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Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona
Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona
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1.
VACANCY-NITROGEN COMPLEXES IN FLOAT-ZONE SILICON
机译:
浮区硅中的空缺-氮络合物
作者:
F. Quast
;
P. Pichler
;
H. Ryssel
;
R. Falster
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
2.
TRENDS IN LIFETIME MEASUREMENTS
机译:
寿命测量趋势
作者:
Dieter K. Schroder
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
3.
TRANSIENT SIMULATION OF GROWN-IN DEFECT DYNAMICS IN CZOCHRALSKI CRYSTAL GROWTH OF SILICON
机译:
硅的直裂纹晶体长大缺陷动力学的瞬态模拟
作者:
Tatsuo Mori
;
Zhihong Wang
;
Robert A. Brown
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
4.
SURFACE AND BULK PROPERTIES OF OXYGENATED FZ SILICON WAFERS FOR PARTICLE DETECTOR APPLICATIONS
机译:
氧化FZ硅晶片的表面和块体性质在颗粒检测中的应用。
作者:
P. Bellutti
;
M. Boscardin
;
G.-F. Dalla Betta
;
L. Ferrario
;
P. Gregori
;
N. Zorzi
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
5.
THE GATE OXIDE QUALITY OF ANNEALED CZ SILICON WAFERS AND ITS INFLUENCE ON 4M DRAM DEVICE YIELD AND RELIABILITY
机译:
退火后的CZ硅晶片的栅氧化层质量及其对4M DRAM器件产量和可靠性的影响
作者:
R. Winkler
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
6.
PHOTOMAGNETIC DETECTION OF DOPING INHOMOGENEITIES IN SILICON CRYSTALS USING SQUID MAGNETOMETERS
机译:
液磁法光磁检测硅晶体中的掺杂不均一性
作者:
A. Luedge
;
H. Riemann
;
J. Beyer
;
Th. Schurig
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
7.
ON THE EFFECT OF THE PRECIPITATION ON DRAM DEVICE YIELD
机译:
析出对DRAM器件成品率的影响
作者:
R. Winkler
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
8.
ON THE INFLUENCE OF THE INTERSTITIAL OXYGEN ON DRAM DEVICE YIELD AND RELIABILITY
机译:
间隙氧对DRAM器件成品率和可靠性的影响
作者:
R. Winkler
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
9.
THE TIME DEPENDENCE OF POINT DEFECT BEHAVIOR NEAR THE GROWTH INTERFACE IN Cz-Si
机译:
Cz-Si生长界面附近点缺陷行为的时间依赖性
作者:
Bong Mo Park
;
Il Soo Choi
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
10.
A PROCESS SIMULATION MODEL FOR THE EFFECTS DUE TO NITRIDATION OF OXIDES
机译:
氧化物硝化作用的过程模拟模型
作者:
Yong-Seog Oh
;
Donald E. Ward
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
11.
Tin Doping Effects in Silicon
机译:
硅中的锡掺杂效应
作者:
E. Simoen
;
C. Claeys
;
V.B. Neimash
;
A. Kraitchinskii
;
M. Krasko
;
O. Puzenko
;
A. Blondeel
;
P. Clauws
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
12.
THRESHOLD STRESSES OF DISLOCATION GENERATION ONSET IN SILICON
机译:
硅位错生成开始的阈值应力
作者:
I. V. Peidous
;
K. V. Loiko
;
N. Balasubramanian
;
T. Schuelke
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
13.
SILICON FLOAT-ZONE CRYSTAL GROWTH AS A TOOL FOR THE STUDY OF DEFECTS AND IMPURITIES
机译:
硅浮区晶体生长作为缺陷和杂质研究的工具
作者:
T. F. Ciszek
;
T.H. Wang
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
14.
RESONANCE ULTRASONIC DIAGNOSTICS OF AS-GROWN AND PROCESS-INDUCED DEFECTS IN Cz-Si
机译:
Cz-Si缺陷和过程缺陷的共振超声诊断
作者:
A. Belyaev
;
I. Tarasov
;
S. Ostapenko
;
S. Koveshnikov
;
V. A. Kochelap
;
A. E. Belyaev
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
15.
300mm EPI PP- WAFER: IS THERE SUFFICIENT GETTERING?
机译:
300mm EPI PP- WAFER:是否有足够的吸气剂?
作者:
D. Graef
;
U. Lambert
;
R. Schmolke
;
R. Wahlich
;
W. Siebert
;
E. Daub
;
W. v. Ammon
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
16.
