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IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute
IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute
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1.
2 KV 4H-SiC DMOSFETS FOR LOW LOSS, HIGH FREQUENCY SWITCHING APPLICATIONS
机译:
用于低损耗,高频开关应用的2 KV 4H-SiC DMOSFET
作者:
SEI-HYUNG RYU
;
SUMI KRISHNASWAMI
;
MRINAL DAS
;
JAMES RICHMOND
;
ANANT AGARWAL
;
JOHN PALMOUR
;
JAMES SCOFIELD
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
2.
LOW FREQUENCY NOISE PARAMETERS IN AN AlGaN/ GaN HETEROSTRUCTURE WITH 33 AND 75 Al MOLE FRACTION
机译:
Al摩尔分数为33%和75%的AlGaN / GaN异质结构中的低频噪声参数
作者:
S.A.VITUSEVICH
;
S.V.DANYLYUK
;
N.KLEIN
;
M.V.PETRYCHUK
;
A.E.BELYAEV
;
A. VERTIATCHIKH
;
L.F. EASTMAN
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
3.
VERTICAL SCALING OF TYPE Ⅰ InP HBT WITH F_T > 500 GHZ
机译:
F_T> 500 GHZ的Ⅰ型InP HBT的垂直标度
作者:
J.W. LAI
;
W. HAFEZ
;
M. FENG
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
4.
UNSTRAINED InAlN/GaN HEMT STRUCTURE
机译:
无约束的InAlN / GaN HEMT结构
作者:
M. NEUBURGER
;
T. ZIMMERMANN
;
E. KOHN
;
A. DADGAR
;
F. SCHULZE
;
A. KRTSCHIL
;
M. GUENTHER
;
H. WITTE
;
J. BLAESING
;
A. KROST
;
I. DAUMILLER
;
M. KUNZE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
5.
SPICE MODEL OF AlGaN/GaN HEMTs AND SIMULATION OF VCO AND POWER AMPLIFIER
机译:
AlGaN / GaN HEMT的SPICE模型及VCO和功率放大器的仿真
作者:
SYED S. ISLAM
;
A.F.M. ANWAR
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
6.
TEMPERATURE DEPENDENCE OF TERAHERTZ EMISSION FROM SILICON DEVICES DOPED WITH BORON
机译:
掺硼硅设备中TERAHERTZ辐射的温度依赖性
作者:
R. T. TROEGER
;
T. N. ADAM
;
S. K. RAY
;
P.-C. LV
;
S. KIM
;
J. KOLODZEY
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
7.
TEMPERATURE DEPENDENT Ⅰ-Ⅴ CHARACTERISTICS OF AlGaN/GaN HBTS AND GaN BJTS
机译:
AlGaN / GaN HBTS和GaN BJTS的温度依赖性Ⅰ-Ⅴ特性
作者:
HUILI G. XING
;
UMESH K. MISHRA
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
8.
TUNNEL DIODE/TRANSISTOR DIFFERENTIAL COMPARATOR
机译:
隧道二极管/晶体管差分比较器
作者:
QINGMIN LIU
;
SURAJIT SUTAR
;
ALAN SEABAUGH
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
9.
TRAP BEHAVIOR IN AlGaN/GaN HEMTs BY POST-GATE- ANNEALING
机译:
栅后退火技术在AlGaN / GaN HEMT中的陷阱行为
作者:
HYEONGNAM KIM
;
JAESUN LEE
;
WU LU
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
10.
OMNI-DIRECTIONAL REFLECTOR USING A LOW REFRACTIVE INDEX MATERIAL
机译:
使用低折射率材料的全向反射器
作者:
J.-Q. XI
;
MANAS OJHA
;
WOOJIN CHO
;
TH. GESSMANN
;
E. F. SCHUBERT
;
J. L. PLAWSKY
;
W. N. GILL
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
11.
SIMULATION STUDY ON BREAKDOWN BEHAVIOR OF FIELD- PLATE SiC MESFETs
机译:
场板SiC MESFET击穿行为的模拟研究
作者:
HO-YOUNG CHA
;
Y. C. CHOI
;
LESTER F. EASTMAN
;
MICHAEL G. SPENCER
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
12.
HIGH POWER, DRIFT-FREE 4H-SiC PIN DIODES
机译:
大功率,无漂移4H-SiC PIN二极管
作者:
MRINAL K. DAS
;
JOSEPH J. SUMAKERIS
;
BRETT A. HULL
;
JIM RICHMOND
;
SUMI KRISHNASWAMI
;
ADRIAN R. POWELL
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
13.
