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Symposium on nonvolatile memories
Symposium on nonvolatile memories
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1.
Defect Generation Mechanism and Its Impact on Reliability Properties in MONOS Devices
机译:
缺陷生成机制及其对Monos设备可靠性特性的影响
作者:
Shosuke Fujii
;
Haruka Kusai
;
Kiwamu Sakuma
;
Masato Koyama
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2014年
2.
Multilevel Cell Nonvolatile Memory with Field-effect Transistor Using Crystalline Oxide Semiconductor
机译:
使用晶体氧化物半导体具有场效应晶体管的多级电池非易失性存储器
作者:
Takanori Matsuzaki
;
Tatsuya Onuki
;
Shuhei Nagatsuka
;
Hiroki Inoue
;
Takahiko Ishizu
;
Hidekazu Miyairi
;
Masayuki Sakakura
;
Tomoaki Atsumi
;
Yutaka Shionoiri
;
Kiyoshi Kato
;
Takashi Okuda
;
Yoshitaka Yamamoto
;
Jun Koyama
;
Shunpei Yamazaki
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2014年
3.
Progresses in modeling HfO_x RRAM operations and variability
机译:
HFO_X RRAM操作和变异性建模的进展
作者:
L. Larcher
;
O. Pirrotta
;
F. M. Puglisi
;
A. Padovani
;
P. Pavan
;
L. Vandelli
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2014年
4.
Current Compliance Circuit to Improve Variation in ON State Characteristics and to Minimize RESET Current
机译:
电流符合电路以提高状态特性的变化,并最大限度地减少复位电流
作者:
P. Shrestha
;
A. Ochia
;
K.P. Cheung
;
J. P. Campbell
;
C.Vaz
;
J-H. Kim
;
H. Baumgart
;
G. Harris
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
5.
Improved Operation Characteristics in Charge-Trapping Flash Memory Devices with Engineered Dielectric Stack and SiGe Channel
机译:
具有工程电介质堆叠和SiGe通道的充电闪存装置中的操作特性改进
作者:
Zong-Hao Ye
;
Li-Jung Liu
;
Kuei-Shu Chang-Liao
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
6.
Recent Developments in ST-MRAM, Including Scaling
机译:
最近的ST-MRAM的发展,包括扩展
作者:
E. J. OSullivan
;
M. J. Gajek
;
J. J. Nowak
;
S. L. Brown
;
M. C. Gaidis
;
G. Hu
;
J. Z. Sun
;
P. L. Trouilloud
;
D. W. Abraham
;
R. P. Robertazzi
;
W. J. Gallagher
;
D. C. Worledge
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
7.
Analysis of the Scaling Effect on NAND Flash Memory Cell Operation
机译:
NAND闪存单元操作的缩放效应分析
作者:
R. Shirota
;
H. Watanabe
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
8.
Low-Dielectric Constant SiCN Charge Trapping Layer for Nonvolatile Memory Applications
机译:
用于非易失性存储器应用的低介电常数SICN电荷俘获层
作者:
Kiyoteru Kobayashi
;
Shinji Naito
;
Shuichi Nakiri
;
Yoshina Ito
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
9.
PREFACE
机译:
前言
作者:
S. Shingubara
;
Z. Karim
;
H. Shima
;
B. Magyari-Kope
;
T. Ohyanagi
;
Y. Suzuki
;
K. Rhie
;
K. Kobayashi
;
L. Goux
;
G. Bersuker
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2014年
10.
Non-Equilibrium Transport Theory Applied to Nano Electronics Problems
机译:
非平衡运输理论应用于纳米电子问题
作者:
Y. Asai
;
H. Nakamura
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2014年
11.
Materials and Physics Challenges for Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memories
机译:
旋转转移扭矩磁随机通道存储器的材料和物理挑战
作者:
O. Heinonen
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2014年
12.