HIGH PULL SPEED FOR FAST PULLED CRYSTAL IN CZ GROWTH
机译:
CZ增长中的高速脉冲快速晶体
作者:
Hyun Jung Oh
;
Jong Hoe Wang
;
Kyong-Min Kim
;
Hak-Do Yoo
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
17.
IMPACT OF THE PURITY OF SILICON ON THE EVOLUTION OF ION BEAM GENERATED DEFECTS: FROM RESEARCH TO TECHNOLOGY
机译:
硅纯度对离子束产生缺陷的演化的影响:从研究到技术
作者:
Vittorio Privitera
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
18.
IMPACTING DEVICE PERFORMANCE AND YIELD THROUGH SACRIFICIAL OXIDATION IMPROVEMENTS
机译:
通过牺牲性氧化改进提高设备性能和产量
作者:
Satheesh Ambadi
;
Daniel Hannoun
;
Keith Kamekona
;
Jeff Pearse
;
George Chang
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
19.
INTEGRATED GETTERING OF METALLIC CONTAMINANTS BY NANOCAVITIES IN FZ SILICON WAFERS
机译:
FZ硅晶片中纳米的金属杂质综合吸收法
作者:
I. Perichaud
;
E. Yakimov
;
S. Martinuzzi
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
20.
GATE OXIDE INTEGRITY RESPONSE AS A FUNCTION OF NEAR THE SURFACE CRYSTAL DEFECTS MORPHOLOGY
机译:
栅氧化物完整性响应作为近表面缺陷形态的函数
作者:
G. Borionetti
;
P. Godio
;
F. Bonoli
;
M. Cornara
;
R. Orizio
;
R. Falster
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
21.
EFFECT OF THE SHAPE OF CRYSTAL-MELT INTERFACE ON POINT DEFECT REACTION IN SILICON CRYSTALS
机译:
晶体熔体界面形状对硅晶体中点缺陷反应的影响
作者:
K. Nakamura
;
S. Maeda
;
S. Togawa
;
T. Saishoji
;
J. Tomioka
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
22.
EFFECT OF ALUMINUM ON OXIDE GROWTH AND OXIDE CHARGES IN SILICON WAFERS
机译:
铝对硅晶片中氧化物生长和氧化物电荷的影响
作者:
Hirofumi Shimizu
;
Masanori Ikeda
;
Chusuke Munakata
;
Naoyuki Nagashima
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
23.
Epitaxial Layer Lifetime Characterization in the Frequency Domain
机译:
频域外延层寿命表征
作者:
J. E. Park
;
D. K. Schroder
;
S. E. Tan
;
B. D. Choi
;
M. Fletcher
;
A. Buczkowski
;
F. Kirscht
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
24.
DETECTION OF OXYGEN-RELATED DEFECTS IN SILICON WAFERS BY HIGHLY SELECTIVE REACTIVE ION ETCHING
机译:
高选择性反应离子刻蚀技术检测硅晶片中与氧气有关的缺陷
作者:
Kenji Nakashima
;
Yukihiko Watanabe
;
Tomoyuki Yoshida
;
Yasuichi Mitsushima
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
25.
DEPOSITION MECHANISM OF TRACE METALS ON SILICON WAFER SURFACES IN ULTRA PURE WATER
机译:
超纯水中硅晶片表面上微量金属的沉积机理
作者:
Takayuki Homma
;
Jun Tsukano
;
Tetsuya Osaka
;
Masaharu Watanabe
;
Kiyoshi Nagai
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
26.
CRYSTAL DEFECT INFORMATION OBTAINED BY MULTIPLE WAFER RECLEANING
机译:
多次晶圆清洗获得的晶体缺陷信息
作者:
L. MuleStagno
;
S. Keltner
;
R. Yalamanchili
;
M. Kulkarni
;
J. Libbert
;
M. Banan
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
27.
MICROSCOPIC CHARACTERIZATION OF ELECTROCHEMICAL PROPERTIES OF SILICON WAFER SURFACES
机译:
硅晶片表面电化学特性的微观表征
作者:
Takayuki Homma
;
Tadahiro Kono
;
Tetsuya Osaka
;
Masaharu Watanabe
;
Kiyoshi Nagai
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
28.
MINORITY CARRIER LIFETIME AND IMPURITY LEVEL SCAN MAP IN SILICON
机译:
硅的少数族裔生命周期和杂质水平扫描图
作者:
O. Palais
;
E. Yakimov
;
J.J. Simon
;
S. Martinuzzi
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
29.