FABRICATION OF SELF-ALIGNED T-GATE AlGaN/GaN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS
机译:
自对准T栅AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的制备
作者:
JAESUN LEE
;
DONGMIN LIU
;
HYEONGNAM KIM
;
MICHAEL L. SCHUETTE
;
WU LU
;
JEFFREY S. FLYNN
;
GEORGE R. BRANDES
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
14.
GaN MOS-HEMT USING ATOMIC LAYER DEPOSITION Al_2O_3 AS GATE DIELECTRIC AND SURFACE PASSIVATION
机译:
原子层沉积Al_2O_3作为栅介电和表面钝化的GaN MOS-HEMT
作者:
P.D. Ye
;
B. Yang
;
K.K. Ng
;
J. Bude
;
G.D. Wilk
;
S. Halder
;
J.C.M. Hwang
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
15.
PHOTOCAPACITANCE OF GaAs THIN-FILM STRUCTURES FABRICATED ON A SEMI-INSULATING COMPENSATED SUBSTRATE
机译:
制备于半绝缘补偿基质上的GaAs薄膜结构的光电容
作者:
NIKOLAI B. GOREV
;
INNA F. KODZHESPIROVA
;
EVGENY N. PRIVALOV
;
NINA KHUCHUA
;
LEVAN KHVEDELIDZE
;
MICHAEL S. SHUR
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
16.
NUMERICAL INVESTIGATION OF THE EFFECT OF DOPING PROFILES ON THE HIGH FREQUENCY PERFORMANCE OF InP/InGaAs SUPER SCALED HBTs
机译:
掺杂曲线对InP / InGaAs超大规模HBT高频性能影响的数值研究
作者:
DMITRY VEKSLER
;
MICHAEL S. SHUR
;
V.E. HOUTSMA
;
N.G. WEIMANN
;
Y.K. CHEN
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
17.
NOISE AND THZ RECTIFICATION CHARACTERISTICS OF ZERO-BIAS QUANTUM TUNNELING SB-HETEROSTRUCTURE DIODES
机译:
零偏量子隧道隧穿SB-异质结二极管的噪声和THZ整流特性
作者:
ARTTU LUUKANEN
;
ERICH N. GROSSMAN
;
HARRIS P. MOYER
;
JOEL N. SCHULMAN
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
18.
MBE-Grown AlGaN/GaN HEMTs on SiC
机译:
SiC上的MBE生长AlGaN / GaN HEMT
作者:
SIDDHARTH RAJAN
;
ARPAN CHAKRABORTY
;
UMESH K. MISHRA
;
CHRISTIANE POBLENZ
;
PATRICK WALTEREIT
;
JAMES S. SPECK
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
19.
HIGH LINEARITY GaN HEMT POWER AMPLIFIER WITH PRE-LINEARIZATION GATE DIODE
机译:
具有预线性化栅极二极管的高线性度GaN HEMT功率放大器
作者:
SHOUXUAN XIE
;
VAMSI PAIDI
;
STEN HEIKMAN
;
LIKUN SHEN
;
ALESSANDRO CHINI
;
UMESH K. MISHRA
;
MARK J. W. RODWELL
;
STEPHEN I. LONG
会议名称:
《》
|
2004年
20.
LEAKY SURFACE ACOUSTIC WAVES IN SINGLE-CRYSTAL AlN SUBSTRATE
机译:
单晶AlN基质中的渗漏表面声波
作者:
GANG BU
;
DAUMANTAS CIPLYS
;
MICHAEL S. SHUR
;
LEO J. SCHOWALTER
;
SANDRA B. SCHUJMAN
;
REMIS GASKA
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
21.
INFLUENCE OF THE N-DIFFUSION LAYER ON THE CHANNEL CURRENT AND THE BREAKDOWN VOLTAGE IN 4H-SiC SIT
机译:
N扩散层对4H-SiC SIT中沟道电流和击穿电压的影响
作者:
YOUNG CHUL CHOI
;
HO-YOUNG CHA
;
LESTER F. EASTMAN
;
MICHAEL G. SPENCER
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
22.
EFFECTS OF BUFFER LAYER THICKNESS AND DOPING CONCENTRATION ON SiC MESFET CHARACTERISTICS
机译:
缓冲层厚度和掺杂浓度对SiC MESFET特性的影响
作者:
SANKHA S. MUKHERJEE
;
SYED S. ISLAM
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
23.
