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Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Chemical Mechanical Polishing 8; 20061029-1103;20061029-1103; Cancun(MX);Cancun(MX)
Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Chemical Mechanical Polishing 8; 20061029-1103;20061029-1103; Cancun(MX);Cancun(MX)
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1.
Novel Hybrid Abrasive Particles for Oxide CMP Applications
机译:
用于氧化物CMP应用的新型混合磨料颗粒
作者:
Subrahmanya Mudhivarthi
;
Cecil Coutinho
;
Ashok Kumar
;
Vinay Gupta
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Chemical Mechanical Polishing 8; 20061029-1103;20061029-1103; Cancun(MX);Cancun(MX)》
|
2006年
2.
Chemical-mechanical planarization compatible for both copper/lowk level in a 90 nm technology and thick copper level in an RF technology
机译:
化学机械平面化可兼容90 nm技术中的铜/低能级和RF技术中的厚铜能级
作者:
Y. Loquet
;
C. Perrot
;
P. Bouillon
;
B. Iteprat
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Chemical Mechanical Polishing 8; 20061029-1103;20061029-1103; Cancun(MX);Cancun(MX)》
|
2006年
3.
Analysis of Pre- and Post-Conditioned Polyurethane CMP Pad Surfaces as a Function of Conditioning Temperature
机译:
预调节和后调节聚氨酯CMP垫表面随温度变化的关系分析
作者:
Abaneshwar Prasad
;
Hongqi Xiang
;
Jianhua Wang
;
Edward E. Remsen
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Chemical Mechanical Polishing 8; 20061029-1103;20061029-1103; Cancun(MX);Cancun(MX)》
|
2006年
4.
Composite Polymer Core - Silica Shell Abrasive Particles during Oxide CMP: A Defectiviry Study
机译:
复合聚合物核-氧化物CMP过程中的硅壳磨料颗粒:缺陷病毒研究
作者:
S. Armini
;
C. M. Whelan
;
K. Maex
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Chemical Mechanical Polishing 8; 20061029-1103;20061029-1103; Cancun(MX);Cancun(MX)》
|
2006年
5.
Profile Measurements of Microscratches Remaining on Polished Si(001) Wafers
机译:
抛光的Si(001)晶片上残留的微划痕的轮廓测量
作者:
Takushi Shigetoshi
;
Haruyuki Inoue
;
Tsukasa Kawashima
;
Takaaki Hirokane
;
Toshihiko Kataoka
;
Mizuho Morita
;
Kenta Arima
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Chemical Mechanical Polishing 8; 20061029-1103;20061029-1103; Cancun(MX);Cancun(MX)》
|
2006年
6.
Tuning the Removal Rate of Carbon Doped Oxide during Chemical Mechanical Polishing
机译:
在化学机械抛光过程中调整碳掺杂氧化物的去除率
作者:
Zhendong Liu
;
Jinru Bian
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Chemical Mechanical Polishing 8; 20061029-1103;20061029-1103; Cancun(MX);Cancun(MX)》
|
2006年
关键词:
chemical mechanical polishing;
carbon doped oxide;
sio_2;
7.
Effects of CMP Slurry Chemistry on Agglomeration of Alumina and Copper Surface Hardness
机译:
CMP浆料化学性质对氧化铝团聚和铜表面硬度的影响
作者:
R. V. Ihnfeldt
;
J. B. Talbot
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Chemical Mechanical Polishing 8; 20061029-1103;20061029-1103; Cancun(MX);Cancun(MX)》
|
2006年
8.
Effect of Slurry Characteristics on the Surface Tribology during Copper CMP Process
机译:
铜CMP工艺中浆料特性对表面摩擦学的影响
作者:
Subrahmanya Mudhivarthi
;
Veera Raghava Kakireddy
;
Ashok Kumar
;
Yaw Obeng
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Chemical Mechanical Polishing 8; 20061029-1103;20061029-1103; Cancun(MX);Cancun(MX)》
|
2006年
9.
INTEGRATING A CMP ROBUST ILD MODULE
机译:
集成CMP鲁棒ILD模块
作者:
J. J. Naughton
;
J. M. Towner
;
S. Aytes
;
M. M. Nelson
会议名称:
《Electrochemical Society(ECS) Meeting;Symposium on Chemical Mechanical Polishing 8; 20061029-1103;20061029-1103; Cancun(MX);Cancun(MX)》
|
2006年
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