognesi D.
;
Tack M.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
36.
Novel automated optimization of power MOSFET for 12V input, high-frequency DC-DC converter
机译:
针对12V输入,高频DC-DC转换器的功率MOSFET的新型自动优化
作者:
Yuming Bai
;
Huang A.Q.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
37.
Ultra low Cout×Ron photo-relay using depleted drift layer in thin film SOI
机译:
薄膜SOI中使用耗尽漂移层的超低Cout×Ron光继电器
作者:
Kitagawa M.
;
Kawamura K.
;
Furukawa K.
;
Kuramochi N.
;
Nakagawa A.
;
Aizawa Y.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
38.
Measurements and simulations of self-heating and switching with 4H-SiC power BJTs
机译:
4H-SiC功率BJT自热和切换的测量和模拟
作者:
Domeij M.
;
Danielsson E.
;
Liu W.
;
Zimmermann U.
;
Zetterling C.-M.
;
Ostling M.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
39.
Author's Index
机译:
作者索引
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
40.
600V-IGBT3: trench field stop technology in 70 μm ultra thin wafer technology
机译:
600V-IGBT3:70μm超薄晶圆技术中的沟槽场截止技术
作者:
Ruething H.
;
Umbach F.
;
Hellmund O.
;
Kanschat P.
;
Schmidt G.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
41.
Realization of vertical P
+
walls through-wafer for bi-directional current and voltage power integrated devices
机译:
双向电流和电压功率集成设备的垂直P
+ sup>穿墙晶片的实现
作者:
Sanchez J.-L.
;
Scheid E.
;
Austin P.
;
Breil M.
;
Carriere H.
;
Dubreuil P.
;
Imbernon E.
;
Rossel F.
;
Rousset B.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
42.
Deep trench terminations using ICP RIE for ideal breakdown voltages
机译:
使用ICP RIE的深沟槽终端可实现理想的击穿电压
作者:
Chanho Park
;
Jinmyung Kim
;
Taehoon Kim
;
Kim D.J.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
43.
170V Super Junction - LDMOST in a 0.5 μm commercial CMOS/SOS technology
机译:
170V超级结-采用0.5μm商业CMOS / SOS技术的LDMOST
作者:
Nassif-Khalil S.G.
;
Salama C.A.T.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
44.
High performance SCRs for on-chip ESD protection in high voltage BCD processes
机译:
高性能SCR,用于高压BCD工艺中的片上ESD保护
作者:
Vashchenko V.A.
;
Concannon A.
;
ter Beek M.
;
Hopper P.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
45.
Electrical properties of super junction p-n diodes fabricated by trench filling
机译:
沟槽填充法制备的超结p-n二极管的电性能
作者:
Yamauchi S.
;
Hattori Y.
;
Yamaguchi H.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
46.
A 2GHz 160V complementary silicon-on-insulator process for high-bandwidth amplification
机译:
2GHz 160V绝缘体上互补硅工艺,用于高带宽放大
作者:
Letavic T.
;
Albu R.
;
Petruzzello J.
;
Govil A.
;
Simpson M.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
47.
Lifetime modeling of thermomechanics-related failure mechanisms in high power IGBT modules for traction applications
机译:
用于牵引应用的大功率IGBT模块中与热力学相关的故障机制的寿命模型
作者:
Ciappa M.
;
Carbognani F.
;
Fichtner W.
会议名称:
《》
|
1997年
48.
Anode-gated MOS controlled thyristor with ultra-fast switching capability
机译:
具有超快开关能力的阳极栅极MOS控制晶闸管
作者:
Luther-King N.
;
Sweet M.
;
Spulber O.
;
Vershinin K.
;
De Souza M.M.
;
Narayanan E.M.S.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
49.
A material innovation for the electronic industry: float zone single crystal silicon with 200mm diameter
机译:
电子行业的材料创新:直径200mm的浮区单晶硅
作者:
Altmannshofer L.
;
Grundner M.
;
Virbulis J.
;
Hage J.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
50.
New anode design concept of 600V thin wafer PT-IGBT with very low dose p-buffer and transparent p-emitter
机译:
具有非常低剂量的p缓冲器和透明p发射极的600V薄晶圆PT-IGBT的新阳极设计概念
作者:
Matsudai T.