Elucidating the Origin of Resistive Switching in Ultrathin Hafnium Oxides through High Spatial Resolution Tools
机译:
通过高空间分辨率阐明超薄铪氧化物中电阻切换的起源
作者:
Y. Shi
;
Y. Ji
;
F. Hui
;
V. Iglesias
;
M. Porti
;
M. Nafria
;
E. Miranda
;
G. Bersuker
;
M. Lanza
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2014年
13.
Atomic Scale and Interface Interactions in Redox-Based Resistive Switching Memories
机译:
基于氧化还原电阻切换存储器的原子尺度和界面相互作用
作者:
I. Valov
;
S. Tappertzhofen
;
E. Linn
;
S. Menzel
;
J. van den Hurk
;
R. Waser
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2014年
14.
Preface
机译:
前言
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
15.
PREFACE
机译:
前言
作者:
Shoso Shingubara
;
Zia Karim
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
16.
PN-Diode P-Oxide-Semiconductor/N-SiC/N-Si Resistive Nonvolatile Memory for Cross-Point Memory Array
机译:
PN二极管P氧化物半导体/ N-SiC / N-Si电阻非易失性用于交叉点存储器阵列
作者:
Yoshihiko Sato
;
Atsushi Yamashita
;
Takahiro Tsukamoto
;
Yoshiyuki Suda
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
17.
Hf cap thickness dependence in bipolar-switching TiNHfO_2HfTiN RRAM device
机译:
HF盖厚度依赖于双极切换锡 HFO_2 HF TIN RRAM设备
作者:
Yang Yin Chen
;
G. Pourtois
;
S. Clima
;
L. Goux
;
B. Govoreanu
;
A. Fantini
;
R. Degraeve
;
G. S. Kar
;
G. Groeseneken
;
D.J. Wouters
;
M. Jurczak
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
18.
A CMOS Compatible, Forming Free TaO_x RcRAM
机译:
CMOS兼容,形成免费的Tao_x rcram
作者:
A.J. Lohn
;
J.E. Stevens
;
P.R. Mickel
;
D.R. Hughart
;
M.J. Marinella
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
19.
Opportunities and Challenges of Atom Switch for Low-power Programmable Logic
机译:
低功耗可编程逻辑Atom开关的机遇与挑战
作者:
M. Tada
;
T. Sakamoto
;
H. Hada
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
20.
Non-Melting Phase Change Memory - Topological-switching RAM (TRAM)
机译:
非熔化相变记忆 - 拓扑开关框(电车)
作者:
Takasumi Ohyanagi
;
Masahito Kitamura
;
Mitsuharu Tai
;
Masaharu Kinoshita
;
Takahiro Morikawa
;
Kenichi Akita
;
Norikatsu Takaura
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2014年
21.
Temperature Effect on Memory Functions of the nc-CdSe Embedded ZrHfO High-k MOS Device
机译:
NC-CDSE嵌入式ZRHFO高K MOS装置的内存功能的温度效应
作者:
Shumao Zhang
;
Yue Kuo
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2014年
22.
Anisotropic magnetoresistance of ferromagnetic conductive filament in resistive switching memory
机译:
电阻开关记忆中铁磁导电灯丝的各向异性磁阻
作者:
S. Otsuka
;
Y. Hamada
;
T. Shimizu
;
S. Shingubara
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2014年
23.
Charge Trapping Properties of Silicon Carbonitride Storage Layers for Nonvolatile Memories
机译:
用于非易失性存储器碳氮化物储存层的电荷捕获性能
作者:
K. Kobayashi
;
S. Naito
;
S. Tanaka
;
Y. Ito
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2014年
24.
Characteristics of Nano-crystalline Ge_2Sb_2Te_5 material for Phase Change Memory
机译:
相变存储器纳米晶GE_2SB_2TE_5材料的特性
作者:
Takasumi Ohyanagi
;
Norikatsu Takaura
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
25.
CdSe Embedded ZrHfO Gate Dielectric Nonvolatile Memories - Charge Trapping and Breakdown Studies
机译:
CDSE嵌入式Zrhfo栅极电介质非易失性记忆 - 电荷诱捕和击穿研究
作者:
Chi-Chou Lin
;
Yue Kuo
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
26.