INTRINSIC GETTERING IN NITROGEN DOPED CZOCHRALSKI CRYSTAL SILICON
机译:
氮掺杂的石英晶体硅的内在吸气
作者:
Deren YANG
;
Ruixin FAN
;
Yijun SHEN
;
Daxi TIAN
;
Liben LI
;
Duanlin QUE
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
30.
A STUDY ON 'TWIN' <100> SQUARE HILLOCK SILICON CRYSTALLINE DEFECTS ON SILICON SUBSTRATE IN WAFER FABRICATION USING 155 WRIGHT ETCH
机译:
155 Wright蚀刻片研究“双晶” <100>方形硅片硅晶片上硅基质的晶体缺陷
作者:
Hua Younan
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
31.
OXYGEN PRECIPITATION BEHAVIOR AND ITS OPTIMUM CONDITION FOR INTERNAL GETTERING AND MECHANICAL STRENGTH IN EPITAXIAL AND POLISHED SILICON WAFERS
机译:
硅片和抛光硅片内部氧吸收行为及其内部吸气和机械强度的最佳条件
作者:
Kqji Sueoka
;
Masanori Akatsuka
;
Toshiaki Ono
;
Eiichi Asayama
;
Yasuo Koike
;
Naoshi Adachi
;
Shinsuke Sadamitsu
;
Hisashi Katahama
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
32.
Aggressive Monitoring of OSFs Using High Temperature Oxidation
机译:
使用高温氧化积极监测OSF
作者:
Ki-Man Bae
;
Jong-Rock Kim
;
Dong-Myun Lee
;
Sung-Su Kim
;
Chung-Geun Koh
;
Seung-Ho Pyi
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
33.
RADIAL DISTRIBUTIONS OF TRANSITION METAL DEFECTS IN FLOAT ZONE SILICON CRYSTALS
机译:
浮动区硅晶体中过渡金属缺陷的径向分布
作者:
H. Lemke
;
W. Zulehner
;
B. Hallmann
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
34.
A NEW SUBSTRATE ENGINEERING TECHNIQUE TO REALIZE SILICON ON NOTHING (SON) STRUCTURE UTILIZING TRANSFORMATION OF SUB-MICRON TRENCHES TO EMPTY SPACE IN SILICON (ESS) BY SURFACE MIGRATION
机译:
利用表面迁移将亚微米级沟槽转变为空空间中的空位,从而实现硅在非(SON)结构上实现硅化的新基质工程技术
作者:
Yoshitaka Tsunashima
;
Tsutomu Sato
;
Ichiro Mizushima
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
35.
VALENCE FORCE FIELD ANALYSIS OF NITROGEN IN SILICON
机译:
硅中氮的价力场分析
作者:
H. Harada
;
K. Tanahashi
;
A. Koukitsu
;
T. Mikayama
;
N. Inoue
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
36.
USE OF DIODE DIAGNOSTICS FOR SILICON WAFER QUALITY CHARACTERIZATION; EFFECT OF COP ON PN JUNCTION LEAKAGE
机译:
二极管诊断技术在硅晶片质量表征中的应用; COP对PN结泄漏的影响
作者:
H. Kubota
;
H. Nagano
;
J. Sugamoto
;
H. Matsushita
;
M. Momose
;
S. Nitta
;
S. Samata
;
N. Tsuchiya
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
37.
TWO-DIMENSIONAL DISTRIBUTION OF LEAKAGE CURRENT IN ULTRATHIN OXIDE ON STEPPED Si SURFACE
机译:
阶梯状硅表面超细氧化物中漏电流的二维分布
作者:
M.Murata
;
N.Tokuda
;
D.Hojo
;
K.Yamabe
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
38.
THE MEASUREMENT OF NITROGEN IN SILICON SUBSTRATES BY SIMS
机译:
用SIMS测定硅基质中的氮
作者:
R. S. Hockett
;
D. B. Sams
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
39.
SURFACE-SEPARATED COLLECTION OF IONIC SPECIES FOR ION-CHROMATOGRAPHY ANALYSIS ON SILICON WAFER
机译:
表面分离的离子物种的集合,用于硅晶片的离子色谱分析
作者:
K. Yanagi
;
H. Shibata
;
K. Nagai
;
M. Watanabe
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
40.
LIFETIME AND LEAKAGE CURRENT STUDIES IN SHALLOW P-N JUNCTIONS FABRICATED IN A HIGH-ENERGY BORON IMPLANTED P-WELL
机译:
高能硼注入P阱中浅层P-N结的寿命和泄漏电流研究
作者:
A. Poyai
;
E. Simoen
;
C. Claeys
;
R. Rooyackers
;
G. Badenes
;
E. Gaubas
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
41.