;
Tsukuda M.
;
Umekawa S.
;
Tanaka M.
;
Nakagawa A.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
51.
High-power AlGaN/GaN HFET with a lower on-state resistance and a higher switching time for an inverter circuit
机译:
大功率AlGaN / GaN HFET,具有较低的导通电阻和较长的逆变器电路切换时间
作者:
Yoshida S.
;
Li J.
;
Wada T.
;
Takehara H.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
52.
600V semi-superconjunction MOSFET
机译:
600V半超结MOSFET
作者:
Saito W.
;
Omura I.
;
Aida S.
;
Koduki S.
;
Izumisawa M.
;
Ogura T.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
53.
A self-isolated CDMOS technology for the integration of multichannel surge protection circuits
机译:
一种自隔离CDMOS技术,用于集成多通道电涌保护电路
作者:
Yoshida K.
;
Kiuchi S.
;
Minoya Y.
;
Ichimura T.
;
Yaezawa N.
;
Saitoh R.
;
Furuhata S.
;
Fujihira T.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
54.
Innovative metal system for IGBT press pack modules
机译:
IGBT压装模块的创新金属系统
作者:
Gunturi S.
;
Assal J.
;
Schneider D.
;
Eicher S.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
55.
Electrical and mechanical package design for 4.5kV ultra high power IEGT with 6kA turn-off capability
机译:
具有6kA关断能力的4.5kV超高功率IEGT的电气和机械封装设计
作者:
Omura I.
;
Domon T.
;
Miyake E.
;
Sakiyama Y.
;
Ogura T.
;
Hiyoshi M.
;
Yamano N.
;
Ohashi H.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
56.
13-kV rectifiers: studies on diodes and asymmetric thyristors
机译:
13 kV整流器:二极管和非对称晶闸管的研究
作者:
Niedernostheide F.-J.
;
Schulze H.-J.
;
Kellner-Werdehausen U.
;
Barthelmess R.
;
Przybilla J.
;
Keller R.
;
Schoof H.
;
Pikorz D.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
57.
Recent progress in SiC power device developments and application studies
机译:
SiC功率器件开发和应用研究的最新进展
作者:
Sugawara Y.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
58.
30V new fine trench MOSFET with ultra low on-resistance
机译:
具有超低导通电阻的30V新型细沟槽MOSFET
作者:
Ono S.
;
Kawaguchi Y.
;
Nakagawa A.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
59.
High-voltage accumulation-mode lateral RESURF GaN MOSFETs on SiC substrate
机译:
SiC衬底上的高压累积模式横向RESURF GaN MOSFET
作者:
Matocha K.
;
Chow T.P.
;
Gutmann R.J.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
60.
A novel trench concept for the fabrication of compensation devices
机译:
用于补偿装置制造的新型沟槽概念
作者:
Rub M.
;
Ahlers D.
;
Baumgartl J.
;
Deboy G.
;
Friza W.
;
Haberlen O.
;
Steinigke I.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
61.
A low on resistance 700V charge balanced LDMOS with intersected WELL structure
机译:
具有相交的WELL结构的低电阻700V电荷平衡LDMOS
作者:
Kim M.H.
;
Kim J.J.
;
Choi Y.S.
;
Jeon C.K.
;
Kim S.L.
;
Kang H.S.
;
Song C.S.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
62.
SOI high voltage power FET with an internal voltage (current) sensing terminal
机译:
具有内部电压(电流)感测端子的SOI高压功率FET
作者:
Petruzzello J.
;
Letavic T.
;
Dufort B.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
63.
A novel high side FET with reduced switching losses
机译:
具有降低开关损耗的新型高端FET
作者:
Peake S.T.
;
Kelly B.
;
Grover R.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
64.
Towards fully integrated SiC cascade power switches for high voltage applications
机译:
面向高压应用的完全集成SiC级联功率开关
作者:
Mihaila A.
;
Udrea F.
;
Godignon P.
;
Brezeanu G.
;
Malhan R.K.
;
Rusu A.
;
Millan J.
;
Amaratunga G.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
65.
A new power W-gated trench MOSFET (WMOSFET) with high switching performance
机译:
具有高开关性能的新型功率W门控沟槽MOSFET(WMOSFET)
作者:
Darwish M.
;
Yue C.