ELECTRICAL EFFECTS OF DNA MOLECULES ON SILICON FIELD EFFECT TRANSISTOR
机译:
DNA分子对硅场效应晶体管的电影响
作者:
G. XUAN
;
J. KOLODZEY
;
V. KAPOOR
;
G. GONYE
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
24.
DESIGN OF HIGH VOLTAGE 4H-SiC SUPERJUNCTION SCHOTTKY RECTIFIERS
机译:
高压4H-SiC超结肖特基整流器的设计
作者:
Lin Zhu
;
Peter Losee
;
T. Paul Chow
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
25.
DEPENDENCE OF ELECTRON MOBILITY ON EPI CHANNEL DOPING INGaN MOSFETS
机译:
电子迁移率对EPI沟道掺杂InGaN MOSFET的依赖性
作者:
J. RUAN
;
K. MATOCHA
;
W. HUANG
;
T.P. CHOW
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
26.
NATIVE DEFECT COMPENSATION IN Ⅲ-ANTIMONIDE BULK SUBSTRATES
机译:
Ⅲ-锑化物本体的自然缺陷补偿
作者:
ROBINSON PINO
;
YOUNGOK KO
;
PARTHA S. DUTTA
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
27.
A NEW FIELD-PLATED GaN HEMT STRUCTURE WITH IMPROVED POWER AND NOISE PERFORMANCE
机译:
具有改善的功率和噪声性能的新型场镀GaN HEMT结构
作者:
HONGTAO XU
;
CHRISTOPHER SANABRIA
;
ALESSANDRO CHINI
;
YUN WEI
;
STEN HEIKMAN
;
STACIA KELLER
;
UMESH K. MISHRA
;
ROBERT A. YORK
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
28.
DEPENDENCE OF RF PERFORMANCE OF GaN/AlGaN HEMTS UPO AlGaN BARRIER LAYER VARIATION
机译:
GaN / AlGaN HEMTS UPO AlGaN势垒层变化的射频性能依赖性
作者:
ELIAS FARACLAS
;
RICHARD T. WEBSTER
;
GEORGE BRANDES
;
A. F. M. ANWAR
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
29.
ANALYSIS OF OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER FOR APPLICATION IN GHz FREQUENCY RANGE
机译:
适用于GHz频率范围的工作导通放大器分析
作者:
A. GHORI
;
P. GHOSH
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
30.
ANALYSIS OF GaN HBT STRUCTURES FOR HIGH POWER, HIGH EFFICIENCY MICROWAVE AMPLIFIERS
机译:
高功率,高效率微波放大器的GaN HBT结构分析
作者:
D.M. KEOGH
;
J.C. LI
;
A.M. CONWAY
;
D. QIAO
;
S. RAYCHAUDHURI
;
P.M. ASBECK
;
R.D. DUPUIS
;
M. FENG
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
31.
ANALYSIS OF HIGH DC CURRENT GAIN STRUCTURES FOR GaN/InGaN/GaN HBTs
机译:
GaN / InGaN / GaN HBT的高直流电流增益结构分析
作者:
JAMES C. LI
;
DAVID M. KEOGH
;
SOUROBH RAYCHAUDHURI
;
ADAM CONWAY
;
DONGJIANG QIAO
;
PETER M. ASBECK
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
32.
BENCHMARK RESULTS FOR HIGH-SPEED 4-BIT ACCUMULATORS IMPLEMENTED IN INDIUM PHOSPHIDE DHBT TECHNOLOGY
机译:
磷酸二氢钠DHBT技术实现的高速4位累加器的基准结果
作者:
STEVEN EUGENE TURNER
;
DAVID E. KOTECKI
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
33.
ATOMICALLY FLAT Ⅲ-ANTIMONIDE EPILAYERS GROWN USING LIQUID PHASE EPITAXY
机译:
液相表位法生长的平原子Ⅲ-锑化物外延剂
作者:
ANIKA KUMAR
;
SUJATHA SRIDARAN
;
P. S. DUTTA
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
|
2004年
34.
High Speed 0.9 μm Lateral p-i-n Photodetectors Fabricated in a Standard Commercial GaAs VLSI Process
机译:
采用标准的商用GaAs VLSI工艺制造的高速0.9μm横向p-i-n光电探测器
作者:
WOJCIECH P. GIZIEWICZ
;
CLIFTON G. FONSTAD Jr
;
SHEILA PRASAD
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
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2004年
35.
