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1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii
1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii
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1.
Foundry Business and Technology Development Challenges
机译:
代工业务和技术发展挑战
作者:
F. C. Tseng
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
2.
Silicon Epitaxy and Its Application to RF IC's
机译:
硅外延及其在射频集成电路中的应用
作者:
T. Ohguro
;
H. Naruse
;
H. Sugaya
;
S. Nakamura
;
N. Sugiyama
;
E. Morifuji
;
H. Kimijima
;
T. Yoshitomi
;
T. Morimoto
;
H. S. Momose
;
Y. Katsumata
;
H. Iwai
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
3.
TRENDS IN SiGe PROCESS INTEGRATION VOLUME
机译:
SiGe工艺集成量的趋势
作者:
D.Harame
;
S.Subbanna
;
J.Dunn
;
S.A.St Onge
;
G.Freeman
;
J.Malinowski
;
R.Groves
;
A.Joseph
;
D.Ahlgren
;
R.Johnson
;
M.Zierak
;
D.Coolbaugh
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
4.
SUB-MICRON THIN FILM TRANSISTORS WITH METAL INDUCED LATERAL CRYSTALLIZATION
机译:
具有金属诱导的横向结晶的亚微米薄膜晶体管
作者:
Amol R. Joshi
;
Krishna C. Saraswat
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
5.
PROCESS INTEGRATION EVOLUTION IN MANUFACTURING TECHNOLOGIES FOR FLASH MEMORIES
机译:
闪存的制造技术中的过程集成演进
作者:
G. De Santi
;
C. Clementi
;
A. Rebora
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
6.
SUPER SELF-ALIGNED PROCESSING FOR SUB 0.1 μm MOS DEVICES USING SELECTIVE Si_(1-x)Ge-x CVD
机译:
使用选择性Si_(1-x)Ge-x CVD对SUB 0.1μmMOS器件进行超自对准处理
作者:
Toshifumi KIKUCHI
;
Tadayoshi YAMASHIRO
;
Atsushi MORIYA
;
Takaaki NODA
;
Yuji YAMAMOTO
;
Chunyang DENG
;
Masao SAKURABA
;
Takashi MATSUURA
;
Junichi MUROTA
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
7.
PRECISION RESISTOR INTEGRATION INTO A SUBMICRON SILICIDED CMOS TECHNOLOGY
机译:
精密电阻集成到亚微米硅CMOS技术中
作者:
Glen L. Miles
;
Frank Grellner
;
Paul C. Jamison
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
8.
COP Induced Isolation Failure in CZ Si Wafers
机译:
COP导致的CZ硅晶片隔离失败
作者:
G.S.Lee
;
K.D.Kwack
;
J.G.Park
;
J.M.Park
;
T.H.Shim
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
9.
CHALLENGE OF PROCESS INTEGRATION IN SILICON-BASED CMOS TECHNOLOGY
机译:
基于硅的CMOS技术中工艺集成的挑战
作者:
Yoshio Nishi
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
10.
'DEEP' JUNCTION INTEGRATION FOR IMPROVED PERFORMANCE AND MANUFACTURABILITY
机译:
“ DEEP ”结块集成,以提高性能和可制造性
作者:
Jon Cheek
;
Jim Buller
;
Dirk Wristers
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
11.
0.13m CMOS technology with optimized poly-Si/NO-oxide gate stack
机译:
0.13m CMOS技术,具有优化的多晶硅/一氧化氮栅极堆叠
作者:
S. Kubicek
;
P. Jansen
;
G. Badenes
;
M. Schaekers
;
V. Koldyaev
;
L. Deferm
;
K. De Meyer
;
D. Kerr
;
A. Naem
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
12.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF ULTRATHIN2.5NM GATE QUALITY LPCVD NITRIDE/OXIDE FILMS
机译:
超薄2.5NM栅极质量LPCVD氮化物/氧化物膜的电特性
作者:
Effiong Ibok
;
Khaled Ahmed
;
Bob Ogle
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
13.