;
Kam Hong Lui
;
Giles F.
;
Chan B.
;
Kuo-in Chen
;
Pattanayak D.
;
Qufei Chen
;
Terrill K.
;
Owyang K.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
66.
High-level substrate current effects in P
-
-epitaxy/P
+
-substrate Smart Power Technologies
机译:
P
- sup>-外延/ P
+ sup>-衬底智能电源技术中的高级衬底电流效应
作者:
Laine J.P.
;
Bertolini L.
;
Bafleur M.
;
Lochot C.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
67.
New trench MOSFET technology for DC-DC converter applications
机译:
适用于DC-DC转换器应用的新型沟槽MOSFET技术
作者:
Ling Ma
;
Amali A.
;
Kiyawat S.
;
Mirchandani A.
;
He D.
;
Thapar N.
;
Sodhi R.
;
Spring K.
;
Kinzer D.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
68.
A 0.25-micron Smart Power Technology optimized for wireless and consumer applications
机译:
0.25微米智能电源技术针对无线和消费类应用进行了优化
作者:
Zhu R.
;
Parthasarathy V.
;
Khemka V.
;
Bose A.
;
Roggenbauer T.
;
Lee G.
;
Baumert B.
;
Hui P.
;
Rodriguez P.
;
Collins D.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
69.
High gain monolithic 4H-SiC Darlington transistors
机译:
高增益单片4H-SiC达林顿晶体管
作者:
Yi Tang
;
Chow T.P.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
70.
Hot spot dynamics in quasivertical DMOS under ESD stress
机译:
ESD应力作用下准DMOS的热点动力学
作者:
Denison M.
;
Blaho M.
;
Silber D.
;
Joos J.
;
Jensen N.
;
Stecher M.
;
Dubec V.
;
Pogany D.
;
Gornik E.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
71.
Low gate charge 30 V n-channel LDMOS for DC-DC converters
机译:
用于DC-DC转换器的低栅极电荷30 V n通道LDMOS
作者:
Yasuhara N.
;
Matsushita K.
;
Nakayama K.
;
Tanaka B.
;
Hodama S.
;
Nakagawa A.
;
Nakamura K.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
72.
High power silicon RF LDMOSFET technology for 2.1GHz power amplifier applications
机译:
适用于2.1GHz功率放大器应用的高功率硅RF LDMOSFET技术
作者:
Shuming Xu
;
Baiocchi F.
;
Safar H.
;
Lott H.
;
Shibib A.
;
Zhijian Xie
;
Nigam T.
;
Jones B.
;
Thompson B.
;
Desko J.
;
Gammel P.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
73.
Competitive 5V-thin and 12V-thick dual gate technology isolated drain LDMOS devices
机译:
具有竞争力的5V薄型和12V厚双栅极技术隔离式漏极LDMOS器件
作者:
Ramanathan R.
;
Pendharkar S.
;
Zheng L.
;
Efland T.
;
Grant D.
;
Briggs D.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
74.
Ge semiconductor devices for cryogenic power electronics: Part III
机译:
用于低温电力电子设备的Ge半导体器件:第三部分
作者:
Ward R.R.
;
Dawson W.J.
;
Zhu L.
;
Kirschman R.K.
;
Mueller O.
;
Patterson R.L.
;
Dickman J.E.
;
Hammoud A.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
75.
A new 600V lateral PMOS device with a buried conduction layer
机译:
一种新型600V横向PMOS器件,具有埋入式导电层
作者:
Disney D.R.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
76.
A high reliability and low loss 3-phase gate driver IC with a novel soft gate drive circuit for 42V motor generator system
机译:
具有用于42V电动发电机系统的新型软栅极驱动电路的高可靠性,低损耗三相栅极驱动器IC
作者:
Inaba M.
;
Sakano J.
;
Miyazaki H.
;
Iwamura M.
;
Maeda Y.
;
Mashino K.
;
Nagai Y.
;
Mori M.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
77.
4H-SiC high power SIJFET module
机译:
4H-SiC大功率SIJFET模块
作者:
Sugawara Y.
;
Takayama D.
;
Asano K.
;
Ryu S.
;
Miyauchi A.
;
Ogata S.
;
Hayashi T.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
78.