NUCLEATION OF VOID DEFECTS IN CZ SILICON
机译:
CZ硅中空隙缺陷的成核
作者:
Y. Yamanaka
;
K. Tanahashi
;
T. Mikayama
;
N. Inoue
;
A. Mori
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
42.
THE FORMATION MECHANISM OF COUPLED VOIDS IN CZOCHRALSKI GROWN SILICON CRYSTALS
机译:
直拉晶体硅晶体中偶合气泡的形成机理
作者:
F. Ishikawa
;
S. Sadohara
;
T. Saishoji
;
K. Nakamura
;
J. Tomioka
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
43.
SOI WAFER FABRICATION BY ATOMIC-LAYER CLEAVING
机译:
通过原子层切割法制造SOI晶圆
作者:
M.I. Current
;
I.J. Malik
;
S.W. Bedell
;
S.N. Farrens
;
H. Kirk
;
M. Korolik
;
S. Kang
;
M. Fuerfanger
;
F.J. Henley
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
44.
SILICON DEFECT CHARACTERIZATION BY HIGH RESOLUTION LAPLACE DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY
机译:
高分辨率Laplace深层瞬态光谱法表征硅的缺陷
作者:
A.R. Peaker
;
L. Dobaczewski
;
O. Andersen
;
L. Rubaldo
;
I.D. Hawkins
;
K. Bonde Nielsen
;
J.H. Evans-Freeman
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
45.
SCREENING OF DISLOCATIONS IN SILICON BY POINT DEFECTS
机译:
通过点缺陷筛选硅中的位错
作者:
I. V. Peidous
;
K. V. Loiko
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
46.
MICRO-FLUCTUATION OF GROWTH-RATE AND GROWN-IN DEFECT DISTRIBUTION IN CZ-SI
机译:
CZ-SI的增长率和缺陷缺陷的微波动
作者:
Masami Hasebe
;
Jun Fukuda
;
Toshio Iwasaki
;
Hirofumi Harada
;
Masahiro Tanaka
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
47.
HIGH RESISTIVITY CZ SILICON FOR RF APPLICATIONS SUBSTITUTING GaAs
机译:
替代GaAs的RF应用的高电阻CZ硅
作者:
Takao Abe
;
Weifeng Qu
;
Shin-Etsu Handotai
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
48.
IMPACT OF ANNEALING TEMPERATURE AND COOLING RATE ON THE GETTERING OF FE BY POLYSILICON BACKSIDE
机译:
退火温度和冷却速率对多晶硅背面富集铁的影响
作者:
M. B. Shabani
;
Y. Shiina
;
Y. Shimanuki
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
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2000年
49.
IN-SITU MEASUREMENT OF IRON IN P-TYPE SILICON WITH THE μW-PCD TECHNIQUE
机译:
μW-PCD技术现场测量P型硅中的铁
作者:
M. Porrini
;
P. Tessariol
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
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2000年
50.
Influence of LSTD Size on the Formation of Denuded Zone in Hydrogen-Annealed CZ Silicon Wafers
机译:
LSTD尺寸对氢退火CZ硅晶片中裸露区形成的影响
作者:
Ryuji Takeda
;
Toshiro Minami
;
Hiroyuki Saito
;
Yumiko Hirano
;
Hiroyuki Fujimori
;
Kazuhiko Kashima
;
Yoshiaki Matsushita
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
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2000年
51.
FORMATION AND ANNIHILATION OF EPITAXIAL STACKING FAULTS GENERATED FROM PRE-EXISTING NUCLEATION SITES IN SILICON
机译:
硅中预先存在的成核位点产生的表位堆积断裂的形成和消失
作者:
C. R. Cho
;
K. Y. Noh
;
D. H. Lee
;
Y. S. Kim
;
S. W. Ko
;
C. W. Kim
;
D. H. Kim
;
C. B. Son
;
S. J. Kim
;
D. H. Cho
;
J. J. Choi
;
D. J. Kim
;
K. M. Bae
;
G. A. Rozgonyi
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
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2000年
52.
EFFECT OF MATERIAL PROPERTIES ON STRESS-INDUCED DEFECT GENERATION IN TRENCHED SOI
机译:
材料性能对拉伸SOI应力诱发缺陷产生的影响
作者:
W.A. Nevin
;
K. Somasundram
;
S. Blackstone
;
S. Magee
;
A.T. Paxton
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
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2000年
53.