A PHYSICAL MODEL OF EFFECTIVE OXIDE NITRIDE OXIDE THICKNESS CHANGE DUE TO POLY DEPLETION FOR INTER-POLY CAPACITORS
机译:
因多晶间电容器多耗尽而产生的有效一氧化氮一氧化氮厚度变化的物理模型
作者:
Jack G. Qian
;
Roy A. Hensley
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
14.
Mainstreaming SOI Technology for High Performance CMOS
机译:
面向高性能CMOS的主流SOI技术
作者:
Ghavam G. Shahidi
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
15.
JOHN BARDEEN AND TRANSISTOR PHYSICS
机译:
约翰·贝丁和晶体管物理学
作者:
Howard R. Huff
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
16.
METHOD OF REDUCING THE PATTERN EFFECTS ON B PENETRATION AND TED EFFECT BY IN-SITU POLY DEPOSITION AT WAFER BACKSIDE BEFORE RAPID THERMAL PROCESSING
机译:
快速热处理前通过晶片背面原位沉积减少B渗透和TED效应的方法
作者:
Jiaw-Ren Shih
;
J.H. Lee
;
B.L Lin
;
S.H. Chen
;
H.L. Hwang
;
C.H. Diaz
;
B.K. Liew
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
17.
SHEET RESISTANCE CONTROL IN A COPPER DUAL DAMASCENE INTEGRATION SCHEME
机译:
铜双镶嵌集成方案中的板电阻控制
作者:
Karl-Heinz Allers
;
Gerald R. Matusiewicz
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
18.
A WSi/WSiN/Poly:Si Gate CMOS Technology for 1.0 V DSPs
机译:
适用于1.0 V DSP的WSi / WSiN / Poly:Si门CMOS技术
作者:
I.C.Kizilyalli
;
J.R.Radosevich
;
S.Merchant
;
P.K.Roy
;
J.McKinley
;
S.Kuehne
;
J.Bevk
;
R.Ashton
;
R.Singh
;
H. Vaidya
;
R. Kohler
;
B. Bocian
;
R. Freyman
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
19.
THE INTEGRATION OF SHALLOW TRENCH ISOLATION (STI) FOR HIGH DENSITY DRAM WITH 0.18m TECHNOLOGY AND BEYOND
机译:
采用0.18m技术及更高水平的高密度DRAM的浅沟槽隔离(STI)集成
作者:
P. Pan
;
M. McQueen
;
K. Robinson
;
S. Sharan
;
S. Batra
;
R. Lane
;
L. Somerville
;
L.C. Tran
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
20.
POLY GATE DEPLETION EFFECT ON DEEP SUB-MICROMETER CMOS
机译:
深亚微米CMOS上的多栅极耗尽效应
作者:
Qiuyi Ye
;
Young Limb
;
Wayne Berry
;
Yujun Li
;
Liem Do Thanh
;
R. Rengarajan
;
W. Tonti
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
21.
Overview of FeRAM Technology for High Density Applications
机译:
用于高密度应用的FeRAM技术概述
作者:
CHRISTINE DEHM
;
GUeNTHER SCHINDLER
;
WALTER HARTNER
;
RENATE BERGMANN
;
BARBARA HASLER
;
IGOR KASKO
;
MARCUS KASTNER
;
MANUELA SCHIELE
;
VOLKER WEINRICH
;
CARLOS MAZURE
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
22.
ISSUES IN LOW K DIELECTRIC INTEGRATION
机译:
低K介电积分问题
作者:
James G. Ryan
;
Jack Hay
;
Thomas Shaw
;
Sampath Purushothaman
;
Jeffrey Hedrick
;
Charles Davis
;
Vincent McGahay
;
Ronald Goldblatt
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
23.
CRITICAL STATES OF STRESS EVOLUTION IN SILICON STRUCTURES OF ULSI WITH SHALLOW TRENCH ISOLATION
机译:
浅沟槽隔离的硅质硅结构中应力演化的临界状态
作者:
I. V. Peidous
;
N. Balasubramanian
;
E. Johnson
;
C. H. Gan
;
R. Sundaresan
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
24.