Fabrication of a Vertical Nanogap for Nonvolatile Memories
机译:
用于非易失性存储器的垂直纳米剧的制造
作者:
S. Furuta
;
Y. Masuda
;
T. Takahashi
;
M. Ono
;
Y. Naitoh
;
T. Shimizu
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
27.
Conditions for Formation and Rupture of Multiple Conductive Cu and Vo Filaments in a Cu/TaO_x/Pt Device
机译:
Cu / Tao_x / Pt装置中多导电Cu和Vo长丝形成和破裂的条件
作者:
Y. Kang
;
M. Verma
;
T. Potnis
;
T. Liu
;
M. Orlowski
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
28.
Optimized Contact Engineering to Maximize Cell Current in NAND Flash Memory Technology
机译:
优化的联系工程,最大限度地提高NAND闪存技术中的电池电流
作者:
Joong-Ho Yoon
;
Hong-Sig Kim
;
Yung-Sam Kim
;
Jun-Kyoung Lee
;
Eui-Sung Han
;
YeonUn Jeong
;
Young-Ik Lee
;
Sung-Jin Jang
;
Hyun-Gil Kim
;
Sung-Wook Park
;
Sae-Hui Park
;
Hae-Bum Lee
;
Kyu-Pil Lee
;
In-Soo Jo
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
29.
Storage Class Memory NAND Flash Memory Hybrid Solid-State Drives (SSD)
机译:
存储类内存和NAND闪存混合固态驱动器(SSD)
作者:
Ken Takeuchi
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
30.
In-situ TEM observation of Cu/MoO_x RcRAM switching
机译:
IN原位TEM观察CU / MOO_X RCRAM切换
作者:
M. Kudo
;
Y. Ohno
;
K. Hamada
;
M. Arita
;
Y. Takahashi
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
31.
Physical Properties Elucidation of Filaments in Conducting-Bridge Random Access Memory Consisting of Metal-Oxide
机译:
在由金属氧化物组成的导电桥随机存取存储器中阐明长丝的物理性质
作者:
S. Hasegawa
;
K. Kinoshita
;
S. Tsuruta
;
S. Kishida
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
32.
Voltage-induced Nonvolatile Change of Magnetic Anisotropy of CoFeB Ultrathin Films Stacked with Multivalent Oxides
机译:
用多价氧化物堆叠的CoFeB超薄薄膜磁各向异性的电压诱导的非挥发性变化
作者:
Jiro Koba
;
Koji Kita
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
33.
Investigation of Thomson Effect in Cu/TaO_x/Pt Resistive Switching Memory
机译:
Cu / Tao_x / PT电阻切换存储器中汤申效应的研究
作者:
Tong Liu
;
Tanmay Potnis
;
Yuhong Kang
;
Sarah El-Helw
;
Marius Orlowski
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
34.
Development, Characterization, and Modeling of a TaO_x ReRAM for a Neuromorphic Accelerator
机译:
一种神经形态加速器的Tao_x reram的开发,表征和建模
作者:
Matthew J. Marinella
;
Patrick R. Mickel
;
Andrew J. Lohn
;
David R. Hughart
;
Robert Bondi
;
Denis Mamaluy
;
Harry Hjalmarson
;
James E. Stevens
;
Seth Decker
;
Roger Apodaca
;
Brian Evans
;
J. Bradley Aimone
;
Fredrick Rothganger
;
Conrad James
;
Erik P. DeBenedictis
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2014年
35.
Study on oxide thickness dependence of current-voltage characteristics for HfO_x based ReRAM device
机译:
基于REERAM装置的电流 - 电压特性的氧化物厚度依赖性研究
作者:
Y. Hamada
;
S. Otsuka
;
T. Shimizu
;
S. Shingubara
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2014年
36.
Electric-Field-Induced Ultralow Power Switching in Superlattice Phase Change Materials
机译:
超晶格相变材料中的电场诱导的超级电力切换
作者:
T. Shintani
;
S. Soeya
;
T. Saiki
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2014年
37.