Development and demonstration of silicon carbide (SiC) inverter module in motor drive
机译:
电机驱动中碳化硅(SiC)逆变器模块的开发和演示
作者:
Chang H.-R.
;
Hanna E.
;
Radun A.V.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
79.
Large area, 1.3 kV, 17 A, bipolar junction transistors in 4H-SiC
机译:
采用4H-SiC的大面积,1.3 kV,17 A双极结型晶体管
作者:
Agarwal A.K.
;
Sei-Hyung Ryu
;
Richmond J.
;
Capell C.
;
Palmour J.W.
;
Yi Tang
;
Balachandran S.
;
Chow T.P.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
80.
Trade-off between high-side capability and substrate minority carrier injection in deep sub-micron smart power technologies
机译:
深亚微米智能电源技术中高端能力与衬底少数载流子注入之间的权衡
作者:
Khemka V.
;
Parthasarathy V.
;
Zhu R.
;
Bose A.
;
Roggenbauer T.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
81.
3D-RESURF SOI LDMOSFET for RF power amplifiers
机译:
用于RF功率放大器的3D-RESURF SOI LDMOSFET
作者:
Pathirana G.P.V.
;
Udrea F.
;
Ng R.
;
Garner D.M.
;
Amaratunga G.A.J.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
82.
Vertical N-channel FLIMOSFETs for future 12 V/42 V dual batteries automotive applications
机译:
适用于未来12 V / 42 V双电池汽车应用的垂直N沟道FLIMOSFET
作者:
Alves S.
;
Morancho F.
;
Reynes J.-M.
;
Lopes B.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
83.
200V multi RESURF trench MOSFET (MR-TMOS)
机译:
200V多RESURF沟槽MOSFET(MR-TMOS)
作者:
Kurosaki T.
;
Shishido H.
;
Kitada M.
;
Oshima K.
;
Kunori S.
;
Sugai A.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
84.
ESD robust bipolar transistors with variable trigger and sustaining voltages
机译:
具有可变触发和维持电压的ESD鲁棒双极晶体管
作者:
Pendharkar S.
;
Hower P.
;
Steinhofer R.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
85.
The reverse blocking IGBT for matrix converter with ultra-thin wafer technology
机译:
采用超薄晶圆技术的用于矩阵转换器的反向阻断IGBT
作者:
Takei M.
;
Naito T.
;
Ueno K.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
86.
1.7kV NPT V-groove clustered IGBT: fabrication and experimental demonstration
机译:
1.7kV NPT V槽成簇IGBT:制造和实验演示
作者:
Spulber O.
;
Sweet M.
;
Vershinin K.
;
Luther-King N.
;
Sankara-Narayanan E.M.
;
De Souza M.M.
;
Flores D.
;
Millan J.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
87.
Well-tempered combination of ultra-high voltage IGBT and diode rated 6.5kV
机译:
特制的6.5kV超高压IGBT和二极管的组合
作者:
Suekawa E.
;
Inoue M.
;
Mochizuki K.
;
Kawakami M.
;
Minato T.
;
Satoh K.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
88.
High-density trench DMOSFETs employing two step trench techniques and trench contact structure
机译:
采用两步沟槽技术和沟槽接触结构的高密度沟槽DMOSFET
作者:
Jongdae Kim
;
Sang-Gi Kim
;
Tae Moon Roh
;
Bun Lee
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
89.
Low voltage super junction MOSFET simulation and experimentation
机译:
低压超结MOSFET仿真与实验
作者:
Henson T.
;
Cao J.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
90.
Novel process techniques for fabricating high density trench MOSFETs with self-aligned N
+
/P
+
source formed on the trench side wall
机译:
用于在沟槽侧壁上形成具有自对准N
+ sup> / P
+ sup>源的高密度沟槽MOSFET的新工艺技术
作者:
Il-Yong Park
;
Sang-Gi Kim
;
Jin-Gun Koo
;
Jongdae Kim
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
91.
An improved method for determining the inversion layer mobility of electrons in trench MOSFETs
机译:
确定沟槽MOSFET中电子的反型迁移率的一种改进方法
作者:
van den Heuvel M.G.L.
;
Hueting R.J.E.
;
Hijzen E.A.
;
in t Zandt M.A.A.
会议名称:
《Implication of Measurement Uncertainties for EMC Testing》
|
1997年
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