JUNCTION-TEMPERATURE MEASUREMENTS IN GaN UV LIGHT-EMITTING DIODES USING THE DIODE FORWARD VOLTAGE
机译:
使用二极管正向电压测量GaN UV发光二极管的结温
作者:
Y.XI
;
E. F. SCHUBERT
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
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2004年
36.
ANALYTICAL MODEL FOR NON-SELF ALIGNED BURIED P-LAYER SiC MESFET
机译:
非自对准埋层P层SiC MESFET的解析模型
作者:
R.S GUPTA
;
SANDEEP KUMAR AGGARWAL
;
RITESH GUPTA
;
MRIDULA GUPTA
;
SUBHASIS HALDAR
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
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2004年
37.
HIGH-VOLTAGE DIAMOND SCHOTTKY RECTIFIERS
机译:
高压钻石肖特基整流器
作者:
W. HUANG
;
T.P. CHOW
;
J. YANG
;
J.E. BUTLER
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
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2004年
38.
LIFETIME OF NONEQUILIBRIUM CARRIERS IN AlGaN EPILAYERS WITH HIGH Al MOLAR FRACTION
机译:
高摩尔分数AlGaN外延层中非平衡载体的寿命
作者:
J. MICKEVICIUS
;
R. ALEKSIEJUNAS
;
M. S. SHUR
;
J. P. ZHANG
;
Q. FAREED
;
R. GASKA
;
G. TAMULAITIS
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
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2004年
39.
NOISE CHARACTERISTICS OF 340 nm AND 280 nm GaN-BASED LIGHT EMITTING DIODES
机译:
340 nm和280 nm GaN基发光二极管的噪声特性
作者:
SHAYLA SAWYER
;
SERGEY L. RUMYANTSEV
;
NEZIH PALA
;
MICHAEL S. SHUR
;
YURIY BILENKO
;
REMIS GASKA
;
PAVEL V. KOSTERIN
;
BRIAN M. SALZBERG
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
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2004年
40.
NOISE CHARACTERISTICS OF FIELD-PLATED GAN HEMTS
机译:
现场镀甘氨酸盐的噪声特性
作者:
Y.-F. WU
;
M. MOORE
;
T. WISLEDER
;
P.M. CHAVARKAR
;
P. PARIKH
;
A. SAXLER
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
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2004年
41.
TWO-DIMENSIONAL ANALYTICAL MODELING AND SIMULATION OF RETROGRADE DOPED HMG MOSFET
机译:
二次掺杂HMG MOSFET的二维分析建模与仿真
作者:
R.S GUPTA
;
KIRTI GOEL
;
MRIDULA GUPTA
;
MANOJ SAXENA
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
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2004年
42.
THICK GaN LAYER GROWN BY Ga VAPOR TRANSPORT TECHNIQUE
机译:
Ga蒸气传输技术生长的厚GaN层
作者:
HUAQIANG WU
;
PHANIKUMAR KONKAPAKA
;
YURI MAKAROV
;
MICHAEL G. SPENCER
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
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2004年
43.
STABLE HIGH POWER GaN-ON-GaN HEMT
机译:
稳定的高功率GaN-ON-GaN HEMT
作者:
K.K. CHU
;
P.C. CHAO
;
J.A. WINDYKA
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
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2004年
44.
SELECTIVE DRY ETCHING OF GaN OVER AlGaN IN BCL_3/SF_6 MIXTURES
机译:
BCL_3 / SF_6混合物中GaN在AlGaN之上的选择性干刻蚀
作者:
D. BUTTARI
;
A. CHINI
;
A. CHAKRABORTY
;
L. MCCARTHY
;
H. XING
;
T. PALACIOS
;
L. SHEN
;
S. KELLER
;
U. K. MISHRA
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
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2004年
45.
SELF-GUIDING IN LOW-INDEX-CONTRAST PLANAR PHOTONIC CRYSTALS
机译:
低指数对比平面光子晶体的自导
作者:
CAIHUA CHEN
;
ZHAOLIN LU
;
SHOUYUAN SHI
;
DENNIS W. PRATHER
会议名称:
《IEEE Lester Eastman Conference on High Performance Devices; 20040804-06; Rensselaer Polytechnic Institute》
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2004年
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