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Symposium on materials issues in vacuum microelectronics

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1.Comparison of lateral field emitter characteristics for titanium silicide, poly-Si, and single crystal Si Tip

机译：硅化钛，Poly-Si和单晶Si尖端横向场发射极特性的比较
- 作者：Moo-Sup Lim;Cheol-Min Park;Min-Koo Han;Yearn-Ik Choi;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
2.Structural and electronic properties of negative electron affinity epitaxial diamond (110) films studied using atomic-resolution-UHV STM

机译：使用原子分辨率-UHV STM研究负电子亲和外延金刚石（110）膜的结构和电子性质
- 作者：S.C.Lim;R.E.Stallcup;I.Akwani;J.M.Perez;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
3.Advanced CVD diamond microtip devices for exfreme applications

机译：用于EXFREME应用的高级CVD金刚石仪器
- 作者：D.E.Patterson;K.D.Jamison;M.L.Kempel;S.Freeman;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
4.Electron emission properties of diamond and III-V nitrides

机译：金刚石和III-V氮化物的电子发射性能
- 作者：R.J.Nemanich;P.K.Baumann;M.J.Benjamin;S.L.English;J.D.Hartman;A.T.Sowers;B.L.Ward;P.C.Yang;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
5.Development of field-emission flat-panel displays at motorola

机译：在摩托罗拉开发现场排放平板显示器
- 作者：A.A.Talin;B.Chalamala;B.F.Coll;J.E.Jaskie;R.Petersen;L.Dworsky;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
6.UHV STM of cesium on oxygenated epitaxial diamond (100) films

机译：氧化外延金刚石（100）薄膜上的铯UHV STM
- 作者：R.E.Stallcup;J.M.Perez;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
7.Mechanism of field emissionin diamond and diamondlike carbon

机译：野外散发型金刚石和金刚石碳的机制
- 作者：J.Robertson;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
8.Characterization of tetrahedrally bonded amorphous carbon via capacitance techniques

机译：通过电容技术表征四面体键合非晶碳
- 作者：Kimon C.Palinginis;A.Ilie;B.Kleinsorge;W.I.Milne;J.D.Cohen;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
9.Field emission from low-temperature carbon coated silicon tips

机译：低温碳涂层硅提示的场发射
- 作者：A.I.Kosarev;V.V.Zhirnov;A.J.Vinogradov;M.V.Shutov;L.V.Bormatova;E.I.Givargizov;T.E.Felter;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
10.new lateral field emitter arrays inherently integrated with thin-film transistor

机译：新的横场发射极阵列与薄膜晶体管固有地集成
- 作者：Moo-Sup Lim;Cheol-Min-Koo Han;Yearn-IK Choi;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
11.Characterization of secondary electron emission from materials with low or negative electron affinity

机译：具有低或负电子亲和力的材料二次电子发射的特征
- 作者：J.E.Yater;A.Shih;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
12.Effect of SP~3/(SP~2+SP~3) carbon fraction on the photoelectric threshold and electron affinity of diamond films

机译：SP〜3 /（SP〜2 + SP〜3）碳分数对金刚石薄膜光电阈值和电子亲和力的影响
- 作者：I.A.Akwani;E.D.Sosa;S.C.Lim;R.E.Stallcup;J.N.Castillega;J.Bernhard;D.E.Golden;J.M.Perez;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
13.Simultaneous field emission and photoemission characterization of N-doped CVD diamond

机译：n掺杂CVD金刚石的同时场发射和光电分析
- 作者：Ryuichi Matsuda;Ken Okano;Bradford B.Pate;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
14.Field emission properties of ion-beam synthesized SiC/Si heterostructures by MEVVA implantation

机译：MEVVA植入的离子束合成SiC / Si异质结构的场排放特性
- 作者：Dihu Chen;S.P.Wong;W.Y.Cheung;E.Z.Luo;W.Wu;J.B.Xu;I.H.Wison;R.W.M.Kwok;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
15.Quasi-ballistic stable electron emission from porous silicon cold cathodes

机译：多孔硅冷阴极的准弹道稳定电子发射
- 作者：X.Sheng;N.Koshida;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
16.Emissionand processing requirements for carbide films on Mo field emitters

机译：Mo Field发射器上的碳化物薄膜的发号和处理要求
- 作者：W.A.Mackie;Tianbao Xie;M.R.Matthews;P.R.Davis;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
17.Chimney-shaped and plateau-shaped gate electrode field-emission arrays

机译：烟囱形和平台形栅电极场 - 排放阵列
- 作者：F.G.Tarntair;C.C.Wang;W.K.Hong;H.K.Huang;H.C.Cheng;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
18.Relationship of field-emission characteristics on process gas nitrogen content in nitrogen-doped diamond films

机译：氮掺杂金刚石膜中工艺气体氮含量的现场排放特性的关系
- 作者：A.T.Sowers;B.L.Ward;R.J.Nemanich;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
19.Boron Nitride emitters

机译：氮化硼发射器
- 作者：R.W.Pryor;Lihua Li;G.Minina;H.H.Busta;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
20.Electron emission from nanostructured diamond

机译：纳米结构金刚石的电子发射
- 作者：W.Zhu;G.P.Kochanski;S.Jin;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
21.Variation of the photoelectric threshold of boron-doped diamond films

机译：硼掺杂金刚石膜的光电阈值的变化
- 作者：I.A.Akwani;E.D.Sosa;J.Bernhard;S.C.Lim;R.E.Stallcup;J.M.Perez;D.E.Golden;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
22.Carbon nanotube-based vacuum microelectronic gated cathode

机译：基于碳纳米管的真空微电子门控阴极
- 作者：Xueping Xu;George R.Brandes;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
23.Emitting carbon thin films and their characterizations

机译：发射碳薄膜及其表征
- 作者：Z.Li Tolt;R.L.Fink;Zvi Yaniv;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
24.The effect of aspect ratio and SP~2/SP~3 content on the field-emission properties of carbon films grown by N_2-spiked PECVD

机译：纵横比和SP〜2 / SP〜3含量对N_2掺入PECVD生长的碳膜的场 - 排放性能的影响
- 作者：William M.Tong;Lawrence S.Pan;Thomas E.Felter;Simone Anders;Aline Cossy-Favre;Thomas Stammler;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
25.Characteristics of surface-emitting cold cathode based on porous polysilicon

机译：基于多孔多晶硅的表面发射冷阴极特性
- 作者：Takuya Komoda;Xia Sheng;Nobuyoshi Koshida;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年
26.Mechanisms of field emission from cubic boron nitride coated molybdenum emitters

机译：立方氮化硼涂覆钼发射器的场发射机制
- 作者：R.Schlesser;B.L.McCarson;Z.Sitar;Materials Research Society
- 会议名称：《Symposium on materials issues in vacuum microelectronics》 | 1998年