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Solid state-general
Solid state-general
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1.
Electrochemical Evaluation and Finite Element Structure Analysis of Si Wafer Surface Under Mechanical Stress
机译:
机械应力作用下硅晶片表面的电化学评估及有限元结构分析
作者:
K. Sakata
;
T. Homma
会议名称:
《Solid state-general》
|
2008年
2.
Investigation of THz emission by p-GaAsSb
机译:
用p-GaAsSb研究太赫兹发射
作者:
S. Hargreaves
;
L. J. Bignell
;
R. A. Lewis
;
D. Schoenherr
;
M. Saglam
;
H. L. Hartnagel
会议名称:
《Solid state-general》
|
2008年
3.
Control of crystal phase in Fe/Si films by using thin film Zone Melting Crystallization
机译:
通过薄膜区域熔融结晶控制Fe / Si薄膜中的晶相
作者:
T. Inoue
;
S. Terasawa
;
Y. Tanaka
;
M. Ihara
会议名称:
《Solid state-general》
|
2008年
4.
Electronic Structure Analysis of Silicon Nanowires for High Conductivity in n- and p-channel Nanowire-FET
机译:
n和p沟道纳米线FET中具有高导电性的硅纳米线的电子结构分析
作者:
Yeonghun Lee
;
Takahiro Nagata
;
Kuniyuki Kakushima
;
Kenji Shiraishi
;
Hiroshi Iwai
会议名称:
《Solid state-general》
|
2008年
5.
Measurement of the mechanical stability of semiconductor line structures in relevant media
机译:
测量相关介质中半导体线结构的机械稳定性
作者:
Daniel Peter
;
Michael Dalmer
;
Hans Kruwinus
;
Alfred Lechner
;
Leo Archer
;
Ernst Gaulhofer
;
Alexander M. Gigler
;
Robert W. Stark
;
Wolfgang Bensch
会议名称:
《Solid state-general》
|
2008年
6.
Analysis of Threshold Voltage Variations of FinFETs Relating to Short Channel Effects
机译:
FinFET与短沟道效应相关的阈值电压变化分析
作者:
Y. Kobayashi
;
Angada B. Sachid
;
K. Tsutsui
;
K. Kakushima
;
P. Ahmet
;
V. Ramgopal Rao
;
H. Iwai
会议名称:
《Solid state-general》
|
2008年
7.
Schottky Barrier Height Modulation by Er Insertion and Its Application to SB-MOSFETs
机译:
Er插入对肖特基势垒高度的调制及其在SB-MOSFET中的应用
作者:
K.Noguchi
;
W.Hosoda
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K.Matano
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K.Kakushima
;
P.Ahmet
;
K.Tsutsui
;
N.Sugii
;
A. N. Chandorkar
;
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;
H.Iwai
会议名称:
《Solid state-general》
|
2008年
8.
The Novel Highly-Selective Etching Process of SiO_2 to TiSi_x for Nano-Scale Device Fabrication
机译:
用于纳米级器件制造的新型SiO_2至TiSi_x的高选择性刻蚀工艺
作者:
Dong Won Hwang
;
Kook Ju Kim
;
Yang Ku Lee
;
Seung Ki Chae
会议名称:
《Solid state-general》
|
2008年
9.
Temperature-Dependent PL Intensity in FLA-Synthesized and Hydrogen-Modified Silica Layers with Silicon Nanocrystals
机译:
具有硅纳米晶体的FLA合成和氢改性二氧化硅层中随温度变化的PL强度
作者:
V. A. Volodin
;
V. A. Stuchinsky
;
S. G. Cherkova
;
G. A. Kachurin
;
R. A. Yankov
会议名称:
《Solid state-general》
|
2008年
10.
Hole Mobility In Si(110) p-MOS Transistors
机译:
Si(110)p-MOS晶体管中的空穴迁移率
作者:
P. Gaubert
;
A. Teramoto
;
T. Ohmi
会议名称:
《Solid state-general》
|
2008年
11.
Micro and Nano RD Fab Performance and Productivity A Lean Six-Sigma Approach
机译:
微型和纳米R&D Fab性能和生产率精益六西格玛方法
作者:
R. J. Olson Jr.
;
W. Hawkins
;
P. Piacente
;
R. Frank
;
J. Deluca
;
L. Douglas
;
G. Trant
会议名称:
《Solid state-general》
|
2008年
12.
Multiple Defect Modes in Diamond Photonic Crystal
机译:
金刚石光子晶体中的多种缺陷模式
作者:
M. Thitsa
;
T. Nguyen
;
S. Albin
会议名称:
《Solid state-general》
|
2008年
13.
Impurity Amplification in Ultra High Purity Hydrogen Bromide by Water Catalyzed Reactions from Different Cylinder Materials
机译:
不同圆筒材料在水催化下超高纯溴化氢中的杂质放大
作者:
A.J. Seymour
;
R. Torres
;
C.L. Wyse
;
J.L. Yao
;
T. Evdokimova
;
R. Pemberton
;
M.W. Raynor
;
J.H. Lee
;
W.D. Jung
会议名称:
《Solid state-general》
|
2008年
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