Special Electrical Characteristics of Superlattice Phase Change Memory
机译:
超晶格相变存储器的特殊电气特性
作者:
Takasumi Ohyanagi
;
Masahito Kitamura
;
Norikatsu Takaura
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
38.
Temperature Dependence of Resistance in Conductive Filament Formed with Dielectric Breakdown of Ni/TiO_2/Pt structure
机译:
在Ni / TiO_2 / Pt结构的介电击穿形成导电长丝中电阻的温度依赖性
作者:
S. Otsuka
;
Y. Hamada
;
T. Shimizu
;
S. Shingubara
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
39.
Effect of Intcrmetal Dielectric Layer on the Intcrpoly Dielectric Properties of Nonvolatile Memory Devices
机译:
电镀电介质层对非易失性存储器件的电介质性能的影响
作者:
Jin-Yong Ryoo
;
Suk-Kang Sung
;
Yong-Sik Yim
;
Jun-Eui Song
;
Wang-Chul Shin
;
Jai-Hyuk Song
;
Du-Heon Song
;
Jeong-Hyuk Choi
;
Yonghan Roh
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
40.
Impact of STI gap-fill process deposited by HDP-CVD in flash memory
机译:
HDP-CVD在闪存中沉积的STI隙填充过程的影响
作者:
Hyoung-sun Park
;
Ki-yong Kim
;
Ok-cheon Hong
;
Hong-sig Kim
;
Haebum Lee
;
Kyu-pil Lee
;
In-soo Cho
;
Byoung-deog Choi
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
41.
Electrical properties of sol-gel derived PbLaZrTiO_x capacitors with nonnoble metal oxide top electrodes
机译:
具有非镍金属氧化物顶电极的溶胶 - 凝胶衍生PBLAZRTIO_X电容的电气性能
作者:
Yoko Takada
;
Toru Tsuji
;
Naoki Okamoto
;
Takeyasu Saito
;
Kazuo Kondo
;
Takeshi Yoshimura
;
Norifumi Fujimura
;
Koji Higuchi
;
Akira Kitajima
;
Akihiro Oshima
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
42.
Programmable Metallization Cells in Memory and Switching Applications
机译:
内存和切换应用中的可编程金属化单元
作者:
M.N. Kozicki
;
P. Dandamudi
;
H.J. Bamaby
;
Y. Gonzalez-Velo
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
43.
Implications of lower zero-field activation energy of dielectric in Al_2O_3/HfO_2 bi-layer dielectric RRAM forming process
机译:
AL_2O_3 / HFO_2双层电介质RRAM形成过程中介电下零场激活能量的影响
作者:
Biplab Sarkar
;
Bongmook Lee
;
Veena Misra
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2014年
44.
First-Principles Study of Oxygen Vacancy and Hydrogen Impurity Effects in the Pseudo-hexagonal Ta_2O_5
机译:
伪六边形TA_2O_5中氧空位和氢杂质作用的第一原理研究
作者:
J. Y. Kim
;
B. Magyari-Koepe
;
A. Hazeghi
;
K. J. Lee
;
H. S. Kim
;
S. H. Lee
;
Y. Nishi
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
45.
Pulse Switching Property of Reset Process in Resistive Random Access Memory (ReRAM) Consisting of Binary-Transition-Metal-Oxides
机译:
由二进制转换 - 金属氧化物组成的电阻随机存取存储器(RERAM)中复位过程的脉冲切换性能
作者:
T. Moriyama
;
K. Kinoshita
;
R. Koishi
;
S. Kishida
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
46.
Electric Conduction Mechanism of Resistive Switching Memory Fabricated with Anodic Aluminum Oxide
机译:
用阳极氧化铝制造的电阻开关内存的电阻机理
作者:
S. Otsuka
;
T. Shimizu
;
S. Shingubara
;
N. Iwata
;
T. Watanabe
;
Y. Takano
;
K. Takase
会议名称:
《Symposium on nonvolatile memories》
|
2013年
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