EFFECT OF COBALT AND COPPER CONTAMINATION ON THE ELECTRICAL PROPERTIES OF PROCESSED SILICON
机译:
钴和铜污染对加工硅的电性能的影响
作者:
Janet Benton
;
Tom Boone
;
Dale Jacobson
;
Paul Silverman
;
Conor Rafferty
;
Steve Weinzierl
;
Bao Vu
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
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2000年
54.
DIRECT PROOF OF ARGON ATOMS INCORPORATION INTO HIGH-PURITY SILICON SINGLE CRYSTALS DURING GROWTH IN ARGON GAS AMBIENT
机译:
在氩气环境中生长过程中将氩原子掺入高纯硅单晶中的直接证明
作者:
A.G. Ulyashin
;
R. Job
;
W.R. Fahrner
;
A.V. Mudryi
;
A.I. Patuk
;
I.A. Shakin
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
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2000年
55.
MISFIT DISLOCATION NUCLEATION STUDY IN P/P+ SI
机译:
P / P + SI中的错配位错成核研究
作者:
Petra Feichtinger
;
Mark S. Goorsky
;
Dwain Oster
;
Tom DSilva
;
Jim Moreland
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
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2000年
56.
LASER SPECTROSCOPY METHODS FOR NONDESTRUCTIVE ANALYSIS OF POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILMS AND SILICON SURFACES
机译:
激光光谱法对多晶硅薄膜和硅表面进行非破坏性分析
作者:
D. Milovzorov
;
N. Chigarev
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
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2000年
57.
INTRINSIC DEFECTS IN FZ SILICON AND THEIR IMPACT ON X-RAY PIN SENSOR PARAMETERS
机译:
FZ硅的内在缺陷及其对X射线引脚传感器参数的影响
作者:
H. Riemann
;
A. Luedge
;
K. Schwerd
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
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2000年
58.
ADVANCED SILICON WAFERS FOR 0.18 μm DESIGN RULE AND BEYOND: EPI0 AND fLASH!
机译:
适用于0.18μm设计规则的先进硅晶片,超越了:EPI0和FLASH!
作者:
R. Schmolke
;
M. Blietz
;
R. Schauer
;
D. Zemke
;
H. Oelkrug
;
W. v. Ammon
;
U. Lambert
;
D. Graef
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
59.
Progress in understanding the physics of copper in silicon
机译:
了解硅中铜的物理化学的进展
作者:
A.A.Istratov
;
C.Flink
;
S.Balasubramanian
;
E.R.Weber
;
H.Hieslmair
;
S.A.McHugo
;
H.Hedemann
;
M.Seibt
;
W.Schroeter
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
|
2000年
60.
CARRIER LIFETIME CONTROL AND CHARACTERIZATION OF HIGH-RESISTIVITY SILICON USED FOR HIGH-POWER DEVICES
机译:
用于高功率设备的高电阻硅的载流子寿命控制和表征
作者:
H.-J. Schulze
;
A. Frohnmeyer
;
F.-J. Niedernostheide
;
F. Hille
;
P. Tuetto
;
T. Pavelka
;
G. Wachutka
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
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2000年
61.
Copper Stable Isotope Spike Method as A Tool for Low Temperature Out-Diffusion of Copper in P-Type Silicon
机译:
铜稳定同位素加标方法作为P型硅中铜低温向外扩散的工具
作者:
Hyun-Jae Maeng
;
Han-Seog Oh
;
Young-Ki Hong
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
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2000年
62.
BULK AND SURFACE PROPERTIES OF CZ-SILICON AFTER HYDROGEN PLASMA TREATMENTS
机译:
氢等离子体处理后CZ硅的体积和表面性质
作者:
R. Job
;
A. G. Ulyashin
;
W. R. Fahrner
;
V. P. Markevich
;
L. I. Murin
;
J. L. Lindstroem
;
V. Raiko
;
J. Engemann
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
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2000年
63.
INVESTIGATION OF GOI TEST METHODS ON SILICON SURFACE DEFECT FAILURE MECHANISMS
机译:
硅表面缺陷破坏机理的Goi测试方法研究
作者:
F. Gonzalez
;
M. Hider
;
R. Barbour
;
J. Hull
;
S. Kitagawa
会议名称:
《Sixth International Symposium on High Purity Silicon VI, Oct 22-27, 2000, Phoenix, Arizona》
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2000年
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