AN ADVANCED WELL STRUCTURE TO IMPROVE LATCH-UP IMMUNITY FOR CMOS TECHNOLOGY
机译:
先进的阱结构可提高CMOS技术的闩锁免疫力
作者:
H. Puchner
;
N.Strelkova
;
S.-F. Huang
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
25.
A NOVEL METHOD FOR SELECTIVE OXIDATION OF W/WN_x/Poly GATE STACK USING RTP ISSG TECHNIQUE
机译:
利用RTP ISSG技术选择性氧化W / WN_x /多晶门堆栈的新方法
作者:
Hyun Sung Joo
;
Ben Ng
;
Dave Lopes
;
Gary Miner
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
26.
PROCESS INTEGRATION TRENDS FOR EMBEDDED DRAM
机译:
嵌入式DRAM的工艺集成趋势
作者:
H. Takato
;
H. Koike
;
T.Yoshida
;
H. Ishiuchi
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
27.
A NEW DUMMY-FREE SHALLOW TRENCH ISOLATION CONCEPT FOR MIXED-SIGNAL APPLICATIONS
机译:
适用于混合信号应用的新的无虚拟浅沟槽隔离概念
作者:
G. Badenes
;
R. Rooyackers
;
E. Augendre
;
E. Vandamme
;
C. Perello
;
N. Heylen
;
J. Grillaert
;
L. Deferm
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
28.
AN IMPROVED AND MANUFACTURABLE PROCESS FOR FABRICATING ROBUST MOSFETS WITH SELF-ALIGNED T- SHAPED GATE AND AIR SPACER (STAIR)
机译:
具有自对准T形门和空气间隙(台阶)的鲁棒MOSFET的改进且可制造的过程
作者:
Horng-Chih Lin
;
Meng-Fan Wang
;
Raymond Lin
;
Wen-Fa Wu
;
Chih-Chung Chiou
;
Tien-Sheng Chao
;
Tiao-Yuan Huang
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
29.
Effect of High Temperature RTA on the Oxygen Precipitate Formation and the COP Dissolution
机译:
高温RTA对氧沉淀形成和COP溶解的影响。
作者:
J.G Park
;
H.K Park
;
G.S Lee
;
K.D Kwack
;
K.B Ryu
;
J.M Park
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
30.
FEDRAM: A CAPACITOR-LESS FERROELECTRIC DRAM CELL
机译:
FEDRAM:无电容铁电DRAM单元
作者:
T.P. Ma
;
Jin-Ping Han
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
31.
FINE/HIGH ASPECT RATIO SiO_2 HOLE AND GAP ETCHING
机译:
细高比SiO_2孔和间隙蚀刻
作者:
Yasuhiro Horiike
;
Makoto Ogata
;
Hidetaka Oshio
;
Yasuhiko Chinzei
;
Yannick Feurprier
;
Yuzuru Takamura
;
Takanori Ichiki
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
32.
LOW TEMPERATURE PLASMA TREATMENT OF Ta2O5 FILMS FOR W ELECTRODE METAL-INSULATOR-METAL(MIM) CAPACITOR
机译:
钨极金属绝缘子(MIM)电容器的Ta2O5薄膜的低温等离子体处理
作者:
SU-JIN OH
;
JA-CHUN KU
;
SI-BUM KIM
;
SAM-DONG KIM
;
CHUNG-TAE KIM
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
|
1999年
33.
MECHANICAL STRESS CONTROL FOR HIGHLY RELIABLE SHALLOW TRENCH STRUCTURES
机译:
高度可靠的浅沟槽结构的机械应力控制
作者:
Hideo Miura
;
Norio Ishitsuka
;
Norio Suzuki
;
Shuji Ikeda
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
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1999年
34.
INTEGRATION OF RAPID THERMAL PROCESSING INTO DRAM TECHNOLOGY
机译:
快速热处理集成到DRAM技术中
作者:
Ronald A. Weimer
会议名称:
《1st International Symposium on Ulsi Process Integration, 1st, Oct 17-22, 1999, Honolulu, Hawaii》
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1